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[发明专利]形成金属栅极以缓解天线缺陷的方法-CN201610527074.X在审
发明人：王祥保 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在一些实施例中，穿过层间介电(ILD)层，沿着侧壁间隔件形成凹槽，并且由高k介电层和金属栅极填充该凹槽。实施回蚀刻以降低高k介电层和金属栅极，其中，高k介电材料和金属栅极材料的“天线”形状的残余物沿着侧壁间隔件留在高k层和金属栅极的边界区域处。然后，可以对高k介电层和金属栅极实施一个或多个蚀刻步骤以平坦化和去除残余物。本发明的实施例还涉及形成金属栅极以缓解天线缺陷的方法。
形成金属栅极缓解天线缺陷方法

[发明专利]一种具有高K介电沟槽的功率MOSFET器件及其制备方法-CN202110633949.5在审
发明人：何艳静;袁纯纯;江希;袁嵩;弓小武 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高K介电沟槽的功率MOSFET器件及其制备方法，该器件自下而上依次包括：第一金属层、N+衬底、N‑外延层以及主体结构层；其中，N‑外延层内设有若干沟槽阱结构，沟槽阱结构从N‑外延层的上表面向下延伸，且其深度小于N‑外延层的厚度；相邻两个沟槽阱结构之间设有高K介电沟槽，且高K介电沟槽的深度与N‑外延层的厚度相同；高K介电沟槽区上表面设有沟槽栅，沟槽栅位于相邻两个主体结构层之间，其上具有第二金属层；本发明提供的功率MOSFET器件将沟槽栅、高K介电沟槽和沟槽阱相结合，在得到最大的击穿电压的同时，最大程度上降低了导通电阻，提高了器件性能。
一种具有沟槽功率 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010535476.0在审
发明人：白杰;尤康 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：该方法包括获取衬底，衬底上形成有第一器件区域和第二器件区域，以及高k栅介电层薄膜；在衬底上形成覆盖在第二器件区域的高k栅介电层薄膜上的阻挡层结构；在衬底上形成包括第一金属元素的覆盖层薄膜；通过退火工艺使得覆盖层薄膜中的第一金属元素向第一器件区域的高k栅介电层薄膜扩散，阻挡层结构阻止第一金属元素向第二器件区域的高k栅介电层薄膜扩散；其中，第一器件区域和第二器件区域为导电类型相反的器件区域。本申请使得第一器件区域与第二器件区域的高k栅介电层的介电常数不同的工艺步骤较少，生产成本低。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]纳米材料介电屏蔽器件与绝缘器件组合型光学电压传感器-CN202210126846.4在审
发明人：湾世伟;湾晓文 -专利权人：湾世伟;湾晓文
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明：纳米材料介电屏蔽器件与绝缘器件组合型光学电压传感器适用于在高电压(35kV‑1000kV)与存在强电场干扰(≥10000V/m)环境中长期安全地实现以光学传感技术测量高压交流输电线路的高电压；利用交直流微型电场传感器后还可以测量交直流高电压本发明技术要点；纳米材料介电屏蔽器件包含以纳米材料介电屏蔽材料作为其介电屏蔽功能成分；将介电屏蔽器件与具有高绝缘电阻、高电气绝缘强度的内绝缘器件利用不同材料分别制造，分立安置，然后组合应用，使得在额定电压下运行或是在高于额定电压检测时
纳米材料屏蔽器件绝缘组合光学电压传感器

[发明专利]一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法-CN201711290938.1有效
发明人：刘晓旭;李彦鹏;李娜;闫凯;岳东 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法，它涉及一种聚偏氟乙烯复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有聚偏氟乙烯的介电常数低的问题。方法：一、制备二维层状TiC纳米片；二、复合，得到碳化钛纳米片质量分数为5％～20％的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料。本发明制备的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料可应用于微电子加工、集成电路、高效率储能元件领域；本发明制备的高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的介电常数为9.8～19.1。本发明可获得一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料。
一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化纳米复合材料制备方法

