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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种肖特基二极管及其制造方法-CN201910718112.3有效
发明人：黎子兰 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种肖特基二极管，包括：衬底，其包括垂直界面；沟道层，其设置在垂直界面之外；沟道提供层，其设置在沟道层之外，沟道层中邻近沟道层与沟道提供层的界面形成垂直的二维电子气2DEG或者二维空穴气2DHG；第一电极，其与垂直的二维电子气2DEG或二维空穴气2DHG电连接，形成欧姆接触；以及第二电极，其与沟道提供层形成肖特基接触。
一种肖特基二极管及其制造方法

[发明专利]硫化物固体电解质-CN201880033384.3有效
发明人：寺井恒太;佐藤淳;宇都野太 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫化物固体电解质，包含锂、磷以及硫，在使用CuKα射线的粉末X射线衍射中，在2θ＝25.2±0.5deg具有衍射峰A，在2θ＝29.7±0.5deg具有衍射峰B，在固体
硫化物固体电解质

[实用新型]成像镜组、内窥镜物镜及内窥镜-CN202222659479.2有效
发明人：马健;周新;赵源 -专利权人：微创优通医疗科技（上海）有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G02B13/00 文献下载
摘要：；具有正光焦度的第二透镜，像侧面于近光轴处为凸面；具有正光焦度的第三透镜，物侧面和像侧面于近光轴处均为凸面；具有负光焦度的第四透镜，物侧面于近光轴处为凹面，像侧面于近光轴处为凸面；成像镜组满足：150deg/mm≤FOV/SD11≤189deg/mm。
成像内窥镜物镜

[外观设计]筷子筒（心形DS18511DEG）-CN202230680637.5有效
发明人：黎伟东 -专利权人：黎伟东
申请日： 2022-10-15 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： 07-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：筷子筒（心形DS18511DEG）。2.本外观设计产品的用途：放置筷子、勺子等物品的筷子筒。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
筷子心形 ds18511deg

[外观设计]筷子筒（心形DS18512DEG）-CN202230680652.X有效
发明人：黎伟东 -专利权人：黎伟东
申请日： 2022-10-15 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： 07-07 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：筷子筒（心形DS18512DEG）。2.本外观设计产品的用途：放置筷子、勺子等物品的筷子筒。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
筷子心形 ds18512deg

[发明专利]基于超结漏场板的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法-CN201410033431.8有效
发明人：冯倩;杜锴;杜鸣;张春福;梁日泉;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的有益之处在于：器件导通时第一、第二和第三区域的2DEG浓度增加，电阻减小，降低了器件导通电阻；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，改变了电场分布
基于超结漏场板 algan gan 高压器件及其制作方法

[发明专利]基于超结漏场板的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法-CN201410030941.X有效
发明人：冯倩;杜锴;代波;张春福;梁日泉;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的有益之处在于：器件导通时第一、第二和第三区域的2DEG浓度增加，电阻减小，降低了器件导通电阻；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度，提高了器件击穿电压
基于超结漏场板 algan gan mishemt 高压器件及其制作方法

[发明专利]基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法-CN201410029857.6有效
发明人：冯倩;杜锴;代波;张春福;梁日泉;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的有益之处在于：器件导通时第一区域、第二区域和第四区域的2DEG浓度增加，电阻减小，达到了降低器件导通电阻的目的；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域和第三区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度
基于 algan gan 高压器件及其制作方法

[发明专利]基于超结的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法-CN201410030986.7有效
发明人：冯倩;杜锴;代波;张春福;梁日泉;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的有益之处在于：器件导通时第一区域、第二区域和第四区域的2DEG浓度增加，电阻减小，达到了降低器件导通电阻的目的；器件截止时第一区域的2DEG减小，第二区域和第三区域的2DEG与器件导通时相同，增加了器件耗尽区的宽度
基于 algan gan mishemt 高压器件及其制作方法

[发明专利]一种极化掺杂增强型HEMT器件-CN201710222890.4有效
发明人：罗小蓉;彭富;杨超;魏杰;邓思宇;欧阳东法;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明的技术方案，通过在缓冲层上依次生长Al组分渐变的第一势垒层和第二势垒层，两层势垒层的Al组分变化趋势相反，势垒层内部由于极化差分别诱导产生三维电子气(3DEG)和三维空穴气(3DHG)；同时，凹槽绝缘栅结构位于源极远离漏极的一侧且与源极接触首先，由于整个第一势垒层中都存在较高浓度的电子，极大提升器件的导通电流；其次，3DHG夹断源极与3DEG之间的纵向导电沟道，从而实现增强型，由凹槽栅电极上施加电压实现对导电沟道进行控制，且可通过对部分导电沟道进行掺杂调控阈值电压；再次，3DEG‑3DHG形成极化超结，在阻断状态时辅助耗尽漂移区，优化器件的横向电场分布，提高器件耐压。
一种极化掺杂增强 hemt 器件

[发明专利]一种锂离子导电材料及其制备方法和应用-CN201910285278.0有效
发明人：张炜龙;郭振刚;余运龙;关翔锋;李小燕 -专利权人：福建江夏学院
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C30B1/10 文献下载
摘要：DDA0002023069980000012.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />alpha＝69.788(10)deg，beta＝89.404(18)deg，gamma＝76.306(17)deg，一种锂离子导电材料及其制备方法应用

[实用新型]一种新型增强型III-V异质结场效应晶体管-CN201620407438.6有效
发明人：董志华;程知群;刘国华;柯华杰;周涛 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：漏电极和源电极之间通过第一半导体层相连且与第一半导体层欧姆接触从而形成沟道；第一半导体层比第二半导体层具有更大的禁带宽度；第二半导体层和第一半导体层结合在一起构成异质结构；第一半导体层的厚度不大于在异质结构上形成二维电子气2DEG的临界厚度，使异质结构中天然的二维电子气2DEG被耗尽。相对于现有技术，本实用新型提供的新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，利用薄势垒层方案获得耗尽的沟道，采用高栅电压重新诱导出2DEG，从而实现性能稳定的增强型器件。
一种新型增强 iii 异质结场效应晶体管

[发明专利]硫化物固体电解质-CN202011548301.X在审
发明人：宇都野太;寺井恒太;梅木孝;中川将;山口展史 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：一种硫化物固体电解质，包含锂、磷、硫、氯、溴,在使用了CuKα射线的粉末X射线衍射中，在2θ＝25.2±0.5deg具有衍射峰A，在29.7±0.5deg具有衍射峰B，衍射峰A以及衍射峰B满足下述式(A
硫化物固体电解质

[发明专利]电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备-CN201810394403.7有效
发明人：嶋田刚志;滝泽久美子;竹内艾琳;黑岩育世;北村航;田边干;满田晴彦 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G03G5/147 文献下载
摘要：其中底涂层包含在CuKα特性X射线衍射图中在2θ＝32.20±0.20(θ表示布拉格角)的位置处具有最大峰(最大峰的半值宽度为0.10deg以上且0.50deg以下)的钛酸锶颗粒的电子照相感光构件，和各自设置有该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备
电子照相感光构件处理设备

[发明专利]功率器件和制造该功率器件的方法-CN201210180130.9有效
发明人：李哉勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：由于在形成第一氮化物层之后，第二氮化物层进一步形成在栅电极图案的下部上，所以功率器件在与栅电极图案对应的部分中可以不包括二维电子气体(2-DEG)层，因此，功率器件能够执行常关操作。因此，功率器件可以基于栅极的电压调节2-DEG层的生成，并且可以降低功耗。
功率器件制造方法

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