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[实用新型]交流电三极管半导体-CN202223564023.4有效
发明人：周继峰;张环;何磊 -专利权人：力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：公开了一种交流电三极管半导体。交流电三极管半导体包括N‑区、多个N+区和沟槽。N‑区被夹在两个P区之间。第一P区被连接到MT2端子，以及第二P区被连接至两个MT1端子。多个N+区位于第一P区内。沟槽位于两个栅极端子之间。
交流电三极管半导体

[发明专利]半导体器件-CN202211392448.3在审
发明人：穆纳福·T·A·拉希莫;尤利安·尼斯托尔 -专利权人： MQ半导体股份公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：具有五层结构的功率半导体器件包括与阴极区和栅极电极相邻的具有高掺杂物浓度的第一基层。安排在第一底层和漂移层之间的第二底层具有与第一底层相同的掺杂剂类型和较低的掺杂剂浓度。第一底层包括相邻排列的阴极基区和栅极基区，从而使阴极基区与阴极区接触。阴极基区的掺杂物浓度比栅极基区低，和/或栅极基区的深度比阴极基区大，以实现阻断状态下场的优化分布，并提高在动态雪崩条件下工作时的最大关断电流能力。
半导体器件

[发明专利]一种门极换流关断晶闸管通态损耗改进方法-CN201811083986.8有效
发明人：周文鹏;曾嵘;余占清;刘佳鹏;赵彪;许超群;屈鲁;庄池杰 -专利权人：国网浙江省电力公司;清华大学
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明提供一种门极换流关断晶闸管通态损耗改进方法，所述方法包括，所述方法通过工艺控制降低所述门极换流关断晶闸管的导通压降，从而减小所述晶闸管通态损耗；所述降低所述门极换流关断晶闸管的导通压降包括：降低门极换流关断晶闸管的硅的等效体电阻从而降低通态压降，和/或降低硅与两侧的金属块的接触压降。本发明的方法能够延长晶闸管使用寿命，增强了电子电路长期工作的稳定性。
一种换流晶闸管损耗改进方法

[实用新型]一种逆导晶闸管芯片-CN202121478715.X有效
发明人：徐爱民;刘峻峰 -专利权人：江苏扬杰润奥半导体有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体元件技术领域，尤其涉及一种逆导晶闸管芯片。其包括门极、放大门极、晶闸管芯片及设置于晶闸管芯片外围的二极管及隔离槽，隔离槽位于二极管与晶闸管芯片之间，放大门极包括若干与门极连接且以门极为中心间隔排布的T型枝条。本实用新型用于解决现有逆导晶闸管芯片性能参数较低的问题。采用4个T型的放大门极结构，使该器件的导通速度更快，具有更高的di/dt值，重复值可达到350A/μS。
一种晶闸管芯片

[实用新型]一种IGCT独立门极封装结构-CN202022890832.9有效
发明人：陈蓓璐;陈乐辉;朱敏 -专利权人：江阴市赛英电子股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种IGCT独立门极封装结构，属于IGCT技术领域。包括阴极法兰(6)、瓷环(5)和阴极铜块(1)，所述瓷环(5)上端面设有阴极法兰(6)，所述瓷环(5)下端面设有阴极密封圈(2)，所述阴极密封圈(2)底部外端设有阴极引出环(3)，所述阴极法兰(6)、瓷环(5)、阴极铜块(1)、阴极密封圈(2)和阴极引出环(3)上下同心叠合设置，所述瓷环(5)上穿设若干独立门极(4)，若干所述独立门极(4)环向均匀间隔设置。所述瓷环(5)厚度大于10mm。本申请通过厚型的瓷环取代上瓷环和下瓷环对独立门极的封装，不仅减小了电干扰性，而且解决了薄型瓷环变形和开裂的问题，提高了IGCT器件陶瓷封装外壳的成品率和可靠性。
一种 igct 独立封装结构

[发明专利]一种逆导型碳化硅n-GTO晶闸管及其制备方法-CN202110532677.X在审
发明人：王俊;刘航志;梁世维;俞恒裕;岳伟;张倩;杨余 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型碳化硅n‑GTO晶闸管半导体器件，包括自下而上设置的阳极结构、漂移层结构、门极结构以及阴极结构；阳极结构包括自下而上设置的阳极金属电极、第一掺杂类型P+注入层、第一掺杂类型P缓冲层以及设置在右边的第二掺杂类型N+层；漂移层结构包括自下而上设置的第二掺杂类型N场截止层和第二掺杂类型N‑漂移层；门极结构包括自下而上设置的第一掺杂类型P基区和栅极金属电极。该半导体器件结构通过将n‑GTO晶闸管与反向续流PiN二极管集成在同一器件结构上,从而有效降低芯片面积，提高系统功率密度和集成度，利用高质量的n型碳化硅衬底进行加工，并在普通碳化硅GTO晶闸管制备工艺流程上加入少量工艺步骤，即可完成全部制作过程。
一种逆导型碳化硅 gto 晶闸管及其制备方法