[发明专利]一种具有高介电性能的柔性无机/聚合物复合薄膜的制备方法-CN201410377885.7有效
发明人：马育红;周琰;杨万泰 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2014-08-03 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高介电性能的柔性无机/聚合物复合薄膜的制备方法。该复合薄膜的特征是用硅烷偶联剂对BaTiO3粒子进行表面改性，与丙烯酸树脂及固化剂混合配制成高介电涂料，涂布到聚合物薄膜的表面，形成高介电的BaTiO3/聚合物的柔性复合膜。该方法工艺简单，可操作性强，能明显提高复合薄膜的介电常数，同时介电损耗明显地降低，克服了现有的有机/无机复合技术在获得介电常数提高的同时会导致介电损耗增大的缺点，解决了无机填料含量较高时复合薄膜的柔韧性变差的问题
一种具有高介电性能柔性无机聚合物复合薄膜制备方法

[发明专利]介电组合物以及电子部件-CN201610497982.9有效
发明人：政冈雷太郎;内山弘基;藤井祥平;城川真生子 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种介电组合物以及使用了该介电组合物的电子部件，该介电组合物即使是在小型化了的情况下也能够相对介电常数高、介电损耗低、即Q值高、进一步耐受电压高。本发明所涉及的介电组合物的特征在于：作为主成分包含由通式xAO‑yBO‑zC2O5(式中A表示选自Ba、Ca、Sr中的至少一种元素，B表示Mg，C表示选自Nb、Ta中的至少一种元素)表示的复合氧化物，其中
介电组合物电子部件相对介电常数复合氧化物介电损耗耐受电压式中

[发明专利]传输线设计及其形成方法-CN201610004195.6有效
发明人：吴俊毅;李建勋;周淳朴;薛福隆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01P3/18 文献下载
摘要：传输线设计还包括位于第一传传输线和第二传输线之间的高k介电材料。传输线设计还包括围绕高k介电材料、第一传输线和第二传输线的介电材料，其中，介电材料和高k介电材料不同。
传输线设计及其形成方法

[发明专利]用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法-CN201210335590.4有效
发明人：林志忠;孙韵茹;张世勋;陈嘉仁;山本知成;郭志伟;孙孟毅;丁国强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：栅极堆叠件包括高k介电材料层；设置在高k介电材料层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的金属层。覆盖层和高k介电材料层具有基础结构。本发明还公开了用于具有高K和金属栅极结构的MOSFET的结构和方法。
用于具有金属栅极结构 mosfet 方法

[发明专利]多层陶瓷电子元件-CN201210258560.8无效
发明人：徐炳吉;姜秉成 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种多层陶瓷电子元件，该多层陶瓷电子元件包括：具有介电层的陶瓷主体；以及在所述陶瓷主体中彼此相对配置且其间内置有所述介电层的内电极层，其中，当定义所述介电层的平均厚度为td时，该平均厚度td满足td≥15μm，且在每10μm所述介电层中介电粒子的数目是15以上。由于能够获得具有精细介电粉末的均匀的厚的介电层，能够实现具有优良耐压特性的高电压多层陶瓷电子元件。
多层陶瓷电子元件

[发明专利]一种介电复合薄膜及其制备方法和应用-CN201910948687.4在审
发明人：汪宏;董久锋;牛玉娟 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C08J7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电复合薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括对聚合物介电薄膜进行水解处理，使聚合物介电薄膜上表层的高分子链打开；再将其浸泡于金属盐溶液中，取出后水洗并去除表面水分；而后进行热处理，在聚合物介电薄膜的表面形成绝缘金属氧化物层由上，在聚合物介电薄膜表面利用化学法形成致密均匀的绝缘金属氧化物层，绝缘金属氧化层可实现从纳米至微米级别的有效调控，其与聚合物介电薄膜结合紧密，可有效抑制高温高电场下聚合物介电薄膜表面电荷注入以及内部电荷的转移和扩散，降低聚合物介电薄膜的电导损耗；绝缘金属氧化物层可实现优良的隔离自愈功能，可提高薄膜的储能特性及保证其在高温高电场下的持续稳定工作。
一种复合薄膜及其制备方法应用

