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[发明专利]显示面板用阵列基板的制造方法-CN202010601725.1有效
发明人：中泽昭则 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种显示面板用阵列基板的制造方法，其制造适用于显示面板时抑制缺陷产生的阵列基板，其包括：形成规定形状的金属膜(51)的金属膜形成工序；在金属膜(51)的上层侧形成有绝缘性的绝缘膜(52)的绝缘膜形成工序；及在绝缘膜(52)的上层侧形成有导电性的导电膜(54)的导电膜形成工序；在金属膜(51)形成工序后且所述绝缘膜形成工序前，实施金属膜形状检查工序，所述金属膜形状检查工序检查金属膜(51)是否形成为如所述规定形状，在金属膜形状检查工序中，金属膜(51)被识别在所述规定形状以外的区域中形成有突出部分的情况下，在所述绝缘膜形成工序之前，对所述突出部分实施激光照射工序，修正金属膜(51)的形状。
显示面板阵列制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件-CN200510074824.4无效
发明人：森田敏行;丰田启;松井嘉孝;池谷文敏;坂田敦子;坚田富夫;尾本诚一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过电镀方法在其表面中具有凹槽部分的衬底上形成第一金属膜，以将所述第一金属膜埋入所述凹槽部分的至少部分中；通过不同于所述电镀方法的膜沉积方法在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜包括作为主要成分的金属并包含杂质，所述金属是所述第一金属膜的主要成分，所述杂质的浓度低于所述第一金属膜中包含的杂质的浓度；热处理所述第一和第二金属膜；以及除去除了埋入所述凹槽中的部分之外的所述第一和第二金属膜
半导体器件制造方法

[发明专利]导电性薄膜的制造方法及导电性薄膜-CN201880006578.4在审
发明人：一木孝彦 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够获得导电性薄膜的导电性薄膜的制造方法，该导电性薄膜具备具有与透明树脂基板的优异的密合性的金属细线。并且，提供一种导电性薄膜。导电性薄膜的制造方法依次具有：在透明树脂基板的至少一侧的主面上，以与透明树脂基板相接的方式，形成含有镍作为主要成分的第1金属膜的工序；在第1金属膜上形成含有铜作为主要成分的第2金属膜的工序；在第2金属膜上形成在供形成金属细线的区域具备开口部的抗蚀剂膜的工序；去除开口部内的第2金属膜的工序；通过镀覆法，在开口部内且第1金属膜上形成第3金属膜的工序；去除抗蚀剂膜的工序；去除第1金属膜上的第2金属膜的工序；及将第3金属膜作为掩模，去除第1金属膜的工序。
金属膜导电性薄膜去除透明树脂基板开口部金属细线抗蚀剂膜制造密合性镀覆掩模

[发明专利]一种卷膜覆膜装置-CN201810564741.0在审
发明人：葛志闪 -专利权人：苏州古柏利电子科技有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： B29C63/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种卷膜覆膜装置，所述的覆膜装置包括机架、设置在机架上的用于卷绕薄膜的送膜辊、用于卷绕金属膜的金属膜辊轮、用于将金属膜压覆在薄膜上的加热辊、用于卷绕成品的收料辊，所述的送膜辊上的薄膜和所述的金属膜辊轮上的金属膜经过所述的加热辊压覆形成成品后被所述的收料辊绕卷本申请所述的一种卷膜覆膜装置，具有金属膜辊轮，能够将金属膜覆盖在薄膜上。
金属膜覆膜装置薄膜辊轮卷膜卷绕收料辊送膜辊加热辊压金属膜压加热辊绕卷申请覆盖

[实用新型]一种染色镀金属膜-CN201220488973.0有效
发明人：李宏富 -专利权人：浙江笙富精密科技有限公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： B32B15/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种染色镀金属膜，包括PET膜，在所述PET膜表面覆有一层金属膜，在金属膜表面再覆有一层染色层；本产品可根据实际需要在金属膜表面上色，使得镀金属膜呈现多种色泽。
一种染色镀金

