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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高电子迁移率的半导体器件及其方法-CN201410172703.2有效
发明人： B·帕德玛纳伯翰;P·温卡特拉曼;小J·M·帕西;A·萨利赫 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该鳍形结构提供极化和半极化的2DEG区域两者。在一个实施例中，栅结构配置为控制极化的2DEG区域中的电流。屏蔽导体层被包括在栅结构上方并与半导体器件的漏区处于分离关系。
半导体器件鳍形结构极化栅结构氮化物材料电子迁移率分离关系屏蔽导体漏电极源电极漏区配置

[发明专利]基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器及制备方法-CN201611079255.7有效
发明人：叶建东;张彦芳;任芳芳;朱顺明;汤琨;顾书林;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。
极性溶剂化学传感器氧化物异质结二维电子气异质结构异质界面制备高电子迁移率晶体管半导体工艺传感区域漏源电流欧姆接触电极非对称热蒸发肖特基衬底光刻吸附探测制作

[发明专利]具有轻掺杂漏极区的高电子迁移率晶体管及其制造方法-CN201110113377.4有效
发明人：黄仁俊;申在光;吴在浚;金钟燮;崔赫洵;洪起夏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：该HEMT包括：源极；漏极；栅极；沟道提供层，用于形成至少二维电子气(2DEG)沟道；以及沟道形成层，至少该2DEG沟道将要形成在沟道形成层中，其中沟道提供层包括具有不同极化率的多个半导体层，沟道提供层的部分是凹陷
具有掺杂漏极区电子迁移率晶体管及其制造方法

[发明专利]一种阻燃剂及其制备方法、使用该阻燃剂的共聚酯以及共聚酯的制备方法和用途-CN201510317865.5有效
发明人：柏立军;成娟;望月克彦 -专利权人：东丽纤维研究所(中国)有限公司
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C08K5/5313 文献下载
摘要：所述阻燃剂主要由磷化合物与二元醇反应而成，其酸值为100～260mgKOH/g，阻燃剂中DEG含量在1.0wt%以下。所述聚酯中阻燃剂的含量以磷元素计相对于共聚酯总量为0.5～1.1wt%，该阻燃共聚酯中DEG含量在2.0wt%以下。
一种阻燃及其制备方法使用聚酯以及用途

[实用新型]GaN增强型HEMT和增强型GaN FET-CN201820033388.9有效
发明人：阿布舍克·班纳吉;皮特·莫昂;戈登·M·格里芙尼亚 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：在一个实施方案中，III‑V高电子迁移率半导体器件包括：包括GaN层的半导体衬底、位于该GaN层上的AlGaN层，其中在该GaN层与该AlGaN层的界面附近形成2DEG。绝缘体可以位于该AlGaN层的至少第一部分上，并且P型GaN栅极区域可以覆盖该AlGaN层的第二部分，其中该2DEG不位于该P型GaN栅极区域下面。
增强型栅极区域绝缘体半导体器件本实用新型电子迁移率衬底半导体覆盖

[发明专利]热交换用板的母板材及使用了该母板材的热交换用板-CN201280042807.0有效
发明人：藤井康之;冈本明夫;逸见义男;藤田皓久 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： F28F13/02 文献下载
摘要：另外，关于本发明的热交换用板(4)的母板材，由凸部的高度(μm)×[凹部的宽度(μm)／相邻的凸部的间距(μm)／凸部的角度(deg)]定义的形状参数G2为0.94μm／deg以下。
热交换母板使用

[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置-CN201810867296.5在审
发明人：冈本康宏 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：通过以这种方式使栅极电极的两侧的第四氮化物半导体层与氮化硅膜接触，能够降低抑制2DEG的功能，并且在形成第四氮化物半导体层之后消除的2DEG可以被恢复。即使在去除氮化硅膜后，抑制2DEG的功能的降低也得以保持。
氮化物半导体层半导体装置氮化硅膜栅极电极层叠体制造栅极绝缘膜第一区域顺序地层沟道层缓冲层阻挡层去除恢复

[发明专利]一种慢回弹聚氨酯泡棉的制备方法-CN201610435633.4在审
发明人：高虎亮 -专利权人：嘉兴中易碳素科技有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C08G18/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种慢回弹聚氨酯泡棉的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（Ⅰ）将AA、DEG加热进行酯化缩聚反应，反应至酸价20~25mgKOH/g；（Ⅱ）将含有羧基、羟基官能团的氧化炭黑加入第（Ⅰ）步的产物中，抽真空，反应至酸价≤2.0mgKOH/g，加大真空度继续反应得到氧化炭黑改性、羟基结尾的DEG多元醇，即改性DEG多元醇；（Ⅲ）在第（Ⅱ）步得到的产物中加入扩链剂、催化剂、H2O、聚醚三元醇，混合均匀后作为制备聚氨酯泡棉的
一种回弹聚氨酯制备方法

