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[发明专利]三态内容寻址存储单元以及三态内容寻址存储器-CN202210881371.X在审
发明人：甘东 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明的TCAM单元包括：CMOS场效应管；互补CMOS场效应管；二极管；互补二极管；存储单元，其第一端与CMOS场效应管的漏极和二极管的负极电连接，且可处于高电阻态和低电阻态；互补存储单元，其第一端与互补CMOS场效应管的漏极和互补二极管的负极电连接；位元/选择线，其与存储单元的第二端电连接；互补位元/选择线，其与互补存储单元的第二端电连接；匹配线，其与二极管和互补二极管的正极电连接；字元线，其与CMOS场效应管和互补CMOS场效应管的栅极电连接；以及接地线，其与CMOS场效应管和互补CMOS场效应管的源极电连接。
三态内容寻址存储单元以及存储器

[实用新型]射频接收电路-CN201520486582.9有效
发明人：陈正秋 -专利权人：上海诠诺物联网技术有限公司
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G06K17/00 文献下载
摘要：它包括CMOS超外差接收器及其外围电路，所述的CMOS超外差接收器采用芯片MAX1473,CMOS超外差接收器的1脚和28脚依次连接有第一电容C1、晶振M和第二电容C2，CMOS超外差接收器1的2脚、7脚、11脚和14脚两端分别接第三电容C3和第四电容C4，CMOS超外差接收器的3脚接第一电感L1，第一电感L1接第五电容C5，CMOS超外差接收器的4脚接第二电感L2，CMOS超外差接收器的8脚接第六电容C6，第六电容C6与并联的第三电感L3和第七电容C7的一端及CMOS超外差接收器的6脚相连。
射频接收电路

[实用新型]可同步观察透射与反射牛顿环的实验装置-CN201120000894.6无效
发明人：许富洋;邢君飞;徐婷婷;蔡阳杰;彭保进 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2011-01-04 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G09B23/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可同步观察透射与反射牛顿环的实验装置，由微型计算机、CMOS图像传感器一、CMOS图像传感器二、透镜一、透镜二、牛顿环仪、半透半反镜、钠光灯构成，CMOS图像传感器一、透镜一、牛顿环仪、半透半反镜、透镜二、CMOS图像传感器二同轴依次设置，钠光灯设置在该轴一侧，照射方向与此轴垂直，CMOS图像传感器一、CMOS图像传感器二各自通过USB连接线与微型计算机连接。将CMOS图像传感器一和二、透镜一和二、半透半反镜、牛顿环仪调至共轴，并使钠光灯照射方向与此轴垂直，适当调节器件之间的距离，透射牛顿环现象与反射牛顿环现象分别通过CMOS图像传感器一、二由微型计算机获取
同步观察透射反射牛顿实验装置

[发明专利]一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法-CN201511018026.X在审
发明人：俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，该CMOS器件结构包括：绝缘体岛上硅衬底，所述绝缘体岛上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间的凹槽；CMOS器件，制作于所述绝缘体岛上硅衬底上，且所述CMOS器件的沟道制作于与所述凹槽对应的顶层硅中。本发明在绝缘体岛上硅衬底上制作CMOS器件，所述绝缘体岛上硅衬底的绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间的凹槽，以在CMOS器件体区下方设置空洞，可以大大增加后续制备CMOS器件的可靠性
一种基于绝缘体岛上衬底 cmos 器件结构制备方法

[发明专利]一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法-CN201511017174.X在审
发明人：俞文杰;刘强;刘畅;文娇;王翼泽;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，该CMOS器件结构包括：绝缘体岛上硅衬底，所述绝缘体岛上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管栅极的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间或底部保留有部分绝缘层的凹槽；CMOS器件，制作于所述绝缘体岛上硅衬底上，且所述CMOS器件的沟道两侧制作于与所述凹槽对应的顶层硅中。本发明在绝缘体岛上硅衬底上制作CMOS器件，所述绝缘体岛上硅衬底的绝缘层对应于制备晶体管沟道两侧的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅之间或底部保留有部分绝缘层的凹槽，以在CMOS器件体区下方设置空洞或挖空区域，可以大大增加后续制备CMOS器件的可靠性。
一种基于绝缘体岛上衬底 cmos 器件结构制备方法

