专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法-CN201510894403.X有效
  • 叶佐昌;郭泽邦;王燕 - 清华大学
  • 2015-12-08 - 2018-08-10 - G06F17/50
  • 该方法先选择相同栅宽W、相同栅长L、不同Halo注入剂量的多个晶体管,将栅端偏置在相同的过驱动电压下,并求得每个晶体管的总电阻;对Halo注入剂量和总电阻进行线性拟合,将拟合曲线外推至Halo注入剂量为0,截距R即为总电阻;再选择相同栅宽W、相同Halo注入剂量N、不同栅长的多个晶体管,将栅端偏置在相同的过驱动电压下,并求得每个晶体管的总电阻;对晶体管的栅长和总电阻进行线性拟合,计算得到拟合曲线的斜率K;对栅宽W、栅长L、Halo注入剂量N的晶体管,根据公式Rsd=R‑K*L计算得到其源漏电阻Rsd。
  • 一种场效应晶体管漏电提取方法
  • [发明专利]半导体器件的制备方法和半导体器件-CN202010535596.0在审
  • 林威 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2020-06-12 - 2021-06-22 - H01L21/8238
  • 制备方法包括以下步骤:提供一衬底;衬底上形成栅极;使用栅极作为阻挡层并以垂直方向为基准进行第一预设角度的硼离子注入,以在栅极的底部形成沟道;使用栅极作为阻挡层并以垂直方向为基准进行第二预设角度的磷离子注入以形成Halo‑implant区域,Halo‑implant区域与栅极相邻;Halo‑implant区域内进行NPS注入,以形成接触区域的欧姆接触,接触区域为NPS注入区域与Halo‑implant区域的接触区域,NPS注入区域至栅极之间形成硅化金属阻挡区
  • 半导体器件制备方法
  • [发明专利]Halo轨道出发探测深空目标的逃逸轨道设计方法-CN201310240162.8有效
  • 尚海滨;崔平远;王帅;乔栋;窦强 - 北京理工大学
  • 2013-06-18 - 2013-09-04 - B64G99/00
  • 本发明涉及一种深空探测器逃逸轨道设计方法,特别适用于从Halo轨道出发的深空探测任务逃逸轨道的设计,属于航空航天技术领域。首先计算得到任务给定Halo轨道的内延不稳定扰动流形的次要天体近拱点状态;然后根据任务要求的行星际转移要求的次要天体逃逸双曲线超速,求解在扰动流形近拱点处需要施加的机动脉冲,以及从近拱点到次要天体影响球的飞行时间本方法在低燃料消耗基础上缩短从Halo轨道上逃逸的飞行时间,不需要引入其它天体的星历约束;通过扰动流形的引入增加了从Halo轨道出发轨道的自由度,扩展了传统设计方法的解空间。
  • halo轨道出发探测目标逃逸设计方法
  • [发明专利]半导体器件制备方法-CN202010115668.6有效
  • 穆克军 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-02-25 - 2022-11-25 - H01L29/06
  • 沿垂直方向对掺杂区的第二区域注入具有第二导电类型的掺杂离子,形成具有第二导电类型的源/漏区;沿偏向栅极结构的倾斜方向对掺杂区的第一区域注入具有第一导电类型的掺杂离子并进行退火,形成自源/漏区延伸至栅极结构的Halo通过倾斜角度注入形成Halo区,且形成Halo区的掺杂离子不注入源/漏区,可以避免经退火后的Halo区扩散至源/漏区底面形成突变结而导致垂直漏电。
  • 半导体器件制备方法

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