本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法,该方法包括以下步骤:提供一GeOI衬底;在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层,其中,所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1-xAs/GeOI 结合体的临界厚度,x的取值范围为0~1;在该InxGa1-xAs层上外延Ge纳米薄膜层,形成Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体;所述Ge纳米薄膜的厚度与所述GeOI衬底中顶层锗的厚度相等;且不超过Ge/InxGa1-xAs/GeOI结合体的临界厚度;利用光刻以及RIE技术将Ge/InxGa1-xAs/GeOI 结合体进行图形化并得到腐蚀窗口;湿法腐蚀,直至所述埋氧层被腐蚀完全,其余 Ge