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[发明专利]基于交替变换脉冲的CMOS图像数据的训练方法-CN201710886469.3有效
发明人：余达;刘金国;徐东;孔德柱;马庆军;李闻先;张恒 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：基于交替变换脉冲的CMOS图像数据的训练方法，涉及一种CMOS图像数据的训练方法，解决现有CMOS图像数据在传输过程中进行串并转换时获得错误的训练字的问题，训练系统包括CMOS图像传感器和数据处理器两部分组成控制器作为CMOS数据训练系统的核心，控制各部分协调工作。CMOS图像传感器在控制器的控制下，输出串行图数据经iodelay1、iserdes1、数据异步FIFO、gearbox、ram based shifer最终转换为位宽p的并行图像数据。
基于交替变换脉冲 cmos 图像数据训练方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器的单粒子功能中断防护的系统和方法-CN201711460364.8有效
发明人：武星星;杨亮;王灵杰;刘金国;徐东;孔德柱;周怀得 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种CMOS图像传感器的单粒子功能中断防护的系统和相应的方法。该防护的系统包括用于将光信号转换为数字图像信号的CMOS图像传感器，用于接收和处理所述CMOS图像传感器所生成的数字图像信号并且为所述CMOS图像传感器提供预设信号的功能中断防护控制FPGA，用于向所述功能中断防护控制本发明实施例所提的CMOS图像传感器的单粒子功能中断防护的系统和相应的方法，解决了现有的CMOS图像传感器发生单粒子功能中断而导致在该轨道周期空间相机摄影过程中出现图像异常的问题。
一种 cmos 图像传感器粒子功能中断防护系统方法

[发明专利]CMOS图像数据训练系统及图像数据串并转换的仿真检测方法-CN201710627126.5有效
发明人：余达;刘金国;孔德柱;马庆军;朱含;王文华;宁永慧 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：CMOS图像数据训练系统及图像数据串并转换的仿真检测方法，涉及CMOS图像数据的串并转换的仿真检测方法，解决现有CMOS图像传感器采用的各传输通道之间在每次上电无确定的相位关系，给数据的串并转换带来困难等问题，包括CMOS图像传感器和数据处理器；数据处理器内部包含iodelay、iserdes、数据异步FIFO、控制异步FIFO、gearbox、ram based shifer和控制器组成。控制器作为CMOS数据训练系统的核心，控制各部分协调工作。CMOS图像传感器在控制器的控制下，输出串行图数据经iodelay、iserdes、数据异步FIFO、gearbox1:2、ram based shifer最终转换为位宽p的并行图像数据。
cmos 图像数据训练系统转换仿真检测方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810029723.2有效
发明人：王文博;唐粕人;卜伟海;宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-01-12 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括TFET区以及CMOS区；采用第一覆盖层覆盖TFET区，并在第一覆盖层的保护下在CMOS区内形成CMOS轻掺杂漏区，以及进行第一退火工艺处理；去除第一覆盖层，形成TFET栅极侧墙以及CMOS栅极侧墙；在TFET区和CMOS区形成源漏掺杂区，并进行第二退火工艺处理；形成覆盖CMOS区的保护层，在保护层的保护下去除TFET栅极侧墙的至少一部分，
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法-CN201710365036.3有效
发明人：刘刚;李静月;刘锦辉;李苗蕊;王泉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提出了一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法，用于解决现有技术无法同时测量已封装CMOS反相器内部NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的技术问题，实现步骤为：直流电压源为CMOS反相器施加直流电压，同时信号发生器为CMOS反相器施加脉冲信号；双通道示波器同时采集CMOS反相器的输入电压和输出电压；绘制CMOS反相器一个周期的静态电压传输曲线；计算静态电压传输曲线转换点的增益；绘制转换点增益直线；
阈值电压传输曲线静态电压转换点测量绘制数字电路设计双通道示波器施加信号发生器直流电压源测量效率脉冲信号输出电压输入电压通用性强直流电压重合可用封装采集分析

