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[发明专利]一种具有埋层结构的n型TFET器件及其制备方法-CN202010537107.5有效
发明人：王斌;陈睿;罗昭;蔺孝堃;陈瑶;胡辉勇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有埋层结构的n型TFET器件及其制备方法，所述n型TFET器件包括：衬底；衬底表面设有源区、漏区以及沟道区；其中，源区和漏区分别位于沟道区的两端；沟道区下方设置有埋层，埋层起始于沟道区与源区的交界处，且埋层的长度小于沟道区的长度；沟道区上方设有栅极结构；栅极结构包括栅电极以及位于栅电极和沟道区之间的栅介质层；源区和漏区上分别对应设有源电极和漏电极。本发明提供的n型TFET器件降低了对栅极金属功函数的要求，使器件阈值电压得到降低，GIDL效应得到抑制；同时，由于衬底隧穿结的引入，增大了器件的隧穿面积，提升了开态电流，提高了器件性能。
一种具有结构 tfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种多级流化床串联的一氧化二氯连续生产系统及生产方法-CN201810629434.6有效
发明人：韩向阳;罗秋生;张长香;罗昭;唐能敏;羊学友 -专利权人：四川晨光工程设计院有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C01B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多级流化床串联的一氧化二氯连续生产系统及生产方法，包括多级串联的流化床，所述流化床按照由高到低的依次设置，且每一级流化床均连接有旋风分离器，所述流化床内设置有搅拌桨，搅拌桨上设置有导流片，通过搅拌桨的搅拌和反应气的配合实现固体物料的流态化，且通过搅拌桨及导流片的作用使反应气形成螺旋上升的气流，从而降低设备的能耗，同时避免固体物料板结；本发明的固体物料从上至下流动，而反应气从下至上运动，从而大大提高固体物料与反应气的接触时间，提高物料的转化率机产品的产率；本发明具有物料转化率高，动力消耗低、固体物料不易板结等优点。
一种多级流化床串联氧化连续生产系统生产方法

[实用新型]一种密封性能高的转炉托圈供气装置-CN202220774989.1有效
发明人：何潮;李新都;王科;饶强;罗昭 -专利权人：四川罡宸不锈钢有限责任公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C21C5/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及炼钢转炉技术领域，且公开了一种密封性能高的转炉托圈供气装置，包括炉体、以及设置在炉体两侧的旋转接头，所述旋转接头与炉体之间的连接出均固定安装有密封组件，所述密封组件包括断裂面上设置的密封垫、以及用于连接固定断裂面的螺栓和垫圈。该密封性能高的转炉托圈供气装置，通过在各个连接部分增加密封垫、然后通过螺栓和垫圈进行连接，从而可以提高来连接处的密封性，增加了供气的稳定性，保证了提供的气体全部可以进入到炉体中，同时在设置了弯曲连通管和法兰连接金属软管，可以让气体在进入到炉体中时，不会在高温气压的影响下，出现气流回流的现象，增加了供气的稳定性，提高了冶炼的质量。
一种密封性能转炉供气装置

[实用新型]一种便于炉体更换的托圈-CN202220817665.1有效
发明人：何潮;胡显东;罗昭;饶强;高雷 -专利权人：四川罡宸不锈钢有限责任公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C21C5/46 文献下载
摘要：本实用新型涉及锅炉连接装置技术领域，具体是一种便于炉体更换的托圈，包括托圈本体，托圈本体内壁设置有锅炉，托圈本体上设置有通孔，通孔共设有多个，托圈本体顶部固定连接有围板，围板共设有多个，托圈本体外壁固定连接有滑槽板，滑槽板共设有两个，托圈本体底部固定连接有调节板，调节板上设置有调节孔，调节孔共设有多个，托圈本体底部固定连接有紧固机构，紧固机构包括有连接板以及紧固板，连接板与托圈本体固定连接，连接板共设有三个，连接板上贯穿连接有转杆，转杆两端贯穿连接有转板，转板共设有多个，本实用新型通过转板和转杆的配合，使紧固板与锅炉底部贴合，从而对锅炉进行支撑，避免锅炉与托圈本体松动，导致脱落。
一种便于更换

