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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置、及半导体装置的制造方法-CN202111458618.9在审
发明人：有贺智崇;北村政幸;丰田启 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置、及半导体装置的制造方法。半导体装置具备积层体及形成在积层体的存储器孔内的存储器柱。存储器柱具有依次积层着半导体部(61b)、隧道绝缘膜(62a)、及电荷储存层(62b)的构造。在电荷储存层(62b)与导电体层(52)之间设置有阻挡绝缘膜(53)。导电体层(52)包含钼。阻挡绝缘膜(53)具有氧化硅膜(53a)及氧化铝膜(53b)。在从导电体层(52)到氧化铝膜(53b)为止的区域，包含抑制OH扩散的氯。相比于导电体层(52)中的第1部分的杂质的浓度，导电体层中比第1部分更接近氧化铝膜(53b)的第2部分的氯的浓度更高。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN202110836682.X在审
发明人：北村政幸;广桥拓也;木下繁;丰田启 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备层叠体，所述层叠体包括：交替地层叠的绝缘层和包含钼的导电层；氧化铝层，其设置在所述绝缘层与所述导电层之间；以及保护层，其与所述氧化铝层相接，包含与所述氧化铝层中的铝进行了结合的碳、氮和硫中的任一种，与所述导电层相接。所述层叠体具有设置在所述绝缘层和所述导电层内的绝缘体，所述绝缘体与所述绝缘层的一部分、所述氧化铝层的一部分、所述保护层的一部分以及所述导电层的一部分相接。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010768213.4在审
发明人：别府贵幸;北村政幸;丰田启;名取克晃 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备相互邻接的多个绝缘膜。导电膜设置在多个绝缘膜之间。导电膜使用钼构成，该钼具有与该导电膜的上表面到下表面的距离大致相同大小的粒径。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN201910665554.6在审
发明人：名取克晃;丰田启;北村政幸;別府贵幸 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种能够抑制因钼的附着所产生的问题的半导体制造装置及半导体装置的制造方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括将衬底收容到收容部内。进而，所述方法包括：将含有钼的第1气体供给到所述收容部内而在所述衬底形成含有钼的膜。进而，所述方法包括：在将形成了所述膜的所述衬底从所述收容部搬出后，将含有氯的第2气体供给到所述收容部内，而将附着在所述收容部内的表面的钼去除。
半导体制造装置方法

[发明专利]电子部件制造方法-CN200710092331.2有效
发明人： 丰田启;莲沼正彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-02-27 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：一种制造电子部件的方法，包括在基体上方形成籽晶膜，冷却所述籽晶膜，以及将所述冷却的籽晶膜放入镀敷溶液中以利用所述籽晶膜作为阴极进行电镀。
电子部件制造方法

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN200510128561.0无效
发明人： 丰田启;中尾光博;莲沼正彦;金子尚史;坂田敦子;小向敏章 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-01 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层，与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200510105721.X无效
发明人： 丰田启;伊藤祥代;莲沼正彦;金子尚史 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面的半导体器件的制造方法包括：在其表面具有凹槽部分的衬底上形成镀膜，以通过镀敷方法填埋所述凹槽部分；在所述镀膜上形成压应力施加膜，所述压应力施加膜由具有与构成所述镀膜的金属的热膨胀系数相比 60％或更小的热膨胀系数的材料构成；热处理，通过所述压应力施加膜向所述镀膜施加压应力；以及去除所述压应力施加膜和没有填埋在所述凹槽部分中的所述镀膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件-CN200510074824.4无效
发明人：森田敏行;丰田启;松井嘉孝;池谷文敏;坂田敦子;坚田富夫;尾本诚一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：通过电镀方法在其表面中具有凹槽部分的衬底上形成第一金属膜，以将所述第一金属膜埋入所述凹槽部分的至少部分中；通过不同于所述电镀方法的膜沉积方法在所述第一金属膜上形成第二金属膜，所述第二金属膜包括作为主要成分的金属并包含杂质，所述金属是所述第一金属膜的主要成分，所述杂质的浓度低于所述第一金属膜中包含的杂质的浓度；热处理所述第一和第二金属膜；以及除去除了埋入所述凹槽中的部分之外的所述第一和第二金属膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]压电薄膜器件及其制造方法-CN200510006851.8无效
发明人：佐野贤也;尾原亮一;梁濑直子;安本恭章;板谷和彦;川久保隆;丰田启;莲沼正彦;长野利彦;阿部和秀;西垣亨彦;柴田浩延 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H03H9/15 文献下载
摘要：一种压电薄膜器件包括设置在衬底上的非晶态金属膜和设置在非晶态金属膜上的压电膜。压电膜的一个晶轴在垂直于非晶态金属的表面的方向上对齐。
压电薄膜器件及其制造方法

[发明专利]电镀装置、电镀方法和半导体器件的制造方法-CN200410096554.2有效
发明人： 丰田启;松井嘉孝;八寻和之;山边纯成;三岛志朗;永松贵人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-11-30 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例，提供一种电镀装置，包括：贮存电镀溶液的电镀溶液槽；在电镀溶液槽中固定其上形成籽晶层的衬底的固定器；放在电镀溶液槽中的第一阳极，该第一阳极由氧化－还原电位比构成籽晶层的金属的氧化－还原电位更高的阳极金属构成，并且电连接到由固定器固定的衬底的籽晶层上；以及放在所述电镀溶液槽中的第二阳极，该第二阳极能够在由固定器固定的衬底的籽晶层之间施加电压。
电镀装置方法半导体器件制造

[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法-CN02118069.5有效
发明人： 丰田启;中尾光博;莲沼正彦;金子尚史;坂田敦子;小向敏章 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-03-01 - 公布日： 2002-10-23 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：提供一种具有在半导体衬底上形成的铜布线层,与上述铜布线层导通并包含铜和比铜更易氧化的金属的合金层形成至底面的焊盘电极层和备有到达上述焊盘电极层的开口部的绝缘性保护膜的半导体器件。
半导体器件制造方法

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