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[发明专利]瞬时电压抑制装置-CN202210907230.0在审
发明人：陈致维;林冠宇;林昆贤 -专利权人：晶焱科技股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种瞬时电压抑制装置，其包括至少一个P型轻掺杂结构与至少一个静电放电结构。静电放电结构包括一N型轻掺杂阱区、一N型阱区、一第一P型重掺杂区与一第一N型重掺杂区。N型轻掺杂阱区位于P型轻掺杂结构中，N型阱区位于N型轻掺杂阱区中，N型轻掺杂阱区的掺杂浓度小于N型阱区的掺杂浓度。第一P型重掺杂区位于N型阱区中，第一N型重掺杂区位于P型轻掺杂结构中。
瞬时电压抑制装置

[发明专利]半导体功率器件的终端结构及其制作方法-CN201711299152.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述半导体功率器件包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延层表面第一P型注入区、形成于所述第一层N型外延上的第二层N型外延、贯穿所述第二N型外延的第二P型注入区、形成于所述第二层N型外延上的第三层N型外延、形成于所述第三层N型外延的第三P型注入区、形成于所述第三层N型外延的第四N型外延、形成于所述第四N型外延表面的第四P型注入区、第五P型注入区、及N型注入区、贯穿所述第四P型注入区及所述第四层N型外延且延伸至所述第三P型注入区中的沟槽、及形成于所述沟槽中的多晶硅。
半导体功率器件终端结构及其制作方法

[发明专利]激光器芯片及激光器-CN202310677303.6在审
发明人：颜同伟;毕萌凡;曾越;黄少华;张中英 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明涉及激光器技术领域，特别涉及一种激光器芯片，其包括基底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、绝缘层、N型电极和P型电极，N型半导体层位于基底的上表面，有源层位于N型半导体层上，有源层包括在N型半导体层上依次层叠的第一波导层、量子阱层和第二波导层，P型半导体层位于有源层上，绝缘层覆盖N型半导体层、有源层和P型半导体层，绝缘层具有开口，开口露出P型半导体层，N型电极位于基底的下表面，P型电极通过开口连接P型半导体层，其中，基底包括第一N型掺杂层和第二N型掺杂层，第二N型掺杂层位于第一N型掺杂层和N型电极之间，第二N型掺杂层的掺杂浓度高于第一N型掺杂层的掺杂浓度。
激光器芯片

[发明专利]一种940nm反极性红外LED外延片及其制备方法-CN202210227881.5有效
发明人：王苏杰;董耀尽;林晓珊;杨祺;宁如光;熊欢 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种940nm反极性红外LED外延片及其制备方法，所述LED外延片从下往上依次生长N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、N型电极保护层、N型电流扩展层、N型限制层、N侧空间层、发光有源层、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型过渡层、P型欧姆接触层；在所述N型电流扩展层之前，预先生长一层N型过渡层；所述N型电流扩展层从下往上依次生长有超低速N型电流扩展层、低速N型电流扩展层、中速N型电流扩展层、高速N型电流扩展层。
一种 940 nm 极性红外 led 外延及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN201510092967.1在审
发明人：松下宪一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置包含：半导体衬底，包含第1面、及与第1面对向的第2面；第一p型半导体区域，选择性地设置在第1面侧；第一n型半导体区域，设置在第2面侧；第二n型半导体区域，设置在第一p型半导体区域与第一n型半导体区域之间，且n型杂质浓度比第一n型半导体区域低；第三n型半导体区域，设置在第一p型半导体区域与第二n型半导体区域之间，且n型杂质浓度比第二n型半导体区域低；第四n型半导体区域，设置在第一n型半导体区域与第二n型半导体区域之间，n型杂质浓度比第二n型半导体区域低，且载流子寿命比第三n型半导体区域长；阳极电极；及阴极电极。
半导体装置

