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[实用新型]低电感门控晶闸管及其功率半导体组件-CN200620167674.1无效
发明人：童亦斌;张婵 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2006-12-27 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：该低电感门控晶闸管是一种大功率电力半导体器件，在一个呈圆形的外壳中放置了一个半导体芯片，半导体芯片引出的门极引线和阴极相互靠近，且位于外壳的同一侧，门极引线不凸出于外壳；门极引线加工成阶梯状，有一个与阴极辅助台面处于同一平面的门极引线安装面该低电感门控晶闸管通过阴极辅助台面、门极引线安装面安装在印制电路板上组成低电感门控晶闸管功率半导体组件。由于阴极和门极引线无需伸出外壳以外，因此，生产加工变得十分简单。整个功率半导体组件中的门阴极电流通路完全连续，从而实现更低的电感，可以保证最佳的半导体器件开关性能。
电感门控晶闸管及其功率半导体组件

[发明专利]低成本高性能开关管驱动电路-CN201811142922.0在审
发明人：徐新华;唐锋 -专利权人：广东百事泰电子商务股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本高性能开关管驱动电路，包括共基极推挽对管和共门极推挽对管，所述共基极推挽对管的共基极与信号源的信号输出端电性连接，用于在所述信号源的作用下输出第一驱动信号；所述共门极推挽对管的共门极与所述共基极推挽对管的输出端电性连接，共门极推挽对管的输出端与被驱动晶体管的受控端连接，用于在所述第一驱动信号的作用下输出第二驱动信号，对所述被驱动晶体管进行导通或截止的驱动。本发明的低成本高性能开关管驱动电路，具有成本低、高电平输出时电压接近电源电压、低电平输出时电压接近地电压、推拉电流大的特点，且驱动电路的交叉电流极少，使得开关管驱动电路的功耗较小，可靠性高。
对管推挽共基极门极高性能开关管驱动电路驱动信号低成本驱动晶体管电性连接电压接近输出端信号源输出开关管驱动电路高电平输出信号输出端电源电压驱动电路低电平地电压电流极受控端导通功耗推拉截止驱动

[实用新型]低成本高性能开关管驱动电路-CN201821598688.8有效
发明人：徐新华;唐锋 -专利权人：广东百事泰电子商务股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低成本高性能开关管驱动电路，包括共基极推挽对管和共门极推挽对管，所述共基极推挽对管的共基极与信号源的信号输出端电性连接，用于在所述信号源的作用下输出第一驱动信号；所述共门极推挽对管的共门极与所述共基极推挽对管的输出端电性连接，共门极推挽对管的输出端与被驱动晶体管的受控端连接，用于在所述第一驱动信号的作用下输出第二驱动信号，对所述被驱动晶体管进行导通或截止的驱动。本实用新型的低成本高性能开关管驱动电路，具有成本低、高电平输出时电压接近电源电压、低电平输出时电压接近地电压、推拉电流大的特点，且驱动电路的交叉电流极少，使得开关管驱动电路的功耗较小，可靠性高。
对管推挽共基极门极高性能开关管驱动电路驱动信号低成本本实用新型驱动晶体管电性连接电压接近输出端信号源输出开关管驱动电路高电平输出信号输出端电源电压驱动电路低电平地电压电流极受控端导通功耗推拉截止驱动

[实用新型]一种充电控制电路及车辆-CN202223328448.5有效
发明人：徐旭;王海龙;袁宝成;刘少伟 -专利权人：北京车和家汽车科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B60L53/00 文献下载
摘要：本公开公开了充电控制电路及车辆，包括：预充电电路及充电电路；预充电电路与充电电路并联，且预充电电路及充电电路导通时相互反向截止；控制器与预充电电路连接，控制器输出第一驱动信号分别至预充电电路中第一晶闸管的门极和第二晶闸管的门极，控制第一晶闸管和第二晶闸管导通，从而使预充电电路导通形成第一电流回路；控制器与充电电路连接，控制器输出第二驱动信号分别至充电电路中第三晶闸管的门极和第四晶闸管的门极，控制第三晶闸管和第四晶闸管导通，从而使充电电路导通形成第二电流回路
一种充电控制电路车辆

[发明专利]一种MOS管分流关断的可控硅开关电路-CN202111118463.4在审
发明人：何志毅;卯龙;犹元彬;陈礼傲;郑岩 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS管分流关断的可控硅开关电路，可控硅具有高反向耐压和大峰值电流承受能力，适用于对容性负载如电致发光器件的控制。可控硅在触发导通后即使撤除门极控制电压/电流，在一定工作电流以上（维持电流）会一直处于自锁导通状态而不会自行关断。在本发明容性负载驱动电源半桥开关电路中，可控硅导通时承担容性负载充放电的瞬时峰值大电流，在其两端并联MOS管并分担开关电路导通后的持续电流，对所述可控硅短接分流使它工作在维持电流以下从而在其门极无电流输入时能够关断，使所述开关电路能够正常工作并保证高峰值电流冲击下的可靠性。
一种 mos 分流可控硅开关电路