[实用新型]一种便于转动的耳轴炉体-CN202220842634.1有效
发明人：何潮;李新都;王科;饶强;罗昭 -专利权人：四川罡宸不锈钢有限责任公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C21C5/46 文献下载
摘要：本实用新型属于转炉技术领域，尤其为一种便于转动的耳轴炉体，包括炉体，所述炉体的外侧套接有托圈，所述托圈的外侧固定安装有存储室，所述托圈的两侧均固定安装有转动机构，所述转动机构的外侧固定安装有连接轴，所述连接轴的外侧固定安装有驱动机构。该一种便于转动的耳轴炉体，通过设置有固定轴、托圈、炉体，操作者通过驱动机构带动转动机构转动，转动机构通过托圈带动炉体转动，在转动的过程中，炉体发生倾斜，此时重力块的顶部在固定轴上转动，重力块会在导向轨道上滑动，并挤压伸缩囊，使得伸缩囊内的润滑液被挤出，并通过连接管流向转动机构内，达到对装置的润滑效果，降低转动阻力，节约能源。
一种便于转动耳轴炉体

[实用新型]一种实现炉体转动的倾动装置-CN202220774975.X有效
发明人：何潮;李新都;胡显东;饶强;罗昭 -专利权人：四川罡宸不锈钢有限责任公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： C21C5/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及炼钢炉技术领域，且公开了一种实现炉体转动的倾动装置，包括用于炼钢的炼钢炉体、以及套设在炼钢炉体两侧的固定环，所述固定环上固定安装有对称分布的限位块，且在炼钢炉体的两侧固定安装有与限位块接触的限位板，所述限位块分布在限位板的异侧端面上；所述固定环上固定安装有一组对称分布的卡位板，所述炼钢炉体在炉口处设置有顶盖，所述卡位板的内部开设有固定顶盖的限位槽。该实现炉体转动的倾动装置，通过将顶盖上的两个限位块与限位板相对应，然后旋转使限位块靠近限位板，此时在顶盖上的两个卡位板会进入到限位槽中，从而实现了顶盖的固定效果，再配合上拉环机构可以实现在炼钢炉体密封条件下，进行倾动炼钢的效果。
一种实现转动倾动装置

[发明专利]一种节镍型奥氏体不锈钢材料及制备方法-CN202210354057.6在审
发明人：何潮;曹建兴;罗昭;胡平;胡显东 -专利权人：四川罡宸不锈钢有限责任公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C22C38/58 文献下载
摘要：本发明属于冶金领域，提供了一种节镍型奥氏体不锈钢材料及制备方法，主旨在于解决电解锰影响铸坯质量，以及该材料属于亚包晶钢，会发生包晶反应，板坯在凝固过程中会产生很大的线收缩，引起坯壳冷却不均匀，产生纵裂、横裂等连铸坯质量缺陷的问题。主要方案包括按重量百分比计，C：0.01‑0.15％、Ni：1.00‑1.30％、Cr：13.00‑13.50％、Mn：9.00‑9.50％、Cu：0.20‑0.35％、Si：0.20‑0.40％、P：≤0.045％、S：≤0.010％、N：0.13‑0.18％，余量由Fe和杂质构成。向LF精炼炉加入电解锰时，在将电解锰加入到LF精炼炉、GOR转炉前，对电解锰进行烘烤，烘烤时间＞180min，烘烤温度＞150℃。
一种节镍型奥氏体不锈钢材料制备方法

