专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种金属膜固定装置及金属膜通流特性测试方法-CN201510604026.1有效
  • 林福昌;李浩原;李化;李智威;王博闻;王文娟;黄想 - 华中科技大学
  • 2015-09-21 - 2017-12-08 - G01R27/14
  • 本发明公开了一种金属膜固定装置及金属膜通流特性测试方法。该装置包括第一固定板、第二固定板、多个连接拉杆、第一活动拉杆、第二活动拉杆、两个弹簧、两个固定螺母、两个托杆和两个条状金属电极。长条状的金属膜试品能很简单方便地固定于该装置上,且利用弹簧使条状金属膜样品处于绷紧状态,通过保证每次试验中弹簧弹力的一致性,确保多次重复试验中金属膜样品状况的一致性;通过条状金属电极与托杆对金属膜进行固定和电气连接,可保证金属金属层与条状金属电极接触的稳定性和可靠性;条状金属膜试品位于装置顶端,因而能很方便地观察试验过程中金属膜试品上金属层状况的变化。
  • 一种金属化固定装置流通特性测试方法
  • [实用新型]一种大容量膜箔复合式电极电容器-CN201720144955.3有效
  • 林正亮;宣华伟;姚林生 - 郑州华翔电子信息技术有限公司
  • 2017-02-17 - 2017-08-18 - H01G4/005
  • 本实用新型涉及一种大容量膜箔复合式电极电容器,包括壳体、电容器芯子、CP线构成,电容器芯子为由第一单面金属薄膜层、第二双面金属箔薄膜层、第三单面金属薄膜层三层依次叠加卷绕形成的串联芯子;第一单面金属薄膜层包括第一薄膜介质层和第一薄膜介质层外侧蒸镀的第一金属薄膜,第二双面金属薄膜层包括第二薄膜介质层和位于第二薄膜介质层两侧的上金属箔、下金属箔,第三单面金属薄膜层包括第三薄膜介质层和第三薄膜介质层外侧蒸镀的第三金属薄膜;CP线分别为左CP线和右CP线,左CP线连接下金属箔和第一金属薄膜,并引出壳体外,右CP线连接上金属箔和第三金属薄膜,并引出壳体外。
  • 一种容量复合电极电容器
  • [发明专利]半导体器件金属方法和太阳能电池制备方法-CN202010188231.5在审
  • 梁建军;舒欣 - 常州捷佳创精密机械有限公司
  • 2020-03-17 - 2020-07-17 - H01L31/20
  • 本发明提出了一种半导体器件金属方法和太阳能电池制备方法,其中,半导体器件金属方法包括:在基材的双面沉积绝缘层;在绝缘层上设置掩膜层,在掩膜层上形成刻蚀图案;基于刻蚀图案刻蚀绝缘层至暴露基材,形成电镀开口;在电镀开口处设置导电浆料,形成电镀种子层;在电镀种子层上形成金属结构。通过本发明提供的半导体器件金属方法,通过绝缘层的形成,基于刻蚀图案刻蚀绝缘层能够形成电镀开口,使得金属结构形成在电镀开口内,便于控制金属结构的高宽比,同时能够防止金属结构塌陷,提高金属结构的质量
  • 半导体器件金属化方法太阳能电池制备
  • [发明专利]半导体元件结构的制备方法-CN202211719278.5在审
  • 林诗恩;秦瑞临 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-08-08 - H01L21/768
  • 该制备方法包括:提供一基底;在该基底上形成一第一金属线及一第二金属线,其中该第一金属线及该第二金属线沿一第一方向延伸;在该第一金属线与该第二金属线之间形成一第一隔离特征及一第二隔离特征,其中该第一金属线、该第二金属线、该第一隔离特征以及该第二隔离特征定义一孔径;形成一轮廓修饰子以修饰该孔径在平面视图中的轮廓;以及在该孔径内形成一触点特征。
  • 半导体元件结构制备方法
  • [发明专利]半导体元件结构-CN202211386224.1在审
  • 林诗恩;秦瑞临 - 南亚科技股份有限公司
  • 2022-11-07 - 2023-08-15 - H01L23/528
  • 该半导体元件结构包括一第一金属线、一第二金属线、一第一隔离特征、一第二隔离特征、一轮廓修饰子以及一触点特征。该第一金属线及该第二金属线沿一第一方向延伸。该第一隔离特征及该第二隔离特征设置在该第一金属线与该第二金属线之间。该第一金属线、该第二金属线、该第一隔离特征以及该第二隔离特征定义一孔径。
  • 半导体元件结构
  • [发明专利]RFID芯片模块-CN201280041390.6有效
  • 斯蒂芬·比勒 - 泰克斯蒂尔玛股份公司
  • 2012-08-07 - 2014-04-30 - G06K19/077
  • 有图案的金属层被沉积在所述载体的所述第二主表面上,所述金属层具有第一金属结构和第二金属结构,所述第一金属结构与所述第二金属结构电隔离。所述芯片被电连接到所述第一金属结构和所述第二金属结构。所述芯片模块特别包括RFID芯片,并且适于通过激光回流焊接连接到织物基底。
  • rfid芯片模块
  • [发明专利]一种改进陶瓷金属层显微结构的方法-CN200810223084.X无效
  • 郝俊杰;陈敏;郭志猛;李美霞;其其格 - 北京科技大学
  • 2008-09-26 - 2009-01-28 - C04B37/02
  • 本发明属于陶瓷-金属封接技术领域,特别涉及一种液相法混合陶瓷金属粉的方法,即在均匀沉淀法制备超细钼粉的过程中加入陶瓷金属所需的玻璃粉使其在溶液中进行混合,从而得到混合均匀并且钼粉粒度达到纳米级的陶瓷金属粉末,使用该粉末进行陶瓷金属烧结,能够获得理想的陶瓷金属层显微结构。其特征在于用分析纯仲钼酸铵配成一定浓度的钼酸铵溶液;加入氨水调节pH值;按比例加入PVP和草酸;使其完全溶解后再加入一定比例陶瓷金属所需的玻璃粉;注入强酸并搅拌,得到白色凝胶;把烘干的白色凝胶进行低温还原;加入Mn粉混合成陶瓷金属粉末后进行陶瓷金属烧结,从而获得理想的陶瓷金属层显微结构。
  • 一种改进陶瓷金属化显微结构方法
  • [发明专利]一种安全防爆型金属薄膜-CN202011309217.2在审
  • 钱婧 - 马鞍山悠思电子科技有限公司
  • 2020-11-20 - 2021-04-16 - H01G4/015
  • 本发明提供一种安全防爆型金属薄膜,所述金属薄膜包括自下而上依次设置的经过电晕处理的BOPP薄膜、金属层、加厚层以及耐高温层;所述BOPP薄膜的一端设置有不蒸镀金属的空白留边;所述金属层包括全金属区域和网格状金属区域,所述网格状金属区域设置在空白留边和全金属区域之间;所述加厚层真空蒸镀在全金属区域上远离空白留边的一端。本发明通过提高所述金属薄膜耐受大电流能力、耐温性能和自愈能力,提高电容器的可靠性、安全性和品质,延长其使用寿命,避免发生连续性自愈击穿,局部的BOPP薄膜软化,发生热熔现象,造成电容器失效和爆炸。
  • 一种安全防爆金属化薄膜

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