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- [实用新型]一种静电保护器件-CN201921870091.9有效
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张泽飞;郭朝亮
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上海类比半导体技术有限公司
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2019-11-01
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2020-05-12
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H01L29/06
- 本申请公开了一种静电保护器件，包括：P型衬底及N型掺杂埋层；相邻的第一N型阱区、第一P型阱区、第二N型阱区、第二P型阱区及第三N型阱区；位于第一N型阱区中的第一N型重掺杂区；位于第一P型阱区中的第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；位于第二N型阱区中的第二P型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第三P型重掺杂区；位于第二P型阱区中的第四N型重掺杂区和第四P型重掺杂区；位于第三N型阱区中的第五N型重掺杂区；位于P型衬底表面的第五P型重掺杂区和第六P型重掺杂区；第一、第三、第五N型重掺杂区、第二、第三P型重掺杂区相连为阳极；第一、第四、第五、第六P型重掺杂区、第二、第四N型重掺杂区相连为阴极。
- 一种静电保护器件
- [发明专利]静电放电保护元件-CN201910306149.5在审
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陈永初;陈哲宏
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旺宏电子股份有限公司
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2019-04-16
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2020-09-29
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H01L27/02
- 本发明公开了一种静电放电保护元件，包括以下构件：第一PNP型双极结晶体管包括P型区、第一N型阱区、第二N型阱区、第一P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区与N型区。NPN型双极结晶体管包括第一P型阱区、第三N型阱区、第二N型掺杂区、第三P型掺杂区与第三N型掺杂区。第二PNP型双极结晶体管包括第一P型阱区、第三N型阱区、第三P型掺杂区、第三N型掺杂区与第四P型掺杂区。第二P型掺杂区、第一N型掺杂区、第三N型掺杂区与第四P型掺杂区耦接至高压端。第一P型掺杂区、第二N型掺杂区与第三P型掺杂区耦接至低压端。
- 静电放电保护元件
- [发明专利]静电放电保护装置-CN202310115672.6在审
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陈科远
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威盛电子股份有限公司
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2023-02-15
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2023-04-14
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H01L27/02
- 本发明公开一种静电放电保护装置，包括P型半导体基板、第一和第二N型深阱区、第一至第四N型掺杂区、第一至第四P型掺杂区以及第一和第二P型阱区。第一和第二N型深阱区位于P型半导体基板中；第一N型和P型掺杂区和第一P型阱区位于第一N型深阱区中；第二N型和P型掺杂区和第二P型阱区位于第二N型深阱区中；第三N型和P型掺杂区位于第一P型阱区中；第四N型和P型掺杂区位于第二P型阱区中；第一P型和第四N型掺杂区电连接输入/输出端，第一N型和第二P型掺杂区电连接电源供应端，第三N型和第四P型掺杂区电连接接地端。
- 静电放电保护装置
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