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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201911305595.0有效
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V‑坑；活性层，置于第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间，V‑坑穿过活性层；高电阻填充层，置于活性层与第二导电型半导体层之间并填充V‑坑，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V‑坑的起点的V‑坑产生层。
半导体装置

[发明专利]半导体元件-CN201911298492.6有效
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体元件。所述半导体元件包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，贯通所述第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上且填充所述V‑坑，其中，所述第一上导电型半导体层具有比所述第一下导电型半导体层高的缺陷密度。
半导体元件

[发明专利]氮化物半导体元件-CN201911298684.7在审
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：公开了一种氮化物半导体元件。所述氮化物半导体元件包括：N型氮化物半导体层；低温成长层，位于所述N型氮化物半导体层上部，且在比所述N型氮化物半导体层的温度下成长；活性层，位于所述低温成长层的上部，且形成有V‑坑；高电阻填充层，位于所述活性层的上部，且填充所述V‑坑；P型氮化物半导体层，位于所述高阻抗填充层的上部，其中，所述高电阻填充层具有未掺杂层和掺杂层交替地堆叠一次以上，使得空穴通过所述V‑坑的内部倾斜表面被注入到活性层中。
氮化物半导体元件

[发明专利]氮化物半导体元件-CN201911305897.8在审
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：公开了一种氮化物半导体元件。所述氮化物半导体元件包括：n型氮化物半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；超晶格层，位于所述n型氮化物半导体层上部；低浓度掺杂层，位于所述超晶格层上部；高浓度势垒层，位于所述低浓度掺杂层上部，相比于所述低浓度掺杂层而Si以更高浓度掺杂；活性层，位于所述高浓度势垒层上部；p型氮化物半导体层，位于所述活性层上部，其中，所述低浓度掺杂层的掺杂浓度小于所述高浓度势垒层和所述n型氮化物半导体层的掺杂浓度，V‑坑跨过所述超晶格层，低浓度掺杂层、高浓度掺杂层和活性层而形成。
氮化物半导体元件

[发明专利]半导体装置-CN201911307161.4在审
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V‑坑；活性层，置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V‑坑穿过活性层，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V‑坑的起点的V‑坑产生层，其中，低浓度掺杂层置于V‑坑产生层与活性层之间，并且掺杂有Si的高浓度势垒层置于低浓度掺杂层与活性层之间。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410589701.3有效
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V‑坑；以及活性层，插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V‑坑穿过活性层，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V‑坑的起点的V‑坑产生层。半导体装置包括具有大尺寸和高密度的V‑坑，从而有效地防止由于静电放电导致的对半导体装置的损坏。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]制造半导体发光器件的方法-CN201410503734.1有效
发明人： 崔承奎;郭雨澈;金材宪;郑廷桓;张三硕 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：公开的是一种制造半导体发光器件的方法。制造半导体发光器件的方法包括：准备具有缺陷聚集区的生长基板；在生长基板上生长第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上生长第二氮化物半导体层；在第二氮化物半导体层上生长第三氮化物半导体层；在第三氮化物半导体层上生长活性层；以及在活性层上形成第二导电型半导体层。因此，生长在模板上的半导体层可具有优异的结晶度。
制造半导体发光器件方法

[发明专利]制造非极性氮化镓基半导体层的方法、非极性半导体器件及其制造方法-CN201380015737.4有效
发明人： 崔承奎;金材宪;郑廷桓 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：提供了一种制造非极性氮化镓基半导体层的方法。所述方法是利用金属有机化学气相沉积来制造非极性氮化镓层的方法，所述方法包括：在室内设置具有m面生长表面的氮化镓基底；通过加热基底将基底温度升高到GaN生长温度；以及通过在生长温度下将Ga源气体、N源气体和环境气体提供到室中在氮化镓基底上生长氮化镓层。提供的环境气体包含N2而不包含H2。通过切断H2的供给，防止在基底生长表面上的各向异性蚀刻，从而引起氮化镓层的表面形态的改善。 1
非极性氮化镓基底半导体层氮化镓基环境气体生长表面源气体制造金属有机化学气相沉积各向异性蚀刻生长氮化镓层半导体器件表面形态氮化镓层生长非极性加热室内

[实用新型]具有接触层的发光二极管-CN201720802428.7有效
发明人：李熙燮;崔承奎;金材宪 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有接触层的发光二极管，所述发光二极管包括下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于下部n型半导体层上部；p型半导体层，夹设于下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于下部n型半导体层与p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于高浓度p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与下部n型半导体层接触；第二接触层，与上部n型半导体层接触，第一接触层和第二接触层包括与下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。
具有接触发光二极管

[发明专利]生长氮化镓基半导体层的方法及用其制造发光器件的方法-CN201380064627.7在审
发明人： 崔承奎;郭雨澈;金材宪;郑廷桓 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例涉及一种通过金属有机化学气相沉积来生长氮化镓基半导体层的方法，所述方法包括：在腔室中设置基板；在第一腔室压强下在基板上生长第一导电型氮化镓基半导体层；在比第一腔室压强高的第二腔室压强下在第一导电型氮化镓基半导体层上生长氮化镓基活性层；以及在比第二腔室压强低的第三腔室压强下在活性层上生长第二导电型氮化镓基半导体层。
生长氮化半导体方法制造发光器件

[实用新型]半导体装置-CN201420631994.2有效
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V-坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V-坑；以及活性层，插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V-坑穿过活性层，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V-坑的起点的V-坑产生层。半导体装置包括具有大尺寸和高密度的V-坑，从而有效地防止由于静电放电导致的对半导体装置的损坏。
半导体装置

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201180012486.5有效
发明人：金光中;韩昌锡;崔承奎;南基范;金南润;金景海;尹柱衡;芮暻熙 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-01-03 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。根据本发明的一个实施例的发光二极管包括：硅掺杂的n型接触层；p型接触层；有源区域，设置在n型接触层和p型接触之间；超晶格层，设置在n型接触层和有源区域之间；未掺杂中间层，设置在超晶格层和n型接触层之间；电子增强层，设置在未掺杂中间层和超晶格层之间。仅超晶格层的与有源区域最接近的最后一层用硅特意地掺杂，最后一层的硅掺杂浓度比n型接触层的硅掺杂浓度高。接近有源区域设置的超晶格层的几乎全部的层未用硅特意地掺杂，从而能够减少泄漏电流。超晶格层的最接近有源区域的最后一层用高浓度硅掺杂，从而防止结合特性劣化并改善静电放电特性。
发光二极管及其制造方法

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