[发明专利]一种图像撷取装置及图像撷取方法-CN201610712703.6在审
发明人：李琛;任铮;张小亮;杨海玲;董林妹 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H04N9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像撷取装置，包括CMOS图像传感器芯片，多个镜头模组以及驱动单元。CMOS图像传感器芯片包括像素阵列但不包括彩色滤镜。多个镜头模组将外部光线滤色并射入CMOS图像传感器芯片上，其中每一个镜头模组包括一片彩色滤光片和位于彩色滤光片下方的一个镜头，多个镜头模组包含红色、绿色和蓝色滤光片。驱动单元驱动多个镜头模组轮流将外部光线滤色为不同色彩的光线并射入CMOS图像传感器芯片，使得CMOS图像传感器芯片分别获取红色、绿色和蓝色的彩色光谱图像。本发明还公开了一种图像撷取方法。由于CMOS传感器芯片上的每一个像素都能收集到红、绿、蓝三种颜色的图像信息，本发明能够有效提高CMOS图像传感器的彩色分辨率。
一种图像撷取装置方法

[发明专利]高速高清CMOS成像系统-CN201510805183.9在审
发明人：隋修宝;陶远荣;陈钱;顾国华;高航;吴健;匡小冬;潘科辰;沈雪薇;刘源;赵耀 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速高清CMOS成像系统，包括镜头、CMOS摄像机和计算机，CMOS摄像机包括电源供电单元、CMOS传感器芯片、FPGA控制单元、高速数据存储单元、CameraLink接口单元、参数存储单元通过采用高速高清CMOS芯片实现了CMOS摄像机1280*1024分辨率，通过采用DDR3高速图像存储单元实时存储高速图像数据，加大了存储容量，增加了数据传输带宽，实现了1280*1024分辨率时帧频为此外，本系统还可通过上位机配置CMOS探测器工作模式等参数，使用简单方便。
高速 cmos 成像系统

[发明专利]用于电路板测试的开关电路及其测试方法-CN201710319716.1在审
发明人：刘桥平 -专利权人：深圳市安硕科技有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供一种用于电路板测试的开关电路，其包括接收测试指令的IO(输入、输出)控制卡、接收IO控制卡指令的系统板及与系统板电性连接的CMOS(互补金属氧化物半导体)开关，所述系统板向CMOS开关提供测量信号，以对待测电路板进行测量，系统板向IO控制卡反馈测试结果，所述CMOS开关通过继电器与待测电路板电性连接，继电器控制CMOS开关与待测电路板的电性连接的连通与断开。本发明所述的用于电路板测试的开关电路，通过继电器连接CMOS开关与待测电路板，在未测量时对待测电路板接地进行放电，释放大电荷的功率信号，以避免测量时大电荷功率信号烧坏CMOS开关，有利于延长CMOS开关的寿命
用于电路板测试开关电路及其方法

[发明专利]一种多目标感知的智能传感器-CN201710895418.7在审
发明人：马清;詹望 -专利权人：河南汇纳科技有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种多目标感知的智能传感器，包括封装衬底，所述封装衬底一端设置有外接端口，所述封装衬底上侧面设置有插入层，所述插入层均匀设置有水平通孔，所述插入层穿设有TSV，所述TSV上端设置微凸块，所述插入层上侧设置有第一CMOS信号处理电路、第二CMOS信号处理电路、RF芯片、物理传感器、处理器和3D内存芯片，所述第二CMOS信号处理电路上侧设置化学传感器，所述第二CMOS信号处理电路与所述化学传感器电连接，所述第一CMOS信号处理电路与所述物理传感器电连接，所述第一CMOS信号处理电路和第二CMOS信号处理电路均与处理器连接，所述处理器还分别连接RF芯片和3D内存芯片；本发明具有集成度高、协同性强、成本低、体积小、稳定可靠的优点。
一种多目标感知智能传感器

[发明专利]可视化定位导管-CN201910232021.9在审
发明人：高科;全懿 -专利权人：上海优益基医用材料有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： A61B1/267 文献下载
摘要：本发明公开了一种可视化定位导管，该导管的先端部结构包括CMOS传感器、电磁定位传感器和工作通道；所述电磁定位传感器位于所述CMOS传感器后端，所述CMOS传感器安置于CMOS传感器固定座内，所述电磁定位传感器安置于电磁定位传感器固定座内；所述CMOS传感器固定座与所述电磁定位传感器固定座通过连接圈连接；CMOS传感器信号线与CMOS传感器连接，电磁定位传感器信号线与电磁定位传感器连接。
定位传感器固定座定位导管可视化信号线玻璃纤维丝产品可靠性可靠性问题成像导管定位误差工作通道制造成本质量问题连接圈先端部安置导管折损成像光纤图像医生

