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[发明专利]用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠-CN202110644015.1有效
发明人：张家源;赖德洋;林揆伦;于雄飞;徐志安;林宗达;侯承浩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供了用于功函数工程的三层高k栅极介电堆叠。一种形成半导体结构的方法包括：分别在衬底的NMOS区域和PMOS区域中提供第一沟道层和第二沟道层；在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第一层；在第二沟道层上方而不在第一沟道层上方形成第一偶极图案；通过退火将来自第一偶极图案的第一金属驱动到第一层中；去除第一偶极图案；在第一层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包括氧化铪的第二层；在第二层和第一沟道层上方而不在第二沟道层上方形成第二偶极图案；通过退火将来自第二偶极图案的第二金属驱动到第二层中；去除第二偶极图案；以及在第二层上方以及在第一沟道层和第二沟道层上方沉积包含氧化铪的第三层。
用于函数工程层高栅极堆叠

[发明专利]用于图案化含镧层的方法-CN201810937691.6有效
发明人：李昆育;张惠政;张哲豪;苏庆煌;张文;于雄飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本文描述的实施例涉及用于图案化掺杂层(诸如含镧层)的方法，用于掺杂FinFET器件的栅极堆叠件中的高k介电层以用于阈值电压调节。可以在掺杂层和用于图案化掺杂层的硬掩模层之间形成阻挡层。在实施例中，阻挡层可以包括或者可以是氧化铝(AlOx)。阻挡层可以防止来自硬掩模层的元素扩散到掺杂层中，并且因此可以提高形成的器件的可靠性。阻挡层还可以通过减少图案化引起的缺陷来改善图案化工艺。本发明的实施例涉及用于图案化含镧层的方法。
用于图案化含镧层方法

[发明专利]非共形氧化物衬垫及其制造方法-CN201811169148.2有效
发明人：林民和;陈俊纮;于雄飞;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及非共形氧化物衬垫及其制造方法。提供了一种方法，包括：形成突出于衬底上方的鳍；在鳍的上表面上方并且沿着鳍的侧壁形成共形氧化物层；执行各向异性氧化物沉积或各向异性等离子体处理以在鳍的上表面上方并且沿着鳍的侧壁形成非共形氧化物层；以及在鳍的上方形成栅极电极，共形氧化物层和非共形氧化物层位于鳍和栅极电极之间。
非共形氧化物衬垫及其制造方法

[实用新型]一种金属片托组件-CN202220660873.5有效
发明人：唐宇;于雄飞;侯奉来;刘新月 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供的金属片托组件，涉及芯片制造领域。该金属片托组件包括片托主体和多个卡扣结构，片托主体设有收容腔室，收容腔室用于收容芯片，多个卡扣结构均与片托主体转动连接；卡扣结构包括压片部和拨动部，压片部与拨动部连接并成夹角，压片部用于抵接芯片，拨动部用于接受外力，以使压片部和拨动部相对片托主体转动。本实用新型提供的金属片托组件对芯片边缘有效芯粒影响小，有利于保证芯片合格率。
一种金属片组件

[发明专利]半导体器件和方法-CN202110387423.3在审
发明人：林揆伦;许家玮;于雄飞;徐志安;许智育;陈建豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和方法。在一个实施例中，一种方法包括：在第一鳍和第二鳍上沉积栅极电介质层，第一鳍和第二鳍在第一方向上远离衬底延伸，第一鳍和第二鳍之间的距离沿着第一方向减小；通过将栅极电介质层暴露于自限制源前体和自反应源前体，来在栅极电介质层上沉积牺牲层，自限制源前体反应以形成牺牲层的材料的初始层，自反应源前体反应以形成牺牲层的材料的主层；在牺牲层覆盖栅极电介质层时，对栅极电介质层进行退火；在对栅极电介质层进行退火之后，去除牺牲层；以及在去除牺牲层之后，在栅极电介质层上形成栅极电极层。
半导体器件方法

[发明专利]半导体装置制造方法-CN202011180468.5在审
发明人：许家玮;赖蓓盈;侯承浩;于雄飞;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置及其制造方法，其利用钝化掺质来钝化栅极介电层。利用例如浸泡法的工艺使钝化掺质穿过功函数层，导入至栅极介电质层中。钝化掺质为可帮助钝化电子捕捉缺陷(electrical trapping defects)的原子，例如为氟。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202011182854.8在审
发明人：林揆伦;陈彦甫;林柏廷;张家源;于雄飞;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供半导体装置与其形成方法。方法包括形成鳍状物，且鳍状物自基板延伸；以及沿着鳍状物的上表面与侧壁形成栅极介电层。沿着鳍状物的上表面的栅极介电层的第一厚度，大于沿着鳍状物的侧壁的栅极介电层的第二厚度。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体器件中的栅极结构-CN202011048544.7在审
发明人：赖蓓盈;许家玮;侯承浩;于雄飞;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件中的栅极结构。一种方法包括在半导体鳍上方并沿着半导体鳍的侧壁沉积高k栅极电介质层。该方法还包括在高k栅极电介质层上方沉积n型功函数金属层，并且通过n型功函数金属层对高k栅极电介质层执行钝化处理。钝化处理包括远程等离子体工艺。该方法该包括在n型功函数金属层上方沉积填充金属，以在高k栅极电介质层上方形成金属栅极堆叠。该金属栅极堆叠包括n型功函数金属层和填充金属。
半导体器件中的栅极结构