[发明专利]一种CMOS数据清除电路及计算机设备-CN201910566363.4有效
发明人：张雷;王文章;吴志宏;姜建平 -专利权人：无锡睿勤科技有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G06F1/24 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种CMOS数据清除电路及计算机设备，涉及计算机设备技术领域，CMOS数据清除电路包括复位信号输出电路、第一延时模块、第二延时模块、嵌入式控制器、CMOS数据清除模块，复位信号输出电路用于输出复位信号至所述第一延时模块第二延时模块接收到重启信号并延时第二预设时长后，发送清除信号至CMOS数据清除模块，以使清除CMOS芯片中的数据。由于在使用复位键重启嵌入控制器时，使用嵌入控制器的重启信号触发清除CMOS芯片中的数据，仅利用现有按键实现清除功能，避免拆机动作，简化维修或者售后操作流程。
一种 cmos 数据清除电路计算机设备

[发明专利]CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法-CN201710365037.8有效
发明人：刘锦辉;李静月;王泉;刘刚;穆彦廷 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提出了一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法，用于解决现有技术无法同时测量已封装CMOS反相器内部NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的技术问题，实现步骤为：为CMOS反相器施加直流电压，同时为CMOS反相器施加脉冲信号；双通道示波器同时采集CMOS反相器的输入电压和输出电压；绘制CMOS反相器一个周期的脉冲前沿电压传输曲线和脉冲后沿电压传输曲线；计算脉冲前沿电压传输曲线与脉冲后沿电压传输曲线在不同输入电压下的电压放大倍数差值
阈值电压电压传输曲线脉冲后沿脉冲前沿输入电压测量数字电路仿真双通道示波器施加测量效率差值曲线电压放大脉冲信号输出电压通用性强直流电压可用封装绘制采集

[发明专利]一种大面阵CMOS图像传感器的非均匀性校正方法-CN202011135899.X有效
发明人：张贵祥;王士伟;徐伟;陶淑苹 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H04N5/217 文献下载
摘要：本发明涉及一种大面阵CMOS图像传感器的非均匀性校正方法，有效解决了CMOS图像传感器的非均匀性问题，同时减少了参数存储，易于硬件系统的实现，保证了实时性要求。首先在积分球均匀光照下，对CMOS图像传感器进行原始图像采集，并对采集到的图像进行非均匀度计算，得到非均匀度最大值对应的图像，然后根据CMOS图像传感器的结构特点，将大面阵CMOS图像的列进行分组处理，利用分组进行参数求取，最终建立用于对CMOS图像传感器进行非均匀性校正的校正模型。
一种大面 cmos 图像传感器均匀校正方法

[发明专利]一种CMOS接触位移传感器及测量方法-CN202111670500.2有效
发明人：卿定求 -专利权人：广州市合熠智能科技股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS接触位移传感器，属于位移传感器件，包括处理器模块、CMOS图像传感模块、恒流控制模块、输入输出模块、以及为以上各模块供电的电源模块，所述CMOS图像传感模块与所述恒流控制模块电性连接，所述恒流控制模块、所述输入输出模块分别与所述处理器模块电性连接，所述CMOS图像传感模块包括感光单元、用于将所感测的光处理为电信号数据的CMOS逻辑电路和透镜，所述感光单元包括像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑和AD转换器，所述透镜由改性聚甲基丙烯酸甲酯制备得到，所述透镜上设置有增透膜；本发明通过提高透镜折射率进一步提高CMOS接触位移传感器的测量准确度。
一种 cmos 接触位移传感器测量方法

[发明专利]一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法-CN202011166168.1有效
发明人：李婷;何杰;崔双韬;张先娆;徐晚成;张曼;曹天骄;袁昕;李倩敏;时光 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，属于仿真分析领域。一种用于CMOS图像传感器的ADC固有噪声分析方法，包括以下步骤：1)对ADC比较器的翻转进行仿真分析，得出翻转区间偏移；2)计算所述翻转区间偏移分布在ADC计数器的一个时钟周期内的概率和跨越多个时钟周期的概率，并计算由此而引起的CMOS图像传感器噪声电压；3)将所述CMOS图像传感器噪声电压和对应的概率相乘，得到由ADC固有噪声引起的CMOS图像传感器噪声的计算值。本发明的分析方法，确定了由ADC固有噪声而引起CMOS图像传感器的整体噪声，在设计阶段有利于明确设计值是否满足设计要求，为噪声设计改进提供依据。
一种用于 cmos 图像传感器 adc 固有噪声分析方法