[发明专利]一种抗氧化PET银膜制备方法-CN202111554172.X在审
发明人：邓建东;李庆春;陈明源;薛海星 -专利权人：东莞市光志光电有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗氧化PET银膜制备方法，包括以下步骤：在PET基材的表面采用卷对卷式溅射镀Ag薄膜；选择Sn或Zn在Ag薄膜上采用卷对卷式溅射镀层，形成Sn金属膜层或Zn金属膜层；在Sn金属膜层或Zn金属膜层上涂聚氨酯防水涂料，与空气中的湿气接触后固化形成聚氨脂保护层；采用微凹贴合连续机，在聚氨脂保护层上贴附聚酯PET白膜或聚酯PET黑膜或聚酯PET镀铝膜。本发明通过在Ag薄膜上镀Sn金属膜层或Zn金属膜层，Sn金属膜层或Zn金属膜层可作为Ag薄膜的抗氧化层，并且可降低高温高湿环境中的影响，金属膜层上还设有聚氨脂保护层和聚酯PET膜，可减缓金属膜层的氧化速度
一种氧化 pet 制备方法

[发明专利]一种金属膜网版的制造工艺-CN201911251621.6有效
发明人：章征国;章征强;蒋豪跃 -专利权人：浙江硕克科技有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B41C1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属膜网版的制造工艺，该金属膜网版的制造工艺包括预先取来丝网平铺放置，再将金属膜置于转移膜，且在金属膜上附着经加热后起到粘附功能的胶水，最后将金属膜附着胶水的一面热压至丝网，并取下转移膜；其中，在热压操作前，对金属膜进行雕刻，达到所需形状。该金属膜网版通过胶粘合在丝网网版上制成印刷网版，并且采用本发明提供的工艺方法，能够快速和高效的制作金属膜网版。金属膜网版，使用过程中耐异物颗粒挤压，不易磨损和破损，能提高印刷稳定性与生产效率，降低印刷成本，整体功能完善，实用性强。
一种金属膜制造工艺

[发明专利]半导体制备方法-CN201811060771.4在审
发明人：崔晓彤;金子贵昭;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体制备方法，包括如下步骤：步骤S1：提供具有介电层的衬底，在介电层上形成开口；步骤S2：在介电层上沉积第一金属膜层，第一金属膜层的金属填满开口；步骤S3：在第一金属膜层上沉积第二金属膜层，该第二金属膜层的材料的吉布斯自由能变，低于第一金属膜层的材料的吉布斯自由能变；步骤S4：进行退火处理；步骤S5：去除第二金属膜层以及介电层上的第一金属膜层。在退火工艺中，氧离子优先朝向第二金属膜层运动，氧离子与第二金属膜层发生反应并保留在第二金属膜层，在后续将第二金属膜层去除时，一并将氧离子去除，提高金属互联结构的导电性，有利于增强所形成半导体器件的稳定性
金属膜层介电层氧离子去除吉布斯自由能半导体制备沉积开口半导体技术领域金属互联结构半导体器件导电性金属填满退火处理退火工艺衬底保留

[实用新型]一种翻转装置-CN202122416245.0有效
发明人：杜望 -专利权人：乐金显示光电科技（中国）有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G01G19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种翻转装置，属于显示技术领域，翻转装置包括承载平台、金属膜治具和重量传感器，承载平台具有承载面，金属膜治具设置于承载面上，金属膜治具包括支撑部，支撑部的顶端能够支撑金属膜；重量传感器设置于承载面上且位于支撑部的底端，重量传感器被配置为检测金属膜治具和位于金属膜治具上的金属膜的重量。通过重量传感器的检测，能够及时发现金属膜存在重复的问题，进而及时进行处理，防止重复的金属膜进入后续工艺，保证产品质量，提高产品合格率。
一种翻转装置