[发明专利]利用同型结监控N型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法-CN201410357242.6有效
发明人：范荣伟;陈宏璘;龙吟;倪棋梁;刘飞珏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了利用同型结监控N型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法，该监控结构包括光阻区和N型轻掺杂离子注入区，N型轻掺杂离子注入区由N型阱‑N型轻掺杂离子阱结构构成，包括N型阱、N型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于N型轻掺杂离子阱的接触孔；光阻区仅由N型阱构成，包括N型阱、栅极、介质层，以及对应于N型阱的接触孔；经正电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生亮度变化的接触孔的数据即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中N型轻掺杂离子注入对准度的实时监控，避免N型轻掺杂离子注入到PMOS的N型阱中而导致漏电现象的发生。
利用监控掺杂离子注入对准结构方法

[实用新型]一种N型多接口快速切换装置-CN202222524657.0有效
发明人：董晨;王文琦 -专利权人：安吉企蓝通信技术有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01R27/00 文献下载
摘要：本实用新型属于连接器技术领域，提供了一种N型多接口快速切换装置，包括：N型母头总连接筒、N型母头、N型公头；N型母头总连接筒的一端内部连接有多种信号频率的电缆，N型公头的一端连接有单种信号频率的电缆，N型母头设置有多组且摆动式设置在N型母头总连接筒另一端，通过在N型母头总连接筒上设置有多个进行摆动的连接有不同信号频率的N型母头，然后通过连接的电缆信号频率的不同，选择相同频率的N型公头与N型母头连接，实现提供一种多个接口的N型母头总连接筒与N型公头配合，实现不同工作频率电缆的快速切换连接。
一种接口快速切换装置

[发明专利]含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器-CN200610144306.X有效
发明人：王青;何国荣;渠红伟;韦欣;宋国峰;陈良惠 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-12-01 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种含有高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器，包括：一热沉；一散热片，该散热片制作在热沉上；一上N型电极，该上N型电极制作在散热片上的中间处；一上N型DBR层，该上N型DBR层为一倒梯形，该上N型DBR层制作在上N型电极上；一高铝组分氧化限制层，该高铝组分氧化限制层位于上N型DBR层中间的两侧；一绝缘层，该绝缘层制作在上N型DBR层的外侧；一光学谐振腔，该光学谐振腔制作在上N型DBR层上；一下N型DBR层，该下N型DBR层制作在光学谐振腔上；一衬底，该衬底制作在下N型DBR层上；一下N型电极，该下N型电极制作在衬底上，该下N型电极的中间形成一出光窗口。
掺杂隧道垂直发射激光器

[发明专利]N型双面电池及其制备方法-CN201610383582.5在审
发明人：黄纪德;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本申请公开了一种N型双面电池的制备方法，包括：S1：对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀，并去除损伤层，使得N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层；S2：在炉管中对N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层，作为N型双面电池的正面；S3：去除硼硅玻璃，并在N型双面电池的正面制作掩膜；S4：在炉管中对N型硅片衬底的另一面进行磷扩散小形成N+层，作为N型双面电池的背面；S5：去除边结、磷硅玻璃以及N型双面电池的正面制作的掩膜；S6：分别在N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极，获得N型双面电池。N型双面电池的制备方法提高了N型双面电池的光利用率和光电转换效率。本申请还公开了一种N型双面电池。
双面电池及其制备方法

[实用新型]一种新型的高压槽栅MOS器件-CN202121123899.8有效
发明人：陈利;陈彬;陈译 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的高压槽栅MOS器件，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型多晶硅源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，氧化层，栅极多晶硅区；漏极电极设在N型重掺杂衬底下表面，N型重掺杂衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区、N型轻掺杂区和槽栅结构区，N型轻掺杂区和槽栅结构区设在P型阱区之间，N型轻掺杂区上设P型掺杂区，P型掺杂区上设N型重掺杂源极区；另一个P型阱区上设N型重掺杂源极区，在P型阱区上设P型多晶硅源极区；槽栅结构区包括氧化层和栅极多晶硅区，栅极多晶硅区上设栅极电极，P型多晶硅源极区和N型重掺杂源极区上设源极电极。
一种新型高压 mos 器件

