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[发明专利]晶圆键合方法及其键合装置-CN201610908069.3有效
发明人：三重野文健 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合方法及其键合装置，所述键合方法包括：提供氮化镓晶圆与碳化硅晶圆；在所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上均形成无定型碳化硅；将所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆形成有所述无定型碳化硅的一面进行键合，并且在键合过程中进行微波退火；所述氮化镓晶圆与碳化硅晶圆上的无定型碳化硅通过微波退火转换为结晶碳化硅，从而使氮化镓晶圆与碳化硅晶圆完成键合，提高了键合的效率，从而提高了氮化镓基半导体器件的可靠性。
晶圆键合方法及其装置

[发明专利]氮化镓晶圆的切割方法及氮化镓功率器件的封装方法-CN202211618667.9在审
发明人：徐佳敏;银发友;韩杰;邹松 -专利权人：杭州云镓半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/782 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，特别涉及一种氮化镓晶圆的切割方法及氮化镓功率器件的封装方法。先对氮化镓晶圆正面开槽，使得切割道中的氮化镓层被移除，再对氮化镓晶圆进行半切割，后对氮化镓晶圆正面使用粘性更强的保护膜后再进行背面减薄。本发明使得氮化镓晶圆的一部分应力在开槽时提前释放，避免了氮化镓晶圆背面减薄过程中晶粒飞离的问题，解决了氮化镓晶圆厚度越薄，切割时破裂的风险越大的问题，也避免了在传统工艺中出现崩边、翘曲等问题，为氮化镓功率器件未来在更小、更薄尺寸上的应用提供条件。同时在移除氮化镓晶圆背面蓝膜的过程中利用了伯努利原理，避免氮化镓晶圆与剥膜设备台面发生应力碰撞，进一步降低了氮化镓晶圆碎裂的风险。
氮化镓晶圆切割方法功率器件封装

[发明专利]砷化镓晶圆的划切方法-CN202310075103.3在审
发明人：张兴华 -专利权人：深圳西斯特科技有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本申请提出一种砷化镓晶圆的划切方法，包括：将砷化镓晶圆的背面贴上胶膜；标记贴有胶膜的砷化镓晶圆的晶体方向，并基于砷化镓晶圆的晶体方向确定CH1方向和CH2方向，砷化镓晶圆的晶向为CH1方向和CH2方向的直角平分线；将贴有胶膜的砷化镓晶圆固定在划片机的工作盘上；使划片机上的划片刀以第一划切参数对砷化镓晶圆进行CH1方向的划切，划片刀的划切深度与砷化镓晶圆的厚度相等；使划片机上的划片刀以第二划切参数对砷化镓晶圆进行CH2方向的划切，其中划片刀的划切深度大于砷化镓晶圆的厚度，且小于砷化镓晶圆和胶膜的厚度之和；获取划切后的砷化镓晶圆。上述的划切方法能够在保证砷化镓晶圆正面、背面、侧面划切质量的前提下，提高划切效率。
砷化镓晶圆方法

[发明专利]一种氮化镓晶圆加工工艺-CN202211507735.4在审
发明人：严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴 -专利权人：中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓晶圆加工工艺，属于半导体领域。一种氮化镓晶圆加工工艺，包括以下步骤：在陶瓷载板上形成沉积层；将氮化镓晶圆的一端面贴合在陶瓷载板的沉积层上，通过永久键合技术使得氮化镓晶圆固定连接在沉积层上；在晶圆的另一端面进行金属离子注入与离子活化制程；在晶圆的另一端面上涂布键合剂，并键合玻璃载板；通过在沉积层周遭施加蚀刻剂以去除沉积层，进而从晶圆上移除陶瓷载板。
一种氮化镓晶圆加工工艺

[发明专利]一种氮化镓晶圆的腐蚀装置-CN202011488898.3在审
发明人：乔焜;邵文锋;林岳明 -专利权人：国镓芯科（深圳）半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓晶圆的腐蚀装置，涉及氮化镓晶圆衬底缺陷测评技术领域，包括机架和设置在机架上的电气控制组件、腐蚀槽以及第一机械臂，所述第一机械臂与电气控制组件电性连接，所述腐蚀槽中盛放有强碱，氮化镓晶圆放置在卡模上，所述卡模挂在第一机械臂上，通过电气控制组件控制第一机械臂将氮化镓晶圆浸入强碱、从强碱中取出以及控制氮化镓晶圆在强碱中的浸泡时长。本发明提供的一种氮化镓晶圆的腐蚀装置，通过机械设备操作氮化镓晶圆腐蚀过程，保证操作人员的安全，简化腐蚀过程，提高测评效率。
一种氮化镓晶圆腐蚀装置

