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[实用新型]BT复合型安全防爆金属化薄膜-CN201120204185.X无效
发明人：荚朝辉 -专利权人：铜陵其利电子材料有限公司
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种BT复合型安全防爆金属化薄膜，包括导电的金属层和绝缘的薄膜介质层，导电的金属层镀膜在绝缘的薄膜介质层上，并在薄膜介质层沿着纵方向的一端边保留一条具有一定宽度的空白留边，所述金属层为BT复合型的网格结构，包括边缘加厚区（5）、金属化网格（7）、连接相邻金属化网格（7）的金属化细丝（6）以及连接边缘加厚区（5）和相邻金属化网格（7）的窄条金属镀层（4）。采用这样的结构，边缘加厚区独立完整，在卷绕电容器芯子时能使金属化薄膜很好的贴附，并且喷金吸附好；边缘加厚区与相邻的金属化网格通过窄条金属镀层相连，原有的金属化细丝不被破坏，并且电容器容量不易被衰减。
bt 复合型安全防爆金属化薄膜

[实用新型]抗氧化金属化锌铝膜-CN201320010873.1有效
发明人：汤泽波;朱晓红 -专利权人：铜陵市东市电子有限责任公司
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：一种抗氧化金属化锌铝膜，涉及电容器技术领域，由基膜层和金属化层组成，其特征在于：所述的金属化层从靠近基膜层向外排列依次为第一铝层、锌层、第二铝层，所述的第二铝层外为保护油涂层。本实用新型在锌层外再增加了一层铝层，同时在金属化层外侧增加保护油涂层，铝在空气中会和氧气结合形成较为致密的氧化铝层，从而阻止内部金属化层快速氧化，同时在金属化层增加保护油涂层，等于为金属层增加了一个“油封”，减少金属化层和空气的接触，增加金属化膜的抗氧化能力。
氧化金属化锌铝膜

[实用新型]一种镀铝锌加厚分区结构的电容器-CN201220373554.2有效
发明人：林瑞福 -专利权人：东莞凯励电子有限公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型属于电容器技术领域，特别涉及一种镀铝锌加厚分区结构的电容器，包括引线，电容芯子，电容芯子的两端设有喷焊层，引线焊接于喷焊层，电容芯子由两层金属化膜卷绕而成，金属化膜由有机薄膜和附着在有机薄膜的金属镀层构成，金属镀层包括铝镀层和附着在铝镀层上的锌加厚边，两层金属化膜为第一金属化膜和第二金属化膜，第一金属化膜的金属镀层连续地附着在有机薄膜上，第二金属化膜的金属镀层设有分区间隔，第二金属化膜被间隔均匀地分为数个并联的工作区间，第一金属化膜和第二金属化膜形成正对面积，一个正对面积相当于一个电容，即每个工作区间形成一个正对面积，相当于有数个相同容量的电容并联构成，使电容质量稳定，线路损耗降低。
一种镀铝加厚分区结构电容器

[发明专利]一种金属化金刚石纳米复镀薄膜及其制备方法-CN201910911724.4在审
发明人：王军友;陈鸿杰;杨晓磊 -专利权人：郑州华晶新能源科技有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明提供一种金属化金刚石纳米复镀薄膜的制备方法，其步骤包括：利用等离子体增强化学气相沉积法在金属化薄膜表面沉积金刚石纳米薄膜层。本发明还提供由该方法制备的金属化金刚石纳米复镀薄膜，它包括金属化薄膜和沉积在所述金属化薄膜表面的金刚石纳米薄膜层。本发明在现有金属化薄膜镀层上复镀一层金刚石纳米薄膜，能够保护原有金属镀层不被蚀失、提高薄膜抗电强度和提高金属化薄膜介电常数。
金属化薄膜薄膜金刚石纳米金属化金刚石薄膜层制备等离子体增强化学气相沉积法金属化薄膜镀层表面沉积介电常数金属镀层沉积

[发明专利]一种高纯氧化铝陶瓷梯度涂层金属化方法-CN202210898815.0在审
发明人：李栋才;何仓宝;王永胜;陈静;肖必华 -专利权人：安徽建筑大学
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯氧化铝陶瓷梯度涂层金属化方法，通过丝网印刷方式在高纯氧化铝刚玉陶瓷表面涂覆底层低钼含量高玻璃相含量金属化膏料；再通过一定的方式涂覆一层高钼含量低玻璃相含量金属化膏料，形成梯度金属化层涂层该梯度涂覆金属化层的方法，能结合经典粉末金属化工艺，兼顾金属化层表层的可焊性、易于二次金属化性和金属化层底层与衬底陶瓷材料㓎润与结合性问题及金属化层本身结构稳定性问题，提高了高纯氧化铝刚玉陶瓷与金属封接试样的力学性能和气密性本发明所获得的高纯氧化铝刚玉陶瓷金属化层与可伐合金的封接强度可达95～115MPa，He泄漏率可达到0.5x10‑10～1.0x10‑10<
一种高纯氧化铝陶瓷梯度涂层金属化方法