[发明专利]终端为LDMOS的高压VDMOS管-CN201210209102.5无效
发明人：左义忠;李强;高宏伟;蒋和平 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2012-06-25 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：终端为LDMOS的高压VDMOS管，在保持VDMOS管的高耐压特性的同时，增大电流工作区，还使得芯片尺寸减小，从而降低衬底材料消耗，属于半导体器件制造技术领域。现有高压VDMOS管由于杂质扩散结深比较浅，要想使器件具有更高的击穿耐压，不论哪种终端，其占用芯片面积均较大，另外，各种终端均不属于芯片电流工作区，作为芯片的组成部分没有得到充分利用。本发明其特征在于，其终端为LDMOS，LDMOS与VDMOS管的共用一个源极S和漏极D，LDMOS的门极与VDMOS管的门极G并联，LDMOS的耐压区由多个P-区与多个N区交替排列构成。采用LDMOS充当高压VDMOS管终端，在发挥耐压作用的同时增大VDMOS管的电流工作区，通态电阻较低，明显提高VDMOS管的电流处理能力。
终端 ldmos 高压 vdmos

[发明专利]一种由阻塞二极管和偏置二极管相组合的电流检测电路-CN201510035567.7有效
发明人：方宇;马明明;成刚;徐潘;郑金燕;尧永;谢勇 -专利权人：扬州大学
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H02M3/337 文献下载
摘要：本发明涉及一种由阻塞二极管和偏置二极管相组合的电流检测电路。本发明结构是PWM发生器输出、比较器输出到与逻辑门输入端，再输出到驱动电路输入端，一路经开关电源主电路中开关管的门极限流电阻到MOSFET开关管Q的栅极，另一路经限流电阻后分别连接到阻塞二极管的阳极、偏置二极管的阳极，阻塞二极管的阴极连接到开关电源主电路中MOSFET开关管的漏极，偏置二极管的阴极连接到比较器的反相端，基准送到比较器的同相端，偏置二极管与阻塞二极管相同。本发明精度较高，无需额外的电流传感器，电路结构简单、体积小，相比于电阻检测电流的电路不会引入损耗，因而可靠性和效率较高。
一种阻塞二极管偏置组合电流检测电路

[发明专利]基于集成门极换流晶闸管的功率模块-CN202010839567.3在审
发明人：孙永伟;陈芳林;曾文彬;潘学军;董超;邹平;陈本龙 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-08-19 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于集成门极换流晶闸管的功率模块，涉及电力电子技术领域。本发明的基于集成门极换流晶闸管的功率模块，包括至少两个层叠设置功率子单元，由于相邻的功率子单元关于第一器件的上表面或下表面对称设置，因此可使相邻的第一导通结构中的电流方向相反，且相邻的第二导通结构中的电流方向也相反，而流向相反的电流产生的电磁感应会相互抵消一部分，从而实现降低回路杂散电感的目的。
基于集成换流晶闸管功率模块

[发明专利]晶闸管分支满布N+放大门极-CN201710451834.8有效
发明人：王正鸣;高山城;郭永忠;张猛 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶闸管分支满布N+放大门极，从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区、N+型环形放大门极区、N+型枝条放大门极区、P型放大门极区、N+型主晶闸管有效阴极区、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点及边缘P型台面区，通过将N+型枝条放大门极区枝条内充满N+型杂质，使放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域不仅在门极中心周围的环形区域存在，而且随放大门极枝条深入并均匀分割主晶闸管阴极区域。充分扩展了辅助晶闸管的有效阴极，将门极触发电流放大更充分、分配输送到主晶闸管阴极深处的速度更快，对主晶闸管的触发强度和速度都增加、必使主晶闸管开通电流上升率di/dt耐量得到显著提高。
晶闸管分支满布大门

[实用新型]晶闸管分支满布N+放大门极-CN201720696450.8有效
发明人：王正鸣;高山城;郭永忠;张猛 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶闸管分支满布N+放大门极，从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区、N+型环形放大门极区、N+型枝条放大门极区、P型放大门极区、N+型主晶闸管有效阴极区、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点及边缘P型台面区，通过将N+型枝条放大门极区枝条内充满N+型杂质，使放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域不仅在门极中心周围的环形区域存在，而且随放大门极枝条深入并均匀分割主晶闸管阴极区域。充分扩展了辅助晶闸管的有效阴极，将门极触发电流放大更充分、分配输送到主晶闸管阴极深处的速度更快，对主晶闸管的触发强度和速度都增加、必使主晶闸管开通电流上升率di/dt耐量得到显著提高。
晶闸管分支满布大门