[发明专利]大尺寸晶圆透明GaNHEMT器件的制备方法-CN202211434356.7在审
发明人：刘志宏;赵雪利;许淑宁;危虎;邢伟川;侯松岩;张苇杭;周瑾;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了大尺寸晶圆透明GaN HEMT器件的制备方法，具体为：在大尺寸硅基氮化镓HEMT晶圆上进行系列器件制备工艺，包括欧姆电极制备、台面隔离和肖特基栅极制备等；在正面工艺结束后将晶圆翻转临时键合到载片上；将硅基氮化镓HEMT晶圆的硅衬底去除；然后将透明衬底与氮化镓异质晶圆紧密地结合起来；最后解晶圆正面的临时键合。本发明的方法，借助硅基氮化镓HEMT晶圆，可以实现6英寸、8英寸或者更大尺寸晶圆制备；在硅衬底上完成外延生长和器件制备后将其转移到透明衬底上，保证了整体透明性，避免了直接在透明衬底晶圆上加工GaN HEMT
尺寸透明 ganhemt 器件制备方法

[发明专利]砷化镓晶圆用除氧托盘-CN201611116809.6有效
发明人：王干;赵玉华 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓晶圆用除氧托盘。该砷化镓晶圆用除氧托盘包括底座和定位组件；底座开设有贯通底座且用于安装砷化镓晶圆的安装孔，安装孔的侧壁上设有限位凸起；定位组件能够与底座固定连接，且定位组件与限位凸起能够分别与砷化镓晶圆的相对的两个表面的边缘相抵接而夹持固定砷化镓晶圆上述砷化镓晶圆用除氧托盘能够简化砷化镓晶圆的除氧工艺的操作、提高除氧效率且能够较为稳固地固定砷化镓晶圆。
砷化镓晶圆用托盘

[发明专利]一种GaN器件及其制备方法-CN202210901999.1有效
发明人：武乐可;夏远洋;范晓成;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述方法包括在衬底上依次生长氮化镓缓冲层和第一氮化镓沟道层；在第一氮化镓沟道层上沉积一层钝化层；将第一氮化镓沟道层的目标区域上沉积的钝化层去除得到晶圆；在晶圆上依次生长第二氮化镓沟道层和氮化镓铝势垒层得到生长晶圆；使用湿法腐蚀的方法将生长晶圆中的钝化层以及钝化层上生长的第二氮化镓沟道层和氮化镓铝势垒层去除得到去除钝化层的晶圆；在去除钝化层的晶圆上设置源极金属、栅极金属和漏极金属得到GaN器件。
一种 gan 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于氧化镓的MOS晶圆制备方法-CN202210954253.7在审
发明人：刘道国 -专利权人：深圳市尚鼎芯科技有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种基于氧化镓的MOS晶圆制备方法，包括：制备氧化镓衬底；在所述氧化镓衬底上制备氧化镍/氧化镓异质PN结；通过所述氧化镓衬底和所述氧化镍/氧化镓异质PN结，制备氧化镓基底的MOS晶圆。本技术方案中通过硬掩模的镂空部分磁控溅射氧化镍，可以获得自上而下的氧化镍/氧化镓异质PN结构，解决氧化镓P型掺杂困难的问题，从而使氧化镓增强型MOS晶圆的制备成为可能。
一种基于氧化 mos 制备方法

[发明专利]一种氮化镓晶圆片边缘处理方法-CN201710495263.8在审
发明人：谢宇 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓晶圆片边缘处理方法，所述处理方法本为采用激光对所述氮化镓晶圆片边缘进行全切(full‑cut)和切边(flat)或者切槽(notch)处理。首先在待处理的氮化镓晶圆片边缘设置预切割图形，然后将所述氮化镓晶圆片置于激光工作台上，调整所述氮化镓晶圆的位置，确定所述氮化镓晶圆表面与激光束垂直，同时可以进行同轴气体吹扫；然后将所述激光束聚焦于所述预切割图形位置进行切割本发明通过高能量激光对氮化镓晶圆片进行烧蚀，从而实现切割去除边缘部分，该方法具有耗时短，耗材少，维护成本低，效率高，适用于对各种氮化镓晶体进行边缘处理。
一种氮化镓晶圆片边缘处理方法