[发明专利]一种便于炉体更换的托圈-CN202210382981.5在审
发明人：何潮;胡显东;罗昭;饶强;高雷 -专利权人：四川罡宸不锈钢有限责任公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C21C5/46 文献下载
摘要：本发明涉及锅炉连接装置技术领域，具体是一种便于炉体更换的托圈，包括托圈本体，托圈本体内壁设置有锅炉，托圈本体上设置有通孔，通孔共设有多个，托圈本体顶部固定连接有围板，围板共设有多个，托圈本体外壁固定连接有滑槽板，滑槽板共设有两个，托圈本体底部固定连接有调节板，调节板上设置有调节孔，调节孔共设有多个，托圈本体底部固定连接有紧固机构，紧固机构包括有连接板以及紧固板，连接板与托圈本体固定连接，连接板共设有三个，连接板上贯穿连接有转杆，转杆两端贯穿连接有转板，转板共设有多个，本发明通过转板和转杆的配合，使紧固板与锅炉底部贴合，从而对锅炉进行支撑，避免锅炉与托圈本体松动，导致脱落。
一种便于更换

[发明专利]一种视频编码方法、介质及电子设备-CN202210042341.X在审
发明人：郑晓明;谭贤波;罗昭;门硕 -专利权人：安谋科技（中国）有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H04N19/182 文献下载
摘要：本申请涉及视频编码技术领域，特别涉及一种视频编码方法、介质及电子设备。该方法包括：图像信号处理器获取第一视频数据；图像信号处理器对第一视频数据中的各帧图像进行图像处理得到第二视频数据，并将图像处理过程中得到的中间参数存储于存储器中；视频处理单元从图像信号处理器获取第二视频数据，从存储器获取中间参数，并基于获取的中间参数对第二视频数据进编码。如此，视频处理单元可以直接从存储器中获取中间参数，减少了视频处理单元重新计算运动矢量这种在图像信号处理器中图像信号处理器已经计算过的中间参数，降低了视频编码时长，提高了视频编码效率。
一种视频编码方法介质电子设备

[实用新型]一种用于不锈钢酸洗的冲淋装置-CN202120854138.3有效
发明人：何潮;李蕤杉;李小彬;罗昭;刘乐平;陈逸 -专利权人：四川罡宸不锈钢有限责任公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： B21B45/02 文献下载
摘要：本实用新型属于不锈钢生产技术领域。基于刷洗设备喷嘴不能始终保持最佳喷射角度的问题，本实用新型提供了一种冲淋装置，用于刷洗酸洗后的热轧不锈钢。本装置包括机架；刷洗机构，喷淋机构；所述刷洗机构具有上刷洗辊，下刷洗辊，轴承座，电机和气缸；上刷洗辊和下刷洗辊外周分布有毛刷，两端由轴承座固定支撑，在气缸的驱动下，可在机架内上下移动；喷淋机构安装于所述刷洗机构前方，具有喷淋管和喷嘴，喷淋管和轴承座固定连接，喷嘴分布在喷淋管上；其中，所述不锈钢从上刷洗组件和下刷洗组件通过。该装置喷淋管可跟随刷辊的上下移动而移动，保证喷嘴始终保持最佳的喷射角度。
一种用于不锈钢酸洗装置

[实用新型]一种酸洗刷洗机的挡水装置-CN202120793238.X有效
发明人：何潮;李蕤杉;李小彬;罗昭;刘乐平;陈逸 -专利权人：四川罡宸不锈钢有限责任公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23G3/02 文献下载
摘要：本实用新型属于酸洗刷洗设备领域。基于当前酸洗刷洗机在换辊时容易卡阻的问题，本实用新型提供了一种酸洗刷洗机的挡水装置，包括导杆，有两根，水平安装在刷洗机内，分别位于辊体的上、下方，并垂直于辊体；左拉板和右拉板，左拉板和右拉板相对的一侧在同一水平位置具有一半圆弧形孔结构，和辊体适配；其中，导杆相对辊体一侧开设有滑槽，左拉板和右拉板的上、下面均设置有滑块，滑块和滑槽适配，沿滑槽滑动；挡水环，挡水环固定在所述辊体上，位于远离辊体端部的左、右拉板的一侧，并临近左、右拉板；卡板，卡板设置在左拉板和右拉板上，用于固定左拉板和右拉板。该装置密封效果好，且不会影响换辊操作。
一种酸洗刷洗装置

