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[发明专利]一种双门极可关断晶闸管及其集成电路-CN200610153361.5无效
发明人：叶俊 -专利权人：叶俊
申请日： 2006-09-12 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H03K17/72 文献下载
摘要：本发明为一双门极可关断晶闸管，其特征是将一个普通晶闸管的门极与另一普通晶闸管的阳极短接，这一短接处即为本发明的导通门极，另一晶闸管的门极为阻断门极，这两个门极在+0.7－3V之间的脉冲电流触发下分别导通和断开本发明
一种双门极可关断晶闸管及其集成电路

[发明专利]一种数字化可变电流源功率开关器件门极驱动器-CN202210664596.X在审
发明人：曹文平;谭琨;胡存刚 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种数字化可变电流源功率开关器件门极驱动器，其包括核心控制器、开通电流源阵列和关断电流源阵列；所述开通电流源阵列的电流输出端与所述功率开关器件的门极相连接，所述关断电流源阵列的电流输入端与所述功率开关器件的门极相连接；所述开通电流源阵列和关断电流源阵列均包括若干个电流源子单元，所述核心控制器对其输入高电平信号或低电平信号以控制该电流源子单元的激活或非激活状态，激活状态下的电流源子单元流过预设的电流，非激活状态下的电流源子单元不流过电流本发明可以使驱动器的输出电流动态可调，结合灵活的控制策略，可以提高功率开关器件的开关速度、降低开关损耗的同时，保证功率开关器件工作在其安全工作区内，提高系统的可靠性。
一种数字化可变电流功率开关器件驱动器

[实用新型]电源反接保护电路-CN201420544207.0有效
发明人：徐军;郭富年;詹舵;马靖;周根明 -专利权人：浙江科力车辆控制系统有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H02H11/00 文献下载
摘要：一种电源反接保护电路，电性连接于供电电路及控制电路间，所述电源反接保护电路包括：MOS管、为MOS管提供导通门阀电压的门阀电压子电路，所述MOS管包括：门极G和导通极，所述导通极包括：源极S和漏极D，所述门极G与门阀电压子电路电性连接，所述导通极串联于供电电路的电流流入端和控制电路的电流流出端。采用本实用新型，可有效解决现有串联二极管的电源反接保护电路中，由于二极管的压降大，在大电流时，发热比较严重，影响二极管的可靠性，易造成电源反接保护电路的失效的缺陷。
电源反接保护电路

[实用新型]一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管-CN201921703227.7有效
发明人：赵德益;苏海伟;吕海凤;王允;赵志方;叶毓明;冯星星;李亚文;吴青青;张利明 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，通过适当设计N型阱、P型阱、N型掺杂和P型掺杂的尺寸和间距构成可控硅结构，其特征在于，所述可控硅包括两个门极，通过金属连接将控硅结构的门极均与阳极短接形成开关二极管。利用门极到阴极的电流为阳极到阴极提供触发电流，形成正反馈，提前使可控硅结构开启，降低可控硅结构的开启电压，获得低正向钳位电压，本实用新型通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管，获得低正向钳位电压
一种可控硅阳极正向电压开关二极管

[发明专利]一种基于精密反向电流源的门极驱动式低功耗测温系统-CN201510307231.1在审
发明人：周云扬 -专利权人：成都冠深科技有限公司
申请日： 2015-06-06 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于精密反向电流源的门极驱动式低功耗测温系统，其由温度采集电路、信号转换电路及差分放大器电路，设置在温度采集电路和信号转换电路之间的恒流恒压控制电路，与所述温度采集电路的输入端相连接的精密反向电流源电路，与精密反向电流源电路和信号转换电路相连接的光束激发式逻辑放大电路，以及设置在光束激发式逻辑放大电路与差分放大器电路之间的门极驱动电路组成。本发明采用精密反向电流源电路来为温度采集电路提供工作电流，因此能确保其性能稳定。同时本发明还采用了门极驱动电路，其可以稳定的对测温系统进行驱动，进一步的更加了本发明的稳定性。
一种基于精密反向电流驱动功耗测温系统

