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[发明专利]分段宽变渐开线多指放大门极结构快速晶闸管-CN201110137341.X有效
发明人：王勇 -专利权人：杭州汉安半导体有限公司
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种分段宽变渐开线多指放大门极结构快速晶闸管，该快速晶闸管上设有放大门极G、阴极K和阳极A，所述放大门极G呈渐开线状辐射分布，所述放大门极G呈渐开线状的部分，该部分位于放大门极G中心处的宽度大于该部分位于放大门极该分段宽变渐开线多指放大门极结构快速晶闸管，通过改进渐开线状门极结构，著改善快了该速晶闸管的门极控制开启时间、di/dt耐量、门极控制开启均匀性、开启动态热对称性、高温可靠性、浪涌电流等性能。
分段渐开线多指放大门结构快速晶闸管

[发明专利]开关驱动电路-CN202210790748.0在审
发明人：奚嘉雯;裴晓泽;牛利勇;任必兴;申旭辉;孙栩;赵瑞斌;付明志;秦猛;陈怡静;李春华 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院;国网江苏省电力有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本申请提出了一种开关驱动电路，包括：N个开关单元，各开关单元包括并联的第一开关管和第二开关管；各所述开关单元串联连接；第一开关管的门极和第二开关管的门极用于接收驱动信号，以驱动第一开关管和第二开关管导通，以使直流电路通电，或者，驱动第一开关管和第二开关管断开，以使直流电路断电；第一开关管的发射极还通过均流单元与第二开关管的发射极连接，均流单元用于均衡第一开关管的发射极和第二开关管的发射极的电流。该电路在第一开关管和第二开关管之间设置均流单元，使得先导通的开关管的门极驱动电压降低，后导通的开关管的门极驱动电压升高，先导通的开关管的导通速度降低，后导通的开关管导通速度加快，从而提高了电流均衡能力。
开关驱动电路

[发明专利]功率半导体开关的门极电路及门极驱动电路-CN201810836997.2有效
发明人：应建平;王明;黄宵驳;刘军 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：本发明提供一种功率半导体开关的门极电路及门极驱动电路，包括：一稳压管和一电荷泄放电路，稳压管的第一端连接到电荷泄放电路的第一端和功率半导体开关的门极，稳压管的第二端连接到电荷泄放电路的第二端和功率半导体开关的第二端；功率半导体开关的第一端和门极之间具有第一寄生电容，功率半导体开关的门极和第二端之间具有第二寄生电容；当功率半导体开关的第一端和第二端之间出现电压跳变时，第一端输出的电流会注入第一寄生电容和第二寄生电容；并且当电流大于等于预设值时，电荷泄放电路导通，使得第一寄生电容和第二寄生电容上的电荷由电荷泄放电路进行泄放。本发明提供的电路结构简单，实现门极抗干扰，同时增加电路可靠性。
功率半导体开关电路驱动

[发明专利]适用于多电平变流器的IGBT驱动电源及其驱动方法-CN201210040025.5无效
发明人：施贻蒙 -专利权人：杭州飞仕得科技有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：IGBT驱动电源包括驱动控制单元、放大电路、门极电压调整电路和故障检测电路，驱动控制单元的输入端和上位机的驱动指令输出端相连，其控制信号输出端经放大电路和IGBT的门极相连，其门极电压调整信号输出端经门极电压调整电路和IGBT的门极相连，故障检测电路的输出端经驱动控制单元和上位机相连。驱动方法为：根据IGBT的工作状态驱动控制单元通过门极电压调整电路对IGBT的门极电压进行分段控制。本发明既保证了正常工作时的高效率，又在IGBT发生短路故障时，降低了IGBT短路时的电流以及IGBT关断时的电压尖峰，从而提高稳定性和可靠性。
适用于电平变流器 igbt 驱动电源及其方法

[发明专利]一种电动汽车用三并联IGBT驱动控制电路-CN201610106960.5有效
发明人：刘蕾;王体伟;苑红伟;万富翔 -专利权人：合肥巨一动力系统有限公司
申请日： 2016-02-28 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H02M7/5381 文献下载
摘要：本发明涉及一种电动汽车用三并联IGBT驱动控制电路，包括用于接收PWM驱动脉冲K1的推挽输出电路，其输出端与电流均衡电路的输入端相连，电流均衡电路的输出端分别与第一、二、三IGBT的门极相连；过压平衡保护电路的输入端接收控制端信号K2，过压平衡保护电路的输出端分别与第一、二、三IGBT的门极相连；第一、二、三IGBT的发射极均接参考基准信号K3，电压均衡电路的输出端分别接第一、二、三IGBT的门极以及第一、二、三IGBT的发射极本发明的电路结构简单，驱动能力强，采用推挽电路将PWM信号同时驱动三路IGBT门极信号；本发明通过推挽输出电路、电压均衡电路和过压平衡保护电路确保三IGBT并联输出的对称性好，保证了三IGBT并联工作三相输出的稳定性
一种电动汽车并联 igbt 驱动控制电路