[实用新型]一种全控型晶闸管芯片-CN202022656034.X有效
发明人：王庆;赵大平;段昊;申笑林;杨一鸣;吴方劼;王奥;王尧玄;郝致远;杜商安;陈芳林;陈勇民;徐焕新 -专利权人：国家电网有限公司;国网经济技术研究院有限公司;株洲中车时代半导体有限公司;国网江苏省电力有限公司经济技术研究院
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种全控型晶闸管芯片，其特征在于，包括：门极电极和若干阴极电极，所述门极电极与所述阴极电极相互隔离，且各所述阴极电极单元通过外部导电片连接，所述门极电极通过同一铝层直接相连；所述阴极电极呈蜂巢状排布，其包括围绕芯片圆心等间距循环往外扩展排布的多个类六边形结构，且每一个所述类六边形结构均包括多个呈正六边形的阴极电极单元，且各所述阴极电极单元均匀排布在所述类六边形结构的每条边上，使得各所述阴极电极单元中心连线形成正六边形结构。本实用新型可以广泛应用于器件设计领域。
一种全控型晶闸管芯片

[发明专利]一种全控型晶闸管芯片及其设计方法-CN202011286706.0在审
发明人：王庆;赵大平;段昊;申笑林;杨一鸣;吴方劼;王奥;王尧玄;郝致远;杜商安;陈芳林;陈勇民;徐焕新 -专利权人：国家电网有限公司;国网经济技术研究院有限公司;株洲中车时代半导体有限公司;国网江苏省电力有限公司经济技术研究院
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明涉及一种全控型晶闸管芯片及其设计方法，其特征在于，包括：门极电极和若干阴极电极，所述门极电极与所述阴极电极相互隔离，且各所述阴极电极单元通过外部导电片连接，所述门极电极通过同一铝层直接相连；所述阴极电极呈蜂巢状排布，其包括围绕芯片圆心等间距循环往外扩展排布的多个类六边形结构，且每一个所述类六边形结构均包括多个呈正六边形的阴极电极单元，且各所述阴极电极单元均匀排布在所述类六边形结构的每条边上，使得各所述阴极电极单元中心连线形成正六边形结构。本发明可以广泛应用于器件设计领域。
一种全控型晶闸管芯片及其设计方法

[发明专利]一种逆导型SiC GTO半导体器件及其制备方法-CN202010841224.0在审
发明人：王俊;刘航志 -专利权人：湖南大学
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型SiC GTO半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。该半导体结构包括：第一掺杂类型P+注入层，第二掺杂类型N+注入层，第一掺杂类型P缓冲层，第一掺杂类型P‑漂移层，第二掺杂类型N基区，第二掺杂类型隔离N基区201‑2，以及第一掺杂类型P+阳极层；将普通GTO正向导通和PiN二极管反向续流的功能集成在一种半导体器件中，与两种器件并联使用相比，封装可靠性高，并且可大幅节省芯片面积，降低连接寄生阻抗，提高器件开关速度，同时避免模块式封装体积大、功率密度低的缺点；其制备方法在普通GTO工艺流程基础上加入少量步骤即可完成。
一种逆导型 sic gto 半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种具有高电流上升率的栅控晶闸管-CN201710706916.2有效
发明人：李泽宏;林育赐;谢驰;罗蕾;李佳驹;任敏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-08-17 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有高电流上升率的栅控晶闸管，属于功率器件技术领域。本发明自下而上包括依次层叠设置的金属阳极、第一导电类型半导体掺杂衬底，第二导电类型半导体掺杂外延层，所述第二导电类型半导体掺杂外延层的上表面设置有金属阴极和绝缘栅，所述第二导电类型半导体掺杂外延层的顶层两端分别设置有第一导电类型半导体掺杂阱区，第二导电类型半导体掺杂阱区和第一导电类型半导体重掺杂区，第二导电类型半导体掺杂阱区材料的禁带宽度大于第一导电类型半导体掺杂阱区材料的禁带宽度，第一导电类型半导体掺杂阱区材料的禁带宽度大于第二导电类型半导体掺杂外延层的禁带宽度。基于本发明器件结构能够大幅度提高了栅控晶闸管的电流上升率。
一种具有电流上升晶闸管

[实用新型]具备高电流冲击耐受能力的集成门极换流晶闸管器件-CN201822218485.8有效
发明人：刘佳鹏;曾嵘;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具备高电流冲击(dI/dt)耐受能力的集成门极换流晶闸管器件，包括门极换流晶闸管芯片单元及门极驱动单元，所述集成门极换流晶闸管器件还具有以下一种或多种：触发电流提升至10A的门极驱动单元、内部载流子寿命>100us的门极换流晶闸管芯片、阴极电流密度在芯片各区域近似相等的门极接触环阴极面结构、横向尺寸缩短至200um以内的单个门极换流晶闸管单元。本实用新型的集成门极换流晶闸管器件在高电流冲击的状况下能够充分导通而不损坏，有效降低系统应用中用于限制电流上升速率的阳极电抗，减小外部模块体积，提升了在应用中的便捷性。
集成门极换流晶闸管门极换流晶闸管高电流本实用新型耐受能力驱动单元门极芯片有效降低系统阴极载流子寿命尺寸缩短触发电流近似相等外部模块限制电流芯片单元阳极便捷性接触环阴极面导通电抗减小应用