[发明专利]一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法-CN201910724249.X在审
发明人：郭旗;蔡毓龙;李豫东;文林;周东;冯婕;张翔;刘炳凯;傅婧 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于CMOS图像传感器单粒子闩锁效应测试方法，该方法是由被测CMOS图像传感器、CMOS图像传感器测试板、FPGA、PC机、电流电压监测板和电源的测试系统组成，所述方法能够实现评估CMOS在地面模拟空间环境辐照试验中，在线实时采集不同电路单元电流电压值，同时采集暗场图像；依据发生闩锁时获得的暗场图像和不同电路单元电流电压变化，分析发生单粒子闩锁的具体位置和电路模块；本发明实时性强，方法简单快速，可以实时监测CMOS图像传感器单粒子闩锁效应，同时保护CMOS图像传感器发生闩锁后依然能够恢复正常工作，更加准确定位CMOS图像传感器发生单粒子闩锁的电路模块。
单粒子闩锁电流电压电路模块闩锁暗场图像电路单元效应测试地面模拟空间环境在线实时采集测试系统辐照试验实时监测实现评估准确定位测试板单粒子监测板实时性电路电源采集分析

[发明专利]一种基于FD GeOI工艺的新型CMOS反相器及其制备方法-CN202110688281.4在审
发明人：王斌;姚清龙;王立新;宋宇祥;罗昭;张飞翔;韩本光 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FD GeOI工艺的新型CMOS反相器及其制备方法，上述反相器包括采用GeOI衬底的PMOS器件和NMOS器件，PMOS器件与NMOS器件的栅电极相互连接并作为整个CMOS反相器的输入端，PMOS器件与NMOS器件的漏极相互连接并作为整个CMOS反相器的输出端，PMOS器件的源电极接高电源端，NMOS器件的源电极接地；其中，NMOS器件为具有埋层结构的积累模式JLFET，PMOS为常规反型模式的本发明提供的CMOS反相器通过引入具有埋层结构的n型JLFET，使得PMOS器件和n型JLFET器件可采用同功函数的栅极金属，简化了CMOS的栅极设计，降低了工艺复杂度。同时，埋层结构的引入，还可抑制JLFET固有的GIDL效应，并降低了JLFET的阈值电压，有效减少了CMOS的功耗，改善了CMOS性能。
一种基于 fd geoi 工艺新型 cmos 反相器及其制备方法

[发明专利]基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器-CN202110324083.X在审
发明人：翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 -专利权人：北京北方高业科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： G01J5/24 文献下载
摘要：本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器，该像元包括：CMOS测量电路系统和位于其上的CMOS红外传感结构，二者均采用CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；柱状结构采用非金属实心柱，所述非金属实心柱的侧壁由金属材料形成
基于 cmos 工艺红外探测器

[发明专利]基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器-CN202110324092.9在审
发明人：翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 -专利权人：北京北方高业科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器，该像元包括：CMOS测量电路系统和位于其上的CMOS红外传感结构，二者均采用CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；柱状结构包括叠加设置的至少两层立柱；每层立柱均可为实心金属柱
基于 cmos 工艺红外探测器

[发明专利]基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器-CN202110324054.3在审
发明人：翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 -专利权人：北京北方高业科技有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G01J5/24 文献下载
摘要：本公开涉及基于CMOS工艺的红外探测器像元和红外探测器，该像元包括：CMOS测量电路系统和其上的CMOS红外传感结构，采用全CMOS工艺制备；CMOS红外传感结构包括位于CMOS测量电路系统上的反射层、红外转换结构和多个柱状结构，柱状结构位于反射层和红外转换结构之间，反射层包括反射板和支撑底座，红外转换结构通过柱状结构和支撑底座与CMOS测量电路系统电连接；红外转换结构包括吸收板和多个梁结构，吸收板用于将红外信号转换为电信号
基于 cmos 工艺红外探测器