[实用新型]加液辅助装置、清洗机及腐蚀机-CN202020975067.8有效
发明人：冯本瑞;于雄飞;叶冠军;苏锴;王志坚;贾立超 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B67C9/00 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及一种加液辅助装置、清洗机及腐蚀机。加液辅助装置包括结合部、承载部和固定部。结合部和固定部通过承载部进行连接，以使得结合部的第一开口和固定部上开设的第二开口连通，第二开口的边缘还开设有与第二开口连通的第三开口。这样，在向储液槽进行加液时，可以将结合部伸入储液槽，然后使得承载部与储液槽的边沿抵接，从而确保整个加液辅助装置与储液槽之间的固定。将化剂瓶套设于第二开口并将化剂瓶的把手固定于第三开口，能够实现对化剂瓶的固定，并使得化剂瓶内的化剂液通过第一开口流向储液槽。如此，能够在向储液槽加液时通过第二开口和第三开口对化剂瓶进行固定，从而避免化剂瓶的晃动，进而避免化剂液的迸溅。
辅助装置清洗腐蚀

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611263870.3有效
发明人：张家源;于雄飞;张惠政 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括n沟道、p沟道、第一介栅极介电层、第二栅极介电层、第一金属栅电极和第二金属栅电极。n沟道和p沟道由不同的材料制成。第一栅极介电层存在于n沟道的至少相对的两侧壁上。第二栅极介电层存在于p沟道的至少相对的两侧壁上。第一金属栅电极存在于第一栅极介电层上。第二金属栅电极存在于第二栅极介电层上。第一金属栅电极和第二金属栅电极由基本相同的材料制成。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201911045801.9在审
发明人：陈书涵;陈宗儒;龚达翔;于雄飞;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法可以包含在基底上方形成虚设介电层以及在虚设介电层上方形成虚设栅极。此方法还可以包含形成第一间隔物邻近虚设栅极；以及移除虚设栅极以形成空腔，其中空腔至少部分地由第一间隔物界定。此方法还可以包含在第一间隔物的多个部分上进行等离子体处理，其中等离子体处理使第一间隔物的所述部分的材料组成从第一材料组成改变为第二材料组成。此方法还可以包含蚀刻第一间隔物的具有第二材料组成的部分，以移除第一间隔物的具有第二材料组成的部分；以及使用多个导电材料填充空腔以形成栅极结构。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体工艺所用的方法-CN201910501892.6在审
发明人：李溢芸;赵晟博;于雄飞;张哲豪;黄才育;张惠政;陈弘耀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明所述的实施例涉及半导体工艺所用的方法，具体涉及形成装置的栅极结构，比如置换栅极工艺与其形成的装置。在一些例子中，沉积界面介电层与栅极介电层之后，可在控制下的含氮环境中进行快速退火工艺如激光退火或闪光灯退火工艺，以形成氮化部分于栅极介电层中。氮化部分可钝化栅极介电层表面的缺陷，并可作为阻障以避免蚀刻化学剂与来自后续栅极堆叠层的缺陷/掺质影响或扩散穿过栅极介电层。具体而言，毫秒等级的快速热退火工艺可限制氮原子在栅极介电层中，而不会扩散至下方的界面介电层及/或任何相邻的结构如鳍状物。
栅极介电层界面介电层氮化半导体工艺快速热退火蚀刻化学剂栅极堆叠层扩散激光退火快速退火退火工艺形成装置栅极工艺栅极结构氮环境氮原子闪光灯鳍状物掺质钝化沉积置换穿过

[发明专利]半导体工艺所用的方法-CN201910281681.6在审
发明人：林宗达;侯承浩;张哲豪;于雄飞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种半导体工艺所用的方法。此处所述的实施例关于形成装置的栅极结构的方法，比如置换栅极工艺与其形成的装置。在一实施例中，方法包括顺应性地形成栅极介电层于自基板延伸的鳍状物上，且栅极介电层沿着鳍状物上的栅极间隔物的侧壁；在采用含硅前驱物与含氟、氘、或上述的组合的掺质气体的沉积工艺时，顺应性地沉积虚置层于栅极介电层上，且沉积的虚置层包括氟、氘、或上述的组合的掺质；进行热工艺，以自虚置层驱动掺质至栅极介电层中；移除虚置层；以及形成一或多个含金属层于栅极介电层上。
栅极介电层掺质沉积鳍状物半导体工艺含硅前驱物栅极间隔物含金属层形成装置栅极工艺栅极结构热工艺侧壁含氟基板移除置换驱动延伸

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201510860905.0有效
发明人：陈俊纮;张惠政;栾洪发;于雄飞;许家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其形成方法。在各种实施例中，半导体装置形成方法包括：接收包括通道的半导体基板。气氛调节层形成于通道之上。执行退火工艺以形成位于通道与气氛调节层之间的介面层。本发明内容所应用的气氛调节层，能改良介面层的均匀性及应变松驰。此外，本发明内容提供用于栅极介电层/介面层及介面层/半导体基板介面的一个步骤的钝化工艺，能减少成本。本发明内容提供的方法，能保持工艺期间的低热预算及更小的应变松驰，并适用于诸如含锗及基于第III族‑第V族的材料的高电子迁移性通道。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]具有共形氧化物层的鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510262773.1有效
发明人：陈佳政;林孟竖;陈亮吟;于雄飞;张惠政;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种示例性鳍式场效应晶体管(finFET)，包括：具有沟道区的半导体鳍以及位于沟道区的侧壁和顶面上的栅极氧化物。栅极氧化物包括：具有第一厚度的最薄部分和具有与第一厚度不同的第二厚度的最厚部分。第一厚度和第二厚度之间的差值小于最大厚度变化并且最大厚度变化取决于finFET的工作电压。本发明涉及具有共形氧化物层的鳍式场效应晶体管及其形成方法。
具有氧化物场效应晶体管及其形成方法

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