[实用新型]一种电动汽车用三并联IGBT驱动控制电路-CN201620145906.7有效
发明人：刘蕾;王体伟;苑红伟;万富翔 -专利权人：合肥巨一动力系统有限公司
申请日： 2016-02-28 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种电动汽车用三并联IGBT驱动控制电路，包括用于接收PWM驱动脉冲K1的推挽输出电路，其输出端与电流均衡电路的输入端相连，电流均衡电路的输出端分别与第一、二、三IGBT的门极相连；过压平衡保护电路的输入端接收控制端信号K2，过压平衡保护电路的输出端分别与第一、二、三IGBT的门极相连；第一、二、三IGBT的发射极均接参考基准信号K3，电压均衡电路的输出端分别接第一、二、三IGBT的门极以及第一、二、三IGBT的发射极本实用新型的电路结构简单，驱动能力强，采用推挽电路将PWM信号同时驱动三路IGBT门极信号；本实用新型通过推挽输出电路、电压均衡电路和过压平衡保护电路确保三IGBT并联输出的对称性好，保证了三IGBT并联工作三相输出的稳定性
一种电动汽车并联 igbt 驱动控制电路

[实用新型]一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅-CN202021980455.1有效
发明人：魏广乾 -专利权人：西安坤维电子科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型涉及单向可控硅技术领域，且公开了一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅，包括门极电极G与阴极电极K，利用P型短基区扩散层的次表面层的高阻特性，将门极电极G与阴极电极K之间外接的1KΩ电阻集成到芯片本体的内部，形成横向扩散电阻RGK，当可控硅门极电极G与阴极电极K之间加电流IG时，在RGK上产生一个电压降VR，只有当VR大于等于P型短基区和N型长基区的门坎电压VO时，可控硅才会触发，克服了目前市场上的微触发单向可控硅温度特性差、IGT离散性大、维持电流高、开关速度低和VTM大等缺点，大大的提升了可控硅的性能，尤其是触发电流温度特性的高温特性得到了很大的改善。
一种新型抗干扰灵敏触发可控硅

[发明专利]一种IGBT模块性能检测装置及方法-CN201210418350.0有效
发明人：蒋时军;吕永宾;彭再武 -专利权人：湖南南车时代电动汽车股份有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT模块性能检测装置及方法，包括：电流发生电路，用于提供强电流流过待测IGBT模块的基极和射极；控制板，用于控制整个变流模块的智能化工作并发出脉冲信号；控制板，用于控制整个变流模块的智能化工作并发出脉冲信号；驱动板，用于将控制板提供的脉冲信号进行放大，使之成为IGBT模块的门极驱动脉冲。更改电路参数并不断测试，最终确定待测IGBT模块的最佳门极电阻及最优死区时间。
一种 igbt 模块性能检测装置方法

[实用新型]一种小电流限流电路-CN202021916552.4有效
发明人：石磊;赵字羽;张凯 -专利权人：东土科技（宜昌）有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种小电流限流电路，包括MOS管，该MOS管的门极接收到开启电压时其输入端与输出端导通；三极管Q1，其发射极、集电极和基极分别连接供电输入端、MOS管的门极和MOS管的输入端；三极管Q1的发射极和基极之间连接有限流电阻；供电输入端与接地端之间连接有分压电阻，通过电阻分压后连接至MOS管的门极为MOS管提供开启电压。在MOS管的门极设置开启电容，通过增大MOS管导通时间来起到缓启动的功能，在MOS管的DS侧增加阻容滤波电路，在MOS管开启瞬间消除尖峰干扰。在MOS管的门极增加稳压管，防止输入瞬间电压过高，损坏MOS管。
一种电流限流电路

[发明专利]高可靠性补偿电抗器-CN201410578293.1有效
发明人：李宁;费远鹏;刘辉 -专利权人：苏州工业园区和顺电气股份有限公司
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：用于接收来自电网的电能；取能模块包括串联的第一稳压管、第二稳压管，此第一稳压管将来自所述电源模块的直流电压转化为12V电压；连接到光电接口模块的控制器，用于根据电网中无功量调整所述电抗器投切角度；连接到所述晶闸管门极的触发模块，将同步电流信号放大转换为驱动晶闸管门极的电流脉冲；触发反馈模块，用于采集所述晶闸管两端的电压和门极电压从而生成电压状态反馈信号；一用于指示触发状态的第3发光二极管与第7电阻串联后连接到第2二极管和第3二极管的连接点。本发明可将晶闸管方便进行实时监控和保护，且具有触发精确、稳定性好、功耗小，克服了主电路中的大电流，具有一定的抗干扰性能。
可靠性补偿电抗