[发明专利]关断型功率半导体器件及其制造方法-CN201680066270.X有效
发明人： M.阿尔诺德;U.维穆拉帕蒂 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明涉及一种关断型功率半导体器件，该器件包含多个晶闸管单元，各个晶闸管单元包含：阴极区；基极层；漂移层；阳极层；栅极电极，布置成横向于与基极层接触的阴极区；阴极电极；以及阳极电极。多个晶闸管单元的基极层与栅极电极之间的交界面以及阴极区与阴极电极之间的交界面为扁平且共面的。另外，基极层包括栅极阱区，栅极阱区从它与栅极电极的接触部延伸至深度，深度是阴极区的深度的至少一半，其中，对于任何深度，该深度处的栅极阱区的最小掺杂浓度是该深度处且横向位置处的位于阴极区与栅极阱区之间的基极层的掺杂浓度的1.5倍，其中，在到与第一主侧平行的平面上的正交投影中，该横向位置具有从阴极区起2µm的距离。
阴极区基极层阱区晶闸管单元栅极电极补偿区传导性类型掺杂阴极电极交界面功率半导体器件横向位置处横向位置阳极电极正交投影换向型晶闸管漂移层阳极层邻接关断平行延伸

[发明专利]具备高电流冲击耐受能力的集成门极换流晶闸管器件-CN201811616848.1在审
发明人：刘佳鹏;曾嵘;周文鹏;赵彪;余占清;陈政宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明提供一种具备高电流冲击(dI/dt)耐受能力的集成门极换流晶闸管器件，包括门极换流晶闸管芯片单元及门极驱动单元，所述集成门极换流晶闸管器件还具有以下一种或多种：触发电流提升至10A的门极驱动单元、内部载流子寿命>100us的门极换流晶闸管芯片、阴极电流密度在芯片各区域近似相等的门极接触环阴极面结构、横向尺寸缩短至200um以内的单个门极换流晶闸管单元。本发明的集成门极换流晶闸管器件在高电流冲击的状况下能够充分导通而不损坏，有效降低系统应用中用于限制电流上升速率的阳极电抗，减小外部模块体积，提升了在应用中的便捷性。
集成门极换流晶闸管门极换流晶闸管高电流耐受能力驱动单元门极芯片有效降低系统阴极载流子寿命尺寸缩短触发电流近似相等外部模块限制电流芯片单元阳极便捷性接触环阴极面导通电抗减小应用

[发明专利]门极可关断晶闸管及其制作方法-CN201811519866.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：泉州臻美智能科技有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明公开一种门极可关断晶闸管，其包括：衬底；位于衬底的上表面的外延层；贯穿外延层且底部延伸至衬底内的隔离沟槽，隔离沟槽将外延层分隔为第一区域和第二区域；填充在隔离沟槽内的隔离层；位于第一区域的第一注入区；位于第二区域的第二注入区；位于第二注入区的上表面的掺杂第一导电类型杂质的掺杂多晶硅层；位于第一注入区的上表面的阳极金属和位于第二注入区的上表面的门极金属；位于掺杂多晶硅层的上表面的阴极金属。本发明还公开该门极可关断晶闸管的制作方法。本发明所述门极可关断晶闸管具有关断拖尾电流小、关断功耗更低的特点，同时其门极、阳极、阴极三端均位于同一面，特别便于与其它电路进行工艺集成。
上表面注入区门极可关断晶闸管隔离沟槽外延层衬底掺杂多晶硅层第二区域第一区域门极第一导电类型阴极阳极工艺集成拖尾电流阳极金属阴极金属隔离层同一面分隔功耗关断三端填充制作掺杂电路金属贯穿延伸

[发明专利]一种门极可关断晶闸管及其制造方法-CN201811529527.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：泉州臻美智能科技有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/744 文献下载
摘要：本发明公开一种门极可关断晶闸管，包括自下而上依次形成的第一基区、第二基区、第三基区和第四基区，以及还包括形成在第一基区下表面的阳极金属、形成在第四基区上表面的阴极金属、以及形成在第四基区上表面的两个门极金属，两个门极金属分别位于阴极金属的两侧，门极可关断晶闸管还包括重掺杂的第一导电类型的埋层和重掺杂的第一导电类型的注入区，两个阴极金属下方分别形成有注入区，注入区的下方形成有埋层，埋层自第三基区的上表面向第三基区内延伸，注入区自第四基区的上表面贯穿第四基区。以及还公开了一种门极可关断晶闸管的制造方法。具有导通压降小、关断时间特别短。
基区门极可关断晶闸管上表面注入区阴极金属埋层第一导电类型重掺杂门极金属导通压降阳极金属下表面关断制造贯穿延伸

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