[发明专利]一种用于焊接模块的改良芯片-CN202010056559.1在审
发明人：颜辉;颜廷刚;邵凌翔 -专利权人：常州瑞华新能源科技有限公司
申请日： 2020-01-18 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明涉及到一种用于焊接模块的改良芯片，包括芯片；所述芯片上表面的门极电极设置在电极层中心，所述门极电极外圈附有环状放大门极电极，所述放大门极电极向外均匀延伸呈放射状，所述放大门极电极向外延伸的分支间隔相等，所述放大门极电极覆盖有阻焊层，所述阻焊层顶部与第二钼片绝缘隔离接触，所述第二钼片底面与芯片上表面的电极层焊接，所述第二钼片中心卡装有绝缘引线套，所述绝缘引线套内置的门极电极引线沿引出孔伸出。本发明采用多面焊接组装结构，取代以往具备放大门极电极晶闸管压接模块的组装结构；对比无放大门极电极焊接晶闸管芯片，可提高晶闸管电流上升性能。
一种用于焊接模块改良芯片

[发明专利]晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法-CN201310122757.3有效
发明人：唐龙谷;冯江华;吴煜东;陈勇民;陈芳林 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/332 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法，该制备方法包括以下步骤：准备N-型衬底，对N-型衬底正面进行选择性P+扩散处理，形成P+短基区。进行N+预沉积处理形成N+层，进行门极刻蚀处理，刻蚀掉门极位置上方的N+层。对N+层进行N+推进处理，形成二层台阶结构的门阴极结。进行金属沉积和刻蚀处理，分别形成阴极金属电极和门极金属电极。本发明晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管制备方法能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合，增强了晶闸管的电导调制效应，并可以进一步提高其导通电流和开通速度。
晶闸管阴极具有结构换流制备方法

[发明专利]基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构-CN202111188481.X在审
发明人：高崎哲;王庆凯;毛先叶 -专利权人：正海集团有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构，本结构中覆铜陶瓷基板分别设有上桥、下桥源极和门极PIN针，覆铜陶瓷基板两侧设有上桥覆铜纹路、中部间隔设于两列下桥覆铜纹路，若干上桥和下桥功率半导体芯片间隔设于上桥覆铜纹路和下桥覆铜纹路，正极母排连接上桥覆铜纹路并且正极母排电流经上桥覆铜纹路分流后汇入三相母排，三相母排连接下桥覆铜纹路并且三相母排经下桥覆铜纹路分流后汇入负极母排，若干上桥功率半导体芯片的源极和门极连接上桥源极和门极PIN针，若干下桥功率半导体芯片的源极门极连接下桥源极和门极PIN针。
基于陶瓷布置功率半导体模块结构

[实用新型]基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构-CN202122454708.2有效
发明人：高崎哲;王庆凯;毛先叶 -专利权人：正海集团有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于覆铜陶瓷基板布置的功率半导体模块结构，本结构中覆铜陶瓷基板分别设有上桥、下桥源极和门极PIN针，覆铜陶瓷基板两侧设有上桥覆铜纹路、中部间隔设于两列下桥覆铜纹路，若干上桥和下桥功率半导体芯片间隔设于上桥覆铜纹路和下桥覆铜纹路，正极母排连接上桥覆铜纹路并且正极母排电流经上桥覆铜纹路分流后汇入三相母排，三相母排连接下桥覆铜纹路并且三相母排经下桥覆铜纹路分流后汇入负极母排，若干上桥功率半导体芯片的源极和门极连接上桥源极和门极PIN针，若干下桥功率半导体芯片的源极门极连接下桥源极和门极PIN针。
基于陶瓷布置功率半导体模块结构

[发明专利]一种具有双基区，双发射区的新型SiC GTO器件-CN202011203998.7在审
发明人：王俊;梁世维;邓雯娟;刘航志;俞恒裕 -专利权人：湖南大学
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公布了一种具有双基区，双发射区的新型SiC GTO器件，垂直方向从阳极至阴极依次包括：P+发射区、N型基区、P‑型漂移区、P型缓冲区及N+型衬底；且P+发射区连接器件阳极，N型基区连接器件门极，N本发明具有注入效率高，电流增益大，门极电流稳定性高，所需驱动电流小，驱动功率小等优点，适用于高压、高脉冲电流的应用场合。
一种具有双基区发射新型 sic gto 器件

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