[实用新型]一种酸洗废水坑曝气装置-CN202120793414.X有效
发明人：何潮;雍小平;刘克恩;罗昭;黄勇;李模俊 -专利权人：四川罡宸不锈钢有限责任公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C02F7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种酸洗废水坑曝气装置，包括进气管道及“囗”字型管道，进气管道与压缩供气站相连接，“囗”字型管道与进气管道连通、布置在废水坑底部四周，“囗”字型管道上设有多个支管，分别朝向“囗”字型管道所围成的内部区域；每个支管上依次连接有第二阀门、喷气管。本实用新型通过“囗”字型管道上设置的多个支管向废水坑底部喷射压缩空气，从而对废酸中的淤泥进行冲击、搅拌，实现曝气，淤泥不会大量堆积，防止废水坑内自吸泵和管道堵塞的现象出现，进而有利于废水坑内自吸泵能够顺畅地将废酸水抽到废水处理站处理，保证长期运行，提高了酸洗生产效率。
一种酸洗水坑装置

[实用新型]酸洗循环罐底部曝气和返冲水装置-CN202120793526.5有效
发明人：何潮;雍小平;刘克恩;黄勇;李小彬;罗昭 -专利权人：四川罡宸不锈钢有限责任公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C23G3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种酸洗循环罐底部曝气和返冲水装置，涉及酸洗技术领域。本实用新型包括循环罐，所述循环罐上设有排酸管，所述排酸管上设有压缩空气管和工业水管，所述压缩空气管和工业水管上皆设有截止阀、气动阀及止回阀。
酸洗循环底部冲水装置

[发明专利]一种具有同质栅极金属的新型CMOS反相器及其制备方法-CN202110686635.1在审
发明人：王斌;宋宇祥;罗昭;姚清龙;王立新;周圣均;韩本光 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有同质栅极金属的新型CMOS反相器及其制备方法，该反相器包括设置于衬底上的p型JLFET以及n型MOSFET，p型JLFET与n型MOSFET之间通过浅槽沟道隔离结构隔离开，p型JLFET与n型MOSFET的栅电极相互连接并作为CMOS反相器的输入端，p型JLFET与n型MOSFET的漏极相互连接并作为CMOS反相器的输出端，p型JLFET的源电极接高电源端，n型MOSFET的源电极接地；其中，p型JLFET是具有埋层结构的积累模式JLFET。本发明通过引入具有埋层结构的p型JLFET，改善了反相器中n型器件和p型器件的对称性问题，使得反相器的转换性能更优秀；同时，还可以使n型器件和p型器件采用相同功函数的栅极金属，简化了栅极设计，降低了工艺复杂度。
一种具有同质栅极金属新型 cmos 反相器及其制备方法

[发明专利]一种基于FD GeOI工艺的新型CMOS反相器及其制备方法-CN202110688281.4在审
发明人：王斌;姚清龙;王立新;宋宇祥;罗昭;张飞翔;韩本光 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FD GeOI工艺的新型CMOS反相器及其制备方法，上述反相器包括采用GeOI衬底的PMOS器件和NMOS器件，PMOS器件与NMOS器件的栅电极相互连接并作为整个CMOS反相器的输入端，PMOS器件与NMOS器件的漏极相互连接并作为整个CMOS反相器的输出端，PMOS器件的源电极接高电源端，NMOS器件的源电极接地；其中，NMOS器件为具有埋层结构的积累模式JLFET，PMOS为常规反型模式的MOSFET。本发明提供的CMOS反相器通过引入具有埋层结构的n型JLFET，使得PMOS器件和n型JLFET器件可采用同功函数的栅极金属，简化了CMOS的栅极设计，降低了工艺复杂度。同时，埋层结构的引入，还可抑制JLFET固有的GIDL效应，并降低了JLFET的阈值电压，有效减少了CMOS的功耗，改善了CMOS性能。
一种基于 fd geoi 工艺新型 cmos 反相器及其制备方法

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