[发明专利]一种用于瞄准装置瞄准光消隐的方法及系统-CN201811115589.4有效
发明人：王冬生;魏江涛;张颂来;周小芹 -专利权人：深圳盈达信息科技有限公司
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06K7/10 文献下载
摘要：本发明提供一种用于瞄准装置瞄准光消隐的方法及系统，以消除瞄准光对曝光的影响，该系统包括：主控芯片，具有预设的一帧率；CMOS，用以采集并处理图像信号；瞄准光源，用以发射瞄准光瞄准图像；其中，主控芯片具有一GPIO引脚用以控制瞄准光源发光；主控芯片将帧周期写入CMOS，在一个帧周期内，CMOS将一帧图像信号输入主控芯片，主控芯片分析图像信号并控制瞄准光源的发光时间与图像的曝光时间相错开，主控芯片计算并将下一帧图像的曝光时间写入CMOS。主控芯片直接通过一个通用的GPIO引脚来控制瞄准光源发光，使整个系统适配不具有VSYNC引脚和STROBE引脚的CMOS，提高整个系统的兼容性，使得整个系统对CMOS的选型也大大拓宽。
一种用于瞄准装置光消隐方法系统

[发明专利]全硅基CMOS量子随机数发生装置-CN201910864583.5有效
发明人：夏从俊;夏跃峰;李在光 -专利权人：弦海（上海）量子科技有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：全硅基CMOS量子随机数发生装置，使用标准CMOS工艺在硅衬底上制造芯片内置模块包括：硅基LED(4)、CMOS传感器(3)、处理器(5)和LED控制电路(6)，以随机的光子数作为随机源，在单片集成电路中实现量子真随机数发生系统使用标准CMOS工艺，方便将全部组成部分集成制造在硅基衬底上，通过提高CMOS传感器的探测频率和增加CMOS传感器的像素数量来提高随机数的输出速率；提供与已知技术的随机数生成器相比，制造真随机数生成器，
全硅基 cmos 量子随机数发生装置

[发明专利]一种非制冷红外探测器的制备方法及非制冷红外探测器-CN202111192830.5有效
发明人：翟光杰;武佩;潘辉;翟光强 -专利权人：北京北方高业科技有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种非制冷红外探测器的制备方法及非制冷红外探测器，制备方法包括采用CMOS工艺制备CMOS测量电路系统和CMOS红外传感结构；制备CMOS红外传感结构包括采用RDL工艺在CMOS测量电路系统的顶层金属上制备第一金属互连层或者以CMOS测量电路系统的顶层金属作为第一金属互连层；在第一互连柱上方沉积第三金属互连层以形成梁结构；采用通孔工艺和CMP平坦化工艺制备第二互连柱，沉积第四金属互连层和第二介质层以形成吸收板。
一种制冷红外探测器制备方法

[发明专利]一种镜头图像传感器CMOS安装调节装置及方法-CN202310686572.9有效
发明人：王立强;郑婉;肖举林;王润程;田清;杨青 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02B23/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种镜头图像传感器CMOS安装调节装置及方法，包括：第一平面度与角度调节装置和第二平面度与角度调节装置；第一平面度与角度调节装置与第一XYZ方向位移调节装置连接，第一XYZ方向位移调节装置上安装有镜头固定装置以此固定镜头，镜头上连接有变焦拉丝；第二平面度与角度调节装置与第二XYZ方向位移调节装置，第二XYZ方向位移调节装置上安装有CMOS夹持装置来夹持镜头图像传感器CMOS；调节平面度与角度调节装置和XYZ方向位移调节装置以改变镜头与镜头图像传感器CMOS之间的相对位置，调节变焦拉丝，当镜头图像传感器CMOS成像的图像居中且清晰时，将镜头图像传感器CMOS固定于镜头上。
一种镜头图像传感器 cmos 安装调节装置方法

[发明专利]具有双立体相机的测距设备-CN201010211458.3无效
发明人：李炳洙 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2010-06-23 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：一种具有双立体相机的测距设备，包括第一立体相机，包括设置在一个板上的左CMOS图像传感器和右CMOS图像传感器，检测参照物的视差以提取距离信息，所述左CMOS图像传感器与所述右图像传感器分隔预定的间隔；第二立体相机，与所述第一立体相机分隔预定的距离，包括设置在一个板上的左CMOS图像传感器和右CMOS图像传感器，检测参照物的视差以提取距离信息，所述左CMOS图像传感器与所述右图像传感器分隔预定的间隔；
具有立体相机测距设备