[实用新型]一种具有抑制变频器干扰的输出接地短路保护电路-CN201821607631.X有效
发明人：蔡光熠;张畅;陈志成;陈德英;陈鑫 -专利权人：泉州市桑川电气设备有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H02H7/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有抑制变频器干扰的输出接地短路保护电路，包括短路信号处理电路、IGBT模块门极驱动电路和高频电流互感器，高频电流互感器的输出端与短路信号处理电路的输入端电连接，短路信号处理电路的输出端电连接变频器的主控单元的输入端，且主控单元的输出端电连接IGBT模块门极驱动电路的输入端，IGBT模块门极驱动电路的输出端电连接变频器的主回路逆变单元的控制端，高频电流互感器包括铁氧体磁环和绝缘漆包线，绝缘漆包线绕设于铁氧体磁环上，变频器的三相输出的引出线同时从铁氧体磁环中穿过，能够抑制变频器产生辐射干扰以及减小变频器的漏电电流。
变频器高频电流互感器门极驱动电路输出端电连接信号处理电路铁氧体磁环短路变频器干扰绝缘漆包线接地短路三相输出主控单元输入端引出线电路输入端电连接穿过本实用新型辐射干扰漏电电流逆变单元铁氧体磁输出控制端输出端主回路减小

[发明专利]负载控制设备-CN201180003624.3有效
发明人：大岛俊藏;青野宽子 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明公开一种负载控制设备，在该设备中即便设置用于噪声对策的第一电容器(C1)，检测过电流的电路也能够正确地工作。由于第二电容器(C2)设置FET(T1)的门极和漏极之间，当点(P1)的电压(V1)减小时，FET(T1)的一部分门极电流绕过该FET(T 1)并且流向电容器(C2)，并施加在FET(T1)的门极的电荷量减少因此，能够抑制FET(T1)的漏极电流的增加并且能够防止电压(V1)的突然变化。结果，能够防止电压(V1)减少到使比较器(CMP1)不能工作的程度，并且能够防止比较器(CMP1)不正常工作。
负载控制设备

[实用新型]一种三相逆变模块并联IGBT驱动保护板-CN201420806275.X有效
发明人：刘志华;王传芳;徐玉峰 -专利权人：北京赛德高科铁道电气科技有限责任公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-04-08 - 主分类号： H02H7/122 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三相逆变模块并联IGBT驱动保护板，包括控制芯片、驱动电源监测保护电路、并联门极驱动电路和短路电流保护电路；并联门极驱动电路与所述控制芯片的脉冲输出端连接，并分别与并联IGBT连接；驱动电源监测保护电路与控制芯片连接，并通过故障监测电路连接到故障状态输出端；短路电流保护电路与所述控制芯片连接，并通过短路监测电路与IGBT连接。用以实现对并联IGBT的可靠有效的驱动、电源监测和短路电流保护，适用电力机车辅助电源。
一种三相模块并联 igbt 驱动保护

[实用新型]节能PTC起动器-CN200420043442.6无效
发明人：黄智航 -专利权人：黄智航
申请日： 2004-03-15 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H02P1/42 文献下载
摘要：主PTC元件与一个双向可控硅串联，双向可控硅门极电流由一个小PTC电阻控制。开始通电时小PTC电阻阻值较小，通过的电流经移相电容分流后触发双向可控硅导通。随着主PTC元件和小PTC电阻发热和阻值增大，双向可控硅门极电流减小，最终使双向可控硅关断，主PTC元件不再通电，也不再产生功耗，此时只有小PTC电阻产生功耗，整个起动器功耗较小，断电后复位时间较短。
节能 ptc 起动器

[实用新型]分段宽变渐开线多指放大门极结构快速晶闸管-CN201120170400.9无效
发明人：王勇 -专利权人：杭州汉安半导体有限公司
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L29/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种分段宽变渐开线多指放大门极结构快速晶闸管，该快速晶闸管上设有放大门极G、阴极K和阳极A，所述放大门极G呈渐开线状辐射分布，所述放大门极G呈渐开线状的部分，该部分位于放大门极G中心处的宽度大于该部分位于放大门极该分段宽变渐开线多指放大门极结构快速晶闸管，通过改进渐开线状门极结构，著改善快了该速晶闸管的门极控制开启时间、di/dt耐量、门极控制开启均匀性、开启动态热对称性、高温可靠性、浪涌电流等性能。
分段渐开线多指放大门结构快速晶闸管

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