专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种温度敏感电参数标定方法-CN201810439117.8有效
  • 张瑾;仇志杰;张二雄 - 中国科学院电工研究所
  • 2018-05-09 - 2020-05-05 - G01R31/26
  • 一种温度敏感电参数标定方法,步骤如下:(1)将被测器件的控制电流流入极短路;(2)被测器件的电流流入电流流出间通入加热电流,测量此时被测器件的控制电流流出电压;(3)解除被测器件的控制电流流入间的短路,在控制电流流出间施加电压,所加电压值为前一步骤测得的控制电流流出电压;(4)电流流入电流流出间通入测量电流,调节测量电流大小,同时满足电流流入电流流出电压足够大,而测量电流所产生的功耗足够小;(5)用步骤(2)得到的控制电流流出电压和步骤(4)得到的测量电流对被测器件的电流流入电流流出电压进行温度敏感性标定,得到温度敏感电参数曲线。
  • 一种温度敏感参数标定方法
  • [发明专利]电池模组、电池保护方法及电子设备-CN202011489191.4有效
  • 徐超 - 维沃移动通信有限公司
  • 2020-12-16 - 2022-05-31 - H01M10/42
  • 该电池模组包括:电芯单元、第一电流检测单元、第二电流检测单元、电流调节单元和接入端;电芯单元包括电芯,电芯包括正极耳、第一负极耳以及第二负极耳,正极耳与接入端连接,第一负极耳与第一电流检测单元连接,第二负极耳与第二电流检测单元连接,第一电流检测单元、第二电流检测单元均与电流调节单元连接,电流调节单元与接入端连接;其中,第一电流检测单元用于检测第一负极耳上的电流,第二电流检测单元用于检测第二负极耳上的电流电流调节单元用于调节第一负极耳和第二负极耳上的电流。可以避免第一负极耳和第二负极耳出现温度上升较高的问题。
  • 电池模组保护方法电子设备
  • [发明专利]MOSFET本征电压的模拟计算方法-CN202110728116.7在审
  • 顾经纶 - 上海华力微电子有限公司
  • 2021-06-29 - 2021-09-07 - G06F30/398
  • 本发明提供了一种MOSFET本征电压的模拟计算方法,包括:在第一LDD区加漏到源的外部电压,产生的电流经过第一LDD区、第二LDD区和漏到源的沟道;获取漏到源的LDD的电阻;获取漏到源的初始沟道电流;从漏到源的外部初始电流开始,重复采用公式(1)、公式(2)和公式(3)进行迭代算法多次计算模拟电压和模拟电流,当计算得到的模拟电流与前一次计算得到的模拟电流的差值小于设定值时,停止迭代计算,模拟电压为源和漏以及栅极和源之间的本征电压,模拟电流为源和漏之间的沟道电流。本发明可以模拟MOSFET的本征电压和沟道电流,并且模拟计算后的本征电压和沟道电流的值与实际的本征电压和沟道电流的值更接近。
  • mosfet电压模拟计算方法
  • [实用新型]电流检测功能的场效应管-CN201621392071.1有效
  • 黄泽军;张枫;段卫宁 - 深圳市锐骏半导体股份有限公司
  • 2016-12-15 - 2017-09-22 - H01L29/78
  • 本实用新型涉及带电流检测功能的场效应管包括栅极、漏、源以及电流检测输出,所述电流检测输出上设有检测电极,所述检测电极与所述源之间设有隔离板,当电流从所述漏流入,分别从源以及检测电极流出。本实用新型通过引出一个检测电极,将流入场效应管的漏电流分成两路,一路电流从检测电极流出,另一路从源流出,通过调节检测电极与源的面积比例,调整两路电流之间的比值,检测电流与漏电流等比例同时变化,调整经过检测电极的电流较小,经过加入放大器,对检测的电压信息进行放大,实现小功耗、高精度的电流检测,同时不受温度的影响,采样精准度高,更加稳定。
  • 电流检测功能场效应
  • [发明专利]电流控制电路-CN200410104920.4有效
  • 保坂健一;万代忠男 - 三洋电机株式会社
  • 2004-12-24 - 2005-07-13 - H03F1/26
  • 一种电流控制电路,控制来自电流吸引端子的电流,其中变压器的初级线圈连接到该电流吸引端子。第一N沟道晶体管,具有连接到电流吸引端子的源,并且具有体二管,该体二管将电流从源引向漏。第二N沟道晶体管,具有连接到第一N沟道晶体管的漏的漏和连接到地的源。第二N沟道晶体管具有体二管,该体二管将电流从源引向漏。第一和第二N沟道晶体管导通,以便将电流经由第一和第二N沟道晶体管从电流吸引端子引向地。第一和第二N沟道晶体管截止,以便阻止来自电流吸引端子的电流。而且,第一N沟道晶体管的体二管禁止电流从地流向变压器的初级线圈。
  • 电流控制电路
  • [发明专利]控制激光二管的光输出功率的方法、控制装置以及相关系统-CN202180011735.2在审
  • S·巴德尔;R·沃尔夫 - 通快光电器件有限公司;罗伯特·博世有限公司
  • 2021-01-26 - 2022-10-18 - H01S5/068
  • 本发明涉及光学粒子传感领域,特别是涉及一种控制激光二管(10)的光输出功率的方法。提出了一种控制激光二管(10)的光输出功率的方法,其中激光二管与光电二管(20)相关联,光电二管将从激光二管接收的光转换成光电二电流,该方法包括以下步骤:获得第一光修整参数,其指示在预定校准条件下激光二管(10)在高于激光阈值的第一激光二电流下的第一光输出功率和激光二管在不同于第一激光二电流的高于激光阈值的第二激光二电流下的第二光输出功率;获得第二电修整参数,其指示在预定校准条件下光电二电流相对激光二电流的光电二管特性曲线;在低于激光阈值的第三激光二电流下测量第一光电二电流;在与第三激光二电流不同的低于激光阈值的第四激光二电流下测量第二光电二电流;基于对所述第一光电二电流和所述第二光电二电流的测量确定光电二电流相对激光二电流在激光阈值之下的斜率;基于第一光修整参数、第二电修整参数以及光电二电流相对激光二电流在激光阈值之下的斜率,控制激光二管(10)在激光阈值之上的输出功率。
  • 控制激光二极管输出功率方法装置以及相关系统
  • [发明专利]光电转换器件-CN201110310637.7有效
  • 黑田享裕 - 佳能株式会社
  • 2011-10-14 - 2012-07-11 - H04N5/335
  • 本发明涉及一种光电转换器件,其具有:将光转换成电流的第一光电转换器;将光转换成电流的第二光电转换器;第一双晶体管,所述第一双晶体管将从第一光电转换器输入到第一双晶体管的基极的电流放大,并且从第一双晶体管的多个发射中的每一个发射输出放大后的电流;第二双晶体管,所述第二双晶体管将从第二光电转换器输入到第二双晶体管的基极的电流放大,并且从第二双晶体管的多个发射中的每一个发射输出放大后的电流;以及电流相加器,所述电流相加器将来自第一双晶体管的多个发射中的一个发射电流与来自第二双晶体管的多个发射中的一个发射电流相加,由此获得和电流
  • 光电转换器件

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