[发明专利]硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法-CN201910418758.X有效
发明人：潘嘉;杨继业;黄璇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，包括步骤：步骤一、提供硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产线，混合生产线是在硅半导体产品的生产线的设备增加氮化镓产品的专用生产设备组成；步骤二、进行混合生产，在混合生产中，氮化镓产品的生产步骤包括：步骤21、提供晶圆；步骤22、采用氮化镓产品的专用生产设备在晶圆上形成具有镓含量的外延层；步骤23、在完成所有具有镓含量的外延层后，在晶圆背面形成镓扩散隔离层以防止晶圆的背面区域中的镓向外扩散本发明能降低氮化镓产品的生产成本，还能实现氮化镓产品和硅半导体产品的集成。
半导体产品氮化混合生产方法

[发明专利]一种增强型GaN功率器件及其制备方法-CN202211298496.6在审
发明人：武乐可;范晓成;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：所述制备方法，包括：将第一氮化镓铝势垒层的目标区域上沉积的第一钝化层去除得到晶圆；在晶圆上生长第二氮化镓铝势垒层得到生长晶圆；将生长晶圆中的第一钝化层去除得到去除晶圆；在去除晶圆上沉积一层第二钝化层得到沉积晶圆；将沉积晶圆上的设定区域上沉积的第二钝化层去除得到待填充晶圆；在待填充晶圆上填充镍电极，并在氧气中退火得到退火晶圆；在退火晶圆上设置源极、栅极和漏极得到增强型GaN功率器件。本发明避免了刻蚀不均匀引起的阈值电压分散，避免了对栅极氮化镓铝表面的损伤，削弱了电流崩塌的不利影响。
一种增强 gan 功率器件及其制备方法

[发明专利]硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法-CN201910419299.7有效
发明人：潘嘉;杨继业;黄璇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产的方法，包括步骤：步骤一、提供硅半导体产品和氮化镓产品的混合生产线，混合生产线是在硅半导体产品的生产线的设备增加氮化镓产品的专用生产设备组成；步骤二、进行混合生产，在混合生产中，氮化镓产品的生产步骤包括：步骤21、提供晶圆；步骤22、采用氮化镓产品的专用生产设备在晶圆上形成具有镓含量的外延层；步骤23、在完成所有具有镓含量的外延层后，对晶圆进行背面处理以去除镓对晶圆背面产生的污染本发明能降低氮化镓产品的生产成本，还能实现氮化镓产品和硅半导体产品的集成。
半导体产品氮化混合生产方法

[发明专利]一种增强型GaN功率器件制备方法-CN202211036451.1在审
发明人：武乐可;夏远洋;范晓成;李亦衡;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种增强型GaN功率器件制备方法，涉及半导体器件制造技术领域，包括：在晶圆的表面沉积一层钝化层；对沉积有钝化层的晶圆进行刻蚀，分别刻蚀掉源极电极区域、栅源区域、漏极电极区域以及栅漏区域的钝化层和p型氮化镓层；在刻蚀后的晶圆的表面依次生长第二层氮化镓铝层、氮化镓本征层和原位生长氮化硅层；去除生长后的晶圆中p型氮化镓层上的钝化层、第二层氮化镓铝层、氮化镓本征层和原位生长氮化硅层，得到待激活晶圆；对待激活晶圆进行激活；在激活后的晶圆上设置源极电极、栅极电极和漏极电极，得到增强型GaN功率器件。
一种增强 gan 功率器件制备方法

[发明专利]Micro LED的生产方法-CN202210095436.8在审
发明人：韦雄奕 -专利权人：希姆通信息技术（上海）有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro LED的生产方法，包括以下步骤：步骤1：利用厚度为150微米的蓝宝石制作硅基背板晶圆板，并在硅基背板晶圆板上高温生长氮化镓LED晶体；步骤2：采用多点吸取式工具吸取氮化镓LED晶体，使氮化镓LED晶体从硅基背板晶圆板上剥离；步骤3：对氮化镓LED晶体的翘曲部分进行切割；步骤4：将氮化镓LED晶体与硅基晶体板结合成整体，制成Micro LED。本发明能降低硅基背板晶圆板弯曲和氮化镓LED晶体翘曲的情况发生，使氮化镓LED晶体能顺利制成Micro LED，提高Micro LED的生产质量。
micro led 生产方法

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