[发明专利]用于掩埋沟道转移门的设备和方法-CN201710424843.8有效
发明人： D·泰克莱布;M·M·拉曼;E·G·史蒂文斯;B·P·班纳彻沃兹;R·M·奎达什;V·克洛伯夫 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及用于掩埋沟道转移门的设备和方法。本发明公开了一种图像传感器像素，该图像传感器像素可包括光电二极管、浮动扩散部和转移门。可在该转移门下方形成掩埋沟道。该掩埋沟道可从浮动扩散部延伸以与该转移门的一部分重叠，而没有完全在该转移门下方延伸或到达光电二极管。该掩埋沟道可为来自光电二极管的抗饱和电流提供到达浮动扩散部的路径，同时允许该转移门关闭电压保持足够高以防止转移门暗电流流入该光电二极管中。
用于掩埋沟道转移设备方法

[发明专利]一种用于电源管理芯片的电感电流检测电路-CN202210209200.2在审
发明人：周前能;朱江钰;李红娟 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明请求保护一种用于电源管理芯片的电感电流检测电路，包括偏置电路、预放大级电路、第二放大级电路、第三放大级电路及输出级电路。本发明采用三极管Q1与三极管Q3、三极管Q2与三极管Q4分别构成达林顿输入管，减少所述预放大级电路的输入失调电压；采用传输门T1、传输门T2、传输门T3及传输门T4技术，且外部电感电流方向决定此4个传输门开启，使得所述第二放大级电路实现双端输入单端输出，同时采用所述第三放大级电路与所述预放大级电路、所述第二放大级电路构成负反馈系统且采样外部电感电流信号的技术，提高电路对电感电流的采样精度，从而在所述输出级电路的输出端VOUT产生用于电源管理芯片的电感电流的检测信号。
一种用于电源管理芯片电感电流检测电路

[发明专利]大电流整晶圆全压接平板式封装的IGBT及其制造方法-CN201110165859.4有效
发明人：沈征;帅智康;罗安;尹新 -专利权人：湖南大学
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种大电流整晶圆全压接平板式封装的IGBT及其制造方法。所述大电流整晶圆全压接平板式封装的IGBT包括一个IGBT整晶圆和全压接平板式封装，所述的整晶圆包括多个独立的IGBT器件区，每个IGBT器件区由又多个IGBT单元并联组成，所有IGBT器件区的集电极并联为总集电极，每个IGBT器件区单独引出发射极，所有工作状态正常的IGBT器件区的门极用互联线连接到位于晶圆中心的总门极而其发射极通过发射极金属垫片并联到总发射极金属电极板。本发明实现了大电流IGBT整晶圆器件，保持了IGBT高工作电压、低开关功耗、门极电压控制简单的优点，同时提高了器件电流导通能力，导热性能，耐热冲击能力和长期可靠性，解决了IGBT单元之间性能匹配的问题。
电流圆全平板封装 igbt 及其制造方法

[发明专利]一种门极电流可控的IGBT驱动电路-CN202110761920.5在审
发明人：吴晓光;傅俊寅;汪之涵;黄辉 -专利权人：深圳青铜剑技术有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种门极电流可控的IGBT驱动电路，所述电路通过第一采样模块将IGBT开通时的门极电流转换输出为对应的第一电压信号，通过第一放大模块提供不同的放大比例系数，以对所述第一电压信号进行放大并输出第一控制信号，所述第一控制信号用于控制所述开通MOSFET管的导通状态；又通过第二采样模块将IGBT关断时的门极电流转换输出为对应的第二电压信号，通过第二放大模块提供不同的放大比例系数，以对所述第二电压信号进行放大并输出第二控制信号如此，IGBT开通或关断时的门极电流将被精确地控制在所需要的范围内。本发明的电路结构简单，能节约PCB板占用面积，降低开发成本。
一种电流可控 igbt 驱动电路

[实用新型]节能PTC起动器-CN200620067807.8无效
发明人：黄智航;施庆生;黄俊杰;黄洁仪;邓佳桥 -专利权人：万宝冷机集团广州电器有限公司
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H02P1/16 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种节能PTC起动器，将PTC元件与一个双向可控硅串联，双向可控硅的门极G与A2极之间串联双向触发管D1、电阻R1、电容C1形成门极触发回路。在双向可控硅A1极和双向触发管D1上并联由桥堆D2和三极管T1组成的双向开关。开始通电时，双向开关不导通，通过门极触发回路的电流使双向可控硅导通，同时，电容C2开始充电。当电容C2上的电压上升到使三极管T1导通时，双向开关导通，双向可控硅的门极触发电流被旁路，双向可控硅变为不导通，主电路电流被关断，PTC元件不再发热，达到节能的目的。
节能 ptc 起动器