[发明专利]一种TVS器件及其制作方法-CN202210799508.7在审
发明人：侯旎璐 -专利权人：工业和信息化部电子第五研究所华东分所
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：TVS器件包括：N型衬底；设置于所述N型衬底一侧的N型埋层；设置于所述N型埋层远离所述N型衬底一侧的N‑外延层；所述N‑外延层中设置有P阱和至少一个N型深阱，所述N型深阱贯穿所述N‑外延层，所述P阱远离所述N型衬底的表面与所述N‑外延层远离所述N型衬底的表面平齐，且所述P阱的深度小于所述N‑外延层的厚度；所述N型深阱和所述P阱中均设置有N+区，所述N+区与所述N型深阱和所述P阱远离所述N型衬底的表面平齐，且所述N+区的深度小于所述P阱的深度。
一种 tvs 器件及其制作方法

[实用新型]一种带埋层的垂直霍尔器件结构-CN202221943524.0有效
发明人：何生生;张仁辉;高博;李泽宏 -专利权人：贵州雅光电子科技股份有限公司;贵州恒芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10N52/80 文献下载
摘要：本申请公开了一种带埋层的垂直霍尔器件结构，用于增加N阱底部的电子浓度，提高垂直霍尔器件结构的灵敏度。本申请包括：P型衬底、N阱及N型重掺杂埋层；所述N阱中设置有N型扩散区和P型扩散区，所述N型扩散区与所述P型扩散区相互交替排列，所述N阱、所述N型扩散区及所述P型扩散区共同形成霍尔效应区域；所述N阱设置在所述P型衬底中，所述N型重参杂埋层位于所述N阱的底部与所述P型衬底之间，且分别与所述底部及所述P型衬底接触。
一种带埋层垂直霍尔器件结构

[实用新型]一种浅沟道超结MOS半导体功率器件-CN202022095236.1有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浅沟道超结MOS半导体功率器件，该器件包括：N型重掺杂衬底，在N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂漂移区，在N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂区和P型阱区，该N型重掺杂区设置在P型阱区中间，在P型阱区上且靠近N型重掺杂区的N型轻掺杂区，在N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，在远离栅结构区的N型重掺杂源区一侧相邻接的P型重掺杂源区，在P型阱区和N型重掺杂区上的栅结构区，该栅结构区采用多晶硅材料和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出源极，栅结构引出栅极，N型重掺杂衬底下表面引出漏极。该器件通过N型轻掺杂区可以有效地减小栅沟道的比导通电阻，通过超结结构可以提高该器件的开关速度。
一种沟道 mos 半导体功率器件

[发明专利]一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法-CN202210088228.5有效
发明人：刘海生;刘兴强;段鑫沛;林均;于致铭;罗鹏飞 -专利权人：湖南大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种突变NN型结型场效应晶体管及其制备方法，包括硅衬底、第一N型半导体薄膜、第二N型半导体薄膜和金属电极；第一N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜，第二N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜；或第一N型半导体薄膜为β型氧化镓薄膜，第二N型半导体薄膜为二维的二硫化钼薄膜；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜设于所述硅衬底上；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜交叉设置；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜相交位置形成突变NN型异质结；第一N型半导体薄膜和第二N型半导体薄膜的两端均设有金属电极；构成了适合应用于逻辑电路中且性能稳定的结型场效应晶体管。
一种突变 nn 型结型场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]具有接触层的发光二极管-CN201720802428.7有效
发明人：李熙燮;崔承奎;金材宪 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有接触层的发光二极管，所述发光二极管包括下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于下部n型半导体层上部；p型半导体层，夹设于下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于下部n型半导体层与p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于高浓度p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与下部n型半导体层接触；第二接触层，与上部n型半导体层接触，第一接触层和第二接触层包括与下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。
具有接触发光二极管