[发明专利]增加线路密度的增层电路板制造方法及其结构-CN200810169117.7无效
发明人：范智朋 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种增加线路密度的增层电路板制造方法，该方法包括：提供一核心载板；形成多个第一电性连接垫，第一电性连接垫设置于核心载板的顶面上；形成一第一介电层，第一介电层覆盖核心载板与第一电性连接垫上；进行激光钻孔贯穿第一介电层，进而形成一图案化的第一电镀层于第一介电层上；形成一第二介电层，第二介电层覆盖第一介电层与图案化的第一电镀层上；进行激光钻孔贯穿第二介电层与第一介电层，进而形成一图案化的第二电镀层于第二介电层上；形成一第三介电层，第三介电层覆盖第二介电层与图案化的第二电镀层；以及移除核心载板。本发明可实现放大防焊垫的尺寸、高细线路密度及多脚化。
增加线路密度电路板制造方法及其结构

[发明专利]高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法-CN201010151101.0有效
发明人：李达元;许光源;于雄飞;李威养;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-23 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种高介电常数介电层和/或金属栅极元件的制造方法，该方法包括提供一半导体基板；形成一栅极结构于该半导体基板之上，该栅极结构包括一虚置介电层及一虚置栅极设置于该虚置介电层之上；自该栅极结构移除该虚置栅极和虚置介电层，由此形成一沟槽；形成一界面层于该半导体基板上；形成一高介电常数介电层于该界面层之上，部分地填入该沟槽；形成一阻挡层于该高介电常数介电层之上，部分地填入该沟槽；形成一顶盖层于该阻挡层之上，部分地填入该沟槽本发明可改善最终元件中的high-k介电层的品质。
介电常数介电层金属栅极元件制造方法

[发明专利]柔性电路板及其制作方法-CN202011557467.8在审
发明人：冯雪;王志建;陈颖;刘兰兰 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本申请涉及一种柔性电路板及其制作方法，柔性电路板包括介电弹性衬底与导电图案层，介电弹性衬底呈波浪状，导电图案层位于介电弹性衬底的一侧表面。柔性电路板的制作方法，包括：将介电弹性衬底预拉伸并固定于一刚性基板；在介电弹性衬底上形成导电图案层；释放介电弹性衬底，使介电弹性衬底形变回复而呈波浪状；得到柔性电路板。本申请的柔性电路板采用介电弹性衬底且呈波浪状，使得柔性电路板整体可拉伸，且耐弯折次数高。此外，通过将介电弹性衬底预拉伸并固定在刚性基板上制作导电图案层，可使介电弹性衬底形成规则的波浪状结构且导电图形的图案质量好。
柔性电路板及其制作方法

[发明专利]层间介电层、互连结构及其制造方法-CN200810202961.5有效
发明人：程永亮;王娉婷;高关且;杨承;朱虹;吴金刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种层间介电层、互连结构及其制造方法，其中CMOS图像传感器中的层间介电层的制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成介电层；将介电层减薄至预定厚度；在减薄后的介电层上形成第二介电层和抗反射层；所述介电层内不含有氟本发明层间介电层采用不含氟的介电层，避免了现有技术的采用含氟的氧化物中的氟容易扩散，无需在其间增加第一氧化层进行隔离以及第四氧化进行修复缺陷，形成的层间介电层层数少，结构简单，而且成本较低，层与层之间对光的反射和散射减少，透过率高，而且由于层数少，层间的应力较小，不容易造成开裂现象。
层间介电层互连结构及其制造方法