[发明专利]一种新型增强型III-V异质结场效应晶体管-CN201610297662.9在审
发明人：董志华;程知群;刘国华;柯华杰;周涛 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：漏电极和源电极之间通过第一半导体层相连且与第一半导体层欧姆接触从而形成沟道；第一半导体层比第二半导体层具有更大的禁带宽度；第二半导体层和第一半导体层结合在一起构成异质结构；第一半导体层的厚度不大于在异质结构上形成二维电子气2DEG的临界厚度，使异质结构中天然的二维电子气2DEG被耗尽。相对于现有技术，本发明提供的新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，利用薄势垒层方案获得耗尽的沟道，采用高栅电压重新诱导出2DEG，从而实现性能稳定的增强型器件。
一种新型增强 iii 异质结场效应晶体管

[发明专利]基于多指栅结构的太赫兹辐射源器件及其调控方法-CN201911093181.6在审
发明人：陈亮;蔡勇;刘国华;程知群 -专利权人：杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：该太赫兹辐射源器件包括沟道层、沟道提供层、源极和漏极，该沟道层中感生有二维电子气(2DEG)沟道；且在沟道提供层上交替排布有两组栅极，当在该两组栅极上分别施加不同电压时，则位于该两组栅极下方的沟道区域及位于任意两个相邻栅极之间区域正下方的沟道区域中的2DEG浓度将存在差异，从而在这些沟道区域之间形成2DEG浓度差界面，继而若在源、漏极之间加载电压，将在沟道中构建周期性浓度差的驻波振荡结构，由此产生太赫兹辐射。
太赫兹辐射源沟道区域两组沟道提供层沟道层浓度差沟道漏极二维电子气太赫兹辐射辐射频率加载电压交替排布相邻栅极驻波振荡高功率栅结构轻便感生构建源极调制施加调控激发应用

[发明专利]基于复合漏极的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法-CN201410030942.4有效
发明人：冯倩;杜锴;杜鸣;张春福;梁日泉;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的有益之处在于：器件导通时，栅漏间第一区域和第二区域的2DEG浓度增加，电阻减小；器件截止时，第一区域的2DEG减小，第二区域的2DEG与器件导通时相同，器件耗尽区的宽度增加，电场分布改变，器件击穿电压提高
基于复合 algan gan mishemt 高压器件及其制作方法

[发明专利]充气轮胎-CN201280078027.1有效
发明人：尾花谦太郎 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： B60C11/00 文献下载
摘要：另外，带束层(14)通过层叠周向加强层(145)和一对交叉带束(142、143)而成，所述一对交叉带束(142、143)具有绝对值为10[deg]以上且45[deg]以下、并且符号互不相同的带束角度，所述周向加强层(145)具有相对于轮胎周向处于±5[deg]的范围内的带束角度。
充气轮胎

[发明专利]充气轮胎-CN201280076290.7有效
发明人：神德孝一 -专利权人：横滨橡胶株式会社
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： B60C3/04 文献下载
摘要：在该充气轮胎(1)中，带束层(14)是层叠周向加强层(145)和一对交叉带束(142，143)而成的，所述一对交叉带束(142、143)具有绝对值为10【deg】以上且45【deg】以下并且符号互不相同的带束角度；所述周向加强层(145)具有相对于轮胎周向处于±5【deg】的范围内的带束角度。
胎面轮廓轮胎赤道面充气轮胎交叉带束加强层带束内周轮胎轮胎宽度方向轮胎周向边缘部带束层胎面端陆部胎肩胎面

[发明专利]一种基于Ga2-CN201911271820.3在审
发明人：戴贻钧;郭炜;陈荔;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：base:Sub>2O3/GaN异质结的HEMT器件，它包括衬底（1），缓冲层（2），沟道层（3），以及势垒层（4），沟道层（3）顶端具有2DEG（5），还设有源极（6），漏极（8）和栅极（7）；其中所述沟道层（3）由GaN构成，势垒层（4）由Ga2O3构成，2DEG
一种基于 ga base sub

[发明专利]成像镜组、内窥镜物镜及内窥镜-CN202211234837.3在审
发明人：马健;周新;赵源 -专利权人：微创优通医疗科技（上海）有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：；具有正光焦度的第二透镜，像侧面于近光轴处为凸面；具有正光焦度的第三透镜，物侧面和像侧面于近光轴处均为凸面；具有负光焦度的第四透镜，物侧面于近光轴处为凹面，像侧面于近光轴处为凸面；成像镜组满足：150deg/mm≤FOV/SD11≤189deg/mm。
成像内窥镜物镜

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