[发明专利]光掩膜的铬金属膜去除方法-CN200910055834.1有效
发明人：黄金;葛海鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种光掩膜的铬金属膜去除方法，包括石英基板、以及依次镀在石英基板上的相位偏移膜及铬金属膜，该方法包括：在铬金属膜上涂布第一光刻胶层后，进行光掩膜图形的图案化；以图案化的光刻胶层作为保护层，刻蚀铬金属膜形成光掩膜图形，去除第一光刻胶层；以铬金属膜作为保护层，干法刻蚀相位偏移膜形成相位偏移光掩膜图形；在铬金属膜以及相位偏移膜上涂布第二光刻胶层后，进行铬金属膜所需图形的图案化；以图案化的第二光刻胶层作为保护层，湿法刻蚀铬金属膜形成铬金属膜所需图形后，再以图案化的第二光刻胶层作为保护层，干法刻蚀残留的铬金属膜，去除光刻胶层。本发明在不耗费大量的时间和成本的前提下将光掩膜的铬金属膜去除干净。
光掩膜金属膜去除方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN03816402.7有效
发明人：木村孝浩;内堀千寻 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-07-24 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，其包括：通过在半导体基板的上方形成的有机层间绝缘膜(22)的上面形成金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)和金属膜(24)的界面上得到防止金属扩散用的碳化金属膜(23)的工序；通过对于碳化金属膜(23)有选择性地除去金属膜(24)，在有机层间绝缘膜(22)的上面残留碳化金属膜(23)的工序。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201210026493.7有效
发明人：山本祐广 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置，其能够更好地防止焊盘下面的绝缘膜产生裂缝。作为解决手段，半导体装置具有三层结构的焊盘，该三层结构的焊盘由第1金属膜、第2金属膜和第3金属膜构成，第2金属膜具有比第1金属膜和第3金属膜的杨氏模量高的杨氏模量。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN98101070.9无效
发明人：太田顺道;正户宏幸;熊渕康仁;北畠真 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-04-01 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在由碳化硅构成的衬底的上面沉积由镍等构成的第一金属膜及第二金属膜。在该状态中，第一金属膜和衬底的界面及第二金属膜和衬底的界面共为肖特基接触。接着，从衬底的上面一侧，将激光的前端部缩小仅对衬底的第一金属膜照射激光。因此，即使不加热衬底整体，通过激光的能量使第一金属膜和衬底构成的金属一半导体界面合金化，由于在第一金属膜和衬底的界面得到欧姆接触，其结果，得到由第一金属膜构成的欧姆电极。
半导体装置

[发明专利]激光切片方法-CN201310269397.X有效
发明人：佐藤庄一 -专利权人：东芝机械株式会社
申请日： 2013-06-28 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： B23K26/40 文献下载
摘要：一种激光切片方法，是在表面上具备金属膜的被加工基板的激光切片方法，其特征在于，具有：第一金属膜剥离步骤，沿第一直线对金属膜照射被散焦的脉冲激光束，将金属膜剥离；第二金属膜剥离步骤，沿与第一直线正交的第二直线对金属膜照射被散焦的脉冲激光束，将金属膜剥离；以及裂纹形成步骤，对被加工基板的剥离了金属膜的区域照射脉冲激光束，在被加工基板上形成裂纹；在第一直线与第二直线交叉的区域中，在第一金属膜剥离步骤或第二金属膜剥离步骤中任一方的步骤中，将脉冲激光束的照射中断
激光切片方法

[发明专利]金属膜及其制备方法,层压陶瓷电子元件及其制备方法-CN02122752.7有效
发明人：穐吉哲平 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2002-06-10 - 公布日： 2003-01-15 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属膜的制备方法。该金属膜用于形成层压陶瓷电子元件的内导电膜，具有优异的从支持元件上的脱模性，其上不容易出现缺陷，例如与支持元件的剥离和裂纹。第一金属膜是利用真空薄膜成形设备在支持元件上形成由无电镀催化剂物质制成的。然后利用第一金属膜作催化剂进行无电镀的同时，通过由金属形成膜而制成第二金属膜。第一金属膜成形步骤在第一金属膜生长为均匀连续膜之前完成。
金属膜及其制备方法层压陶瓷电子元件