[发明专利]用于加工半导体工件的方法和半导体工件-CN201510231287.3在审
发明人： S.法伊斯;S.亨内克;E.纳佩奇尼希;I.尼基廷;D.佩多内;B.魏德冈斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-05-08 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：根据各种实施例的用于加工半导体器件的方法可以包括：在半导体工件上方沉积第一金属化层；使所述第一金属化层形成图案；以及在形成图案的第一金属化层上方沉积第二金属化层，其中沉积所述第二金属化层包括无电沉积工艺，该无电沉积工艺包括将形成图案的第一金属化层浸入金属电解质中。
用于加工半导体工件方法

[发明专利]具有金属化表面的成型聚合物结构-CN201810159093.0在审
发明人：保罗·肯尼思·德洛克;托马斯·穆斯利赫;拉伦·米歇尔·布朗;迈克尔·A·穆斯利赫;斯图尔特·C·萨尔特 -专利权人：福特全球技术公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B60R19/52 文献下载
摘要：一种成型金属化聚合物结构，包括具有金属化表面的可金属电镀的聚合物部件，其中该部件包括一个或多个锁定元件。成型金属化聚合物结构还包括连接到金属化表面的一个或多个结合区域的聚合物树脂，其中聚合物树脂设置为与一个或多个锁定元件接触。成型金属化聚合物结构具有金属化表面的一个或多个视觉上暴露的部分。
金属化表面聚合物结构成型金属聚合物树脂锁定元件成型聚合物聚合物部件结合区域金属电镀视觉暴露

[发明专利]受益于气隙集成电容的过孔自对准和短路改善-CN201480083536.2有效
发明人： K·J·辛格;A·M·迈尔斯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种方法，包括在集成电路结构的金属线之间形成牺牲材料；在所述牺牲材料上形成掩模；以及在形成所述掩模之后，去除所述牺牲材料以在所述金属线之间留下空隙。一种装置，包括集成电路衬底；在衬底上的第一金属化层级；第二金属化层级；以及设置在所述第一金属化层级和所述第二金属化层级之间的掩模，所述掩模包括具有孔隙率的电介质材料，所述孔隙率被选择为允许通过所述电介质材料进行质量输运，其中，所述第一金属化层级和所述第二金属化层级中的每一个包括多条金属线，并且所述第一金属化层级和所述第二金属化层级中的至少一个的相邻金属线的一部分由空隙隔开。
受益集成电容对准短路改善

[发明专利]一种抗氧化金属化膜及其制作方法-CN202010877271.0在审
发明人：汤泽波;王余跃 -专利权人：安徽赛福电子有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗氧化金属化膜，包括第一金属化极板层、第二金属化极板层和有机电介质薄膜层，所述第一金属化极板层底部设有第二金属化极板层，所述第二金属化极板层底部设有有机电介质薄膜层；还包括第一抗氧化油层和第二抗氧化油层，所述第一抗氧化油层设置在第一金属化极板层顶部，所述第二抗氧化油层设置在有机电介质薄膜层底部。相发明优点在于，现有金属化膜结构之上，增加了第一抗氧化油层和第二抗氧化油层，第一抗氧化油层可以隔绝其下的第一金属化极板层和第二金属化极板层与外界空气的接触，起到防止氧化的目的，增加第二抗氧化油层后，发生运动摩擦的是两层抗氧化油层
一种氧化金属化及其制作方法

[发明专利]一种陶瓷器件表面金属化的方法-CN202011517100.3在审
发明人：高亮;卫秀娟 -专利权人：苏州市高科百年工贸有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷器件表面金属化的方法，包括以下步骤：S1、对陶瓷器件进行清洗；S2、将清洗后的陶瓷器件进行烘干；S3、对陶瓷器件表面金属化材料的原料进行准备；S4、制备陶瓷器件表面金属化的材料；S5、将材料涂抹在陶瓷器件上；S6、对陶瓷器件进行烧结；S7、将陶瓷器件进行降温，本发明在对陶瓷器件表面金属化的过程中，通过超声波清洗设备对陶瓷器件表面沾染的污渍进行清理，使得陶瓷器件与金属化材料之间进行有效黏结，从而提高金属化材料的黏结效果，且金属化材料通过加入Mn、SiO和Si等原料，使得金属化材料的强度高，黏结效果好，使得陶瓷器件在金属化后的强度更高，利于陶瓷器件的金属化。
一种陶瓷器件表面金属化方法