[实用新型]一种具有辅助放大腿的晶闸管芯片-CN202020874466.5有效
发明人：王连来 -专利权人：广州市晶泰电子科技有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有辅助放大腿的晶闸管芯片，包括阴极面、门极，所述门极设置在阴极面的中心，所述门极周围设有两组关于门极成中心对称的门极放大腿和两组关于门极成中心对称的辅助放大腿，每组辅助放大腿与一组门极放大腿连接本实用新型的有益效果是：本晶闸管芯片当门极有信号触发晶闸管芯片开通时，两组门极放大腿和两组辅助放大腿能加快导通面积，让导通电流无死角地迅速从门极经门极放大腿和门极辅助放大腿扩展到晶闸管芯片的阴极面，从而让整个晶闸管芯片全部快速开通
一种具有辅助大腿晶闸管芯片

[实用新型]一种自举型门极驱动控制电路-CN201120158231.7有效
发明人：白永江;陈桥梁;王宁斌;孙巨禄 -专利权人：南京博兰得电子科技有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自举型门极驱动控制电路。本实用新型的自举型门极驱动控制电路由自举型门极驱动电路、信号调制电路、驱动控制电路构成。工作时，信号调制电路首先对电流或者电压进行采样调制，然后输出调制信号给驱动控制电路，驱动控制电路根据调制信号使能或者关断上位管的门极驱动，并且不影响下位管工作。
一种举型门极驱动控制电路

[发明专利]一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管-CN201910966898.0在审
发明人：赵德益;苏海伟;吕海凤;王允;赵志方;叶毓明;冯星星;李亚文;吴青青;张利明 -专利权人：上海长园维安微电子有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提出了一种可控硅门极与阳极短接的低正向钳位电压开关二极管，包括由衬底材料或衬底材料外延层、N型阱、P型阱、N型重掺杂和P型重掺杂构成的半导体主体，通过适当设计N型阱、P型阱、N型掺杂和P型掺杂的尺寸和间距构成可控硅结构，其特征在于，通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管。利用门极到阴极的电流为阳极到阴极提供触发电流，形成正反馈，提前使可控硅结构开启，降低可控硅结构的开启电压，获得低正向钳位电压，本发明通过金属连接将控硅结构的门极和阳极短接形成开关二极管，获得低正向钳位电压
阳极门极可控硅结构正向钳位短接阴极开关二极管衬底材料金属连接硅结构电压开关二极管半导体主体触发电流开启电压可控硅外延层正反馈

[发明专利]一种逆阻型集成门极换流晶闸管-CN202110464892.0在审
发明人：王峰瀛;范晓波;吴飞鸟;杨俊艳;张婷婷 -专利权人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明涉及一种逆阻型集成门极换流晶闸管，包括阴极梳条、阴极电极、门极电极、阳极电极，该逆阻型集成门极换流晶闸管中心对称布满阴极梳条，门极接触区位于器件中心、中间或边缘位置，器件最外圈是终端区。轴向从上到下依次包括：阴极电极、阴极N+掺杂区、门极电极、P基区、N‑衬底区、阳极P+掺杂区和阳极电极，本发明在一个芯片上串联集成了门极换流晶闸管与二极管，使器件数量减少，功耗降低，总成本下降，同时提高系统可靠性，本发明正反向能够耐受高电压，正向通过大电流，门极控制器件开通、关断。
一种逆阻型集成换流晶闸管

[发明专利]IGBT驱动电路、用于驱动IGBT的方法及芯片-CN202310475218.1在审
发明人：陈燕宁;邵亚利;刘芳;付振;张泉;徐鹏;沈美根;解尧明;李东镁;张东;邓永峰;鹿祥宾;符荣杰 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;灿芯创智微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K17/567 文献下载
摘要：本发明涉及芯片领域，公开了一种IGBT驱动电路、用于驱动IGBT的方法及芯片，该IGBT驱动电路包括：阶段确定模块，用于确定IGBT是否处于导通阶段的电流上升阶段或者关断阶段的电压上升阶段；以及驱动电压控制模块，用于：在IGBT处于电流上升阶段的情况下，控制施加至IGBT的门极的驱动电压小于开始导通驱动电压，其中，开始导通驱动电压为在导通阶段开始时施加至门极的驱动电压；以及在IGBT处于电压上升阶段的情况下，控制施加至门极的驱动电压大于开始关断驱动电压，其中，开始关断驱动电压为在关断阶段开始时施加至门极的驱动电压。藉此，实现了兼具抑制电流尖峰和电压尖峰、降低开关损耗和抑制EMI三者的优势。
igbt 驱动电路用于方法芯片