专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [外观设计]时钟(HALO数字)-CN202230165126.X有效
  • 张亮 - 张亮
  • 2022-03-28 - 2022-08-16 - 10-01
  • 1.本外观设计产品的名称:时钟(HALO数字)。2.本外观设计产品的用途:用于记录时间。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
  • 时钟halo数字
  • [外观设计]时钟(HALO射线)-CN202230165106.2有效
  • 张亮 - 张亮
  • 2022-03-28 - 2022-07-12 - 10-01
  • 1.本外观设计产品的名称:时钟(HALO射线)。2.本外观设计产品的用途:用于记录时间。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
  • 时钟halo射线
  • [发明专利]硅控整流器-CN201110031959.8有效
  • 高超 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2011-01-28 - 2011-08-17 - H01L27/02
  • 阱;形成在所述N阱中的第一P型注入区和第一N型注入区;形成在所述P阱中的第二P型注入区和第二N型注入区;形成在所述N阱与所述P阱相接合之位置的第三注入区;以及形成在所述第三N型注入区侧方的由轻掺杂区和HALO本发明的硅控整流器中,由轻掺杂区和HALO注入区形成的结与高浓度注入区相结合以在阳极和阴极电路之间形成等效三极管(NPN型和PNP型),由此,击穿点就位于高浓度注入区与轻掺杂区之间。由于轻掺杂区位于HALO注入区的上方,因此所述等效三极管的击穿点更靠近器件表面。由此,本发明硅控整流器的触发电压得以减小。
  • 整流器
  • [实用新型]一种用于halo支架的头枕-CN202121024502.X有效
  • 张雪芳 - 中山市人民医院
  • 2021-05-07 - 2022-01-11 - A61B17/62
  • 本实用新型公开了一种用于halo支架的头枕,包括有头枕本体,所述的头枕本体上设置有能够贴靠患者颈背和头部的垫靠面,所述的头枕本体上设置有在患者头部枕在垫靠面上时能够供支撑架进入的第一避让腔,所述的头枕本体上还设置有在在患者头部枕在垫靠面上时能够供头环进入的第二避让腔,本实用新型目的是克服了现有技术的不足,提供能够提高患者的舒适度、保证患者正常睡眠休息、有利于患者康复的一种用于halo支架的头枕。
  • 一种用于halo支架

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