[发明专利]半导体模块装置-CN202010721075.4在审
发明人： D·多梅斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：第一半导体衬底包括布置在第一金属化层与第三金属化层之间的第一电介质绝缘层、以及布置在所述第三金属化层与第二金属化层之间的第二电介质绝缘层。第二半导体衬底包括布置在第一金属化层与第三金属化层之间的第一电介质绝缘层、以及布置在所述第三金属化层与第二金属化层之间的第二电介质绝缘层。第一半导体衬底的第三金属化层电耦合到第一电势，并且第二半导体衬底的第三金属化层电耦合到与第一电势相反的第二电势。
半导体模块装置

[发明专利]功率半导体的可靠区域接合件-CN201310178772.X有效
发明人： R.巴耶雷尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：功率半导体模块包括：电绝缘衬底；铜金属化，所述铜金属化被布置在衬底的第一侧上并被构图到管芯附着区和多个接触区中；以及半导体管芯，所述半导体管芯附着至所述管芯附着区。管芯包括：有源器件区；以及一个或多个铜管芯金属化层，所述一个或多个铜管芯金属化层被布置在有源器件区之上。有源器件区被布置为比所述一个或多个铜管芯金属化层更接近于铜金属化。与有源器件区间隔最远的铜管芯金属化层具有在管芯的面向远离衬底的一侧的大部分之上延伸的接触区域。模块进一步包括铜互连金属化，所述铜互连金属化经由无铝区域接合件连接至管芯的接触区域，并且连接至铜金属化的接触区中的第一接触区。
功率半导体可靠区域接合

[实用新型]一种安全型金属化薄膜电容器-CN200920058450.0有效
发明人：何文钜 -专利权人：佛山市顺德区丰明电子科技有限公司
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开一种安全型金属化薄膜电容器，包括层叠卷绕的双面金属化薄膜、光膜和单面金属化安全薄膜，单面金属化安全薄膜包括金属化电极层和介质层，双面金属化薄膜通过纵向设置的空白带分割成左电极层和右电极层，单面金属化安全薄膜的两端边缘设有空隙带，所述金属化电极层通过若干条空白条分割成若干块横向设置并相互独立的电极块，介质层与双面金属化薄膜连接，电极块通过介质层和光膜与左电极层和右电极层交错对应，使每一电极块与左电极层和右电极层形成一组两个相互串联的子电容，通过喷涂于双面金属化薄膜边缘上的喷金导电层，将各组子电容并联形成等效电路，避免导致整个电容器失效，大大提高了电容器的安全性能和使用质量。
一种安全金属化薄膜电容器

[实用新型]薄膜电容器-CN202122352517.5有效
发明人：朱健;蔡志愿;魏晓宇 -专利权人：厦门法拉电子股份有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种薄膜电容器，薄膜电容器由一张金属化聚丙烯薄膜和一张金属化聚醚酰亚胺薄膜错位卷绕而成；其中，金属化聚丙烯薄膜包括聚丙烯薄膜和第一金属化电极，第一金属化电极相对聚丙烯薄膜形成第一留白区域；金属化聚醚酰亚胺薄膜包括聚醚酰亚胺薄膜和第二金属化电极，第二金属化电极相对聚醚酰亚胺薄膜形成第二留白区域；第一留白区域与第二留白区域错位设置；在重合的区域上，第一金属化电极层的方阻大于等于10Ω/□，第二金属化电极层的方阻小于等于10Ω/□；能够在保证薄膜电容器性能的前提下，有效提高聚丙烯薄膜及聚醚酰亚胺薄膜的工作电场强度，有效提高聚丙烯薄膜的使用温度上限，使其适用于复杂的工作环境。
薄膜电容器

[实用新型]金属化电容器芯子散热器及其安装结构-CN202223118825.2有效
发明人：姚一峰;孙志付;郑君;沈俊;徐胤;薛冠军;许伟 -专利权人：日新电机（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01G2/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种金属化电容器芯子散热器及其安装结构，金属化电容器芯子散热器它包括热量收集板、左侧热量引出片与右侧热量引出片；其安装结构它包括金属化电容器箱壳，热量收集板的前端与金属化电容器箱壳的前面板的后壁面相固定，热量收集板的后端与金属化电容器箱壳的后面板的前壁面相固定，热量收集板的上端距离金属化电容器箱壳的顶板具有一段距离，热量收集板的下端距离金属化电容器箱壳的底板具有一段距离；左侧热量引出片以及右侧热量引出片同时与金属化电容器箱壳的后面板的前壁面相焊接本实用新型可以非常经济的为双排电容器元件结构的金属化电容器芯子内部提供散热通道，降低金属化电容器芯子内部温升。
金属化电容器芯子散热器及其安装结构

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