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[发明专利]氮化物半导体装置及其制造方法-CN202080098651.2在审
发明人：滝口雄贵;桧座秀一;柳生荣治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体装置，其具备：金刚石基板；设置在金刚石基板上的第一石墨烯层；设置在第一石墨烯层上的第二石墨烯层；设置在所述第二石墨烯层上的氮化物半导体层；和设置在所述氮化物半导体层上的具有电极的氮化物半导体元件，其中，所述第一石墨烯层和第二石墨烯层作为金刚石基板和氮化物半导体层的界面层而设置。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于合成半导体金刚石的石墨材料以及由该材料制备的半导体金刚石-CN01823915.3无效
发明人：福长修;大久保博;曾我部敏明;东城哲朗 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2001-12-28 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： C01B31/06 文献下载
摘要：在由高压合成法制备含硼的半导体金刚石时，向旨在转化为半导体金刚石的石墨材料中按使其均匀的方式加入硼或硼化合物，使之致密、高纯度化，降低含氢量。
用于合成半导体金刚石石墨材料以及制备

[发明专利]一种金刚石单线电火花复合加工方法与装置-CN201910970118.X在审
发明人：仇健;葛任鹏 -专利权人：青岛高测科技股份有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石单线电火花复合加工方法与装置，包括线辊驱动电机，所述线辊驱动电机的一端设置有线辊。本发明通过设置的脉冲电源、正极进电线、负极进电线与进电电刷，将传统电火花放电加工与金刚石线切割技术相结合实现电火花金刚石线复合加工半导体晶硅，针对金刚线切割加工半导体等晶硅的加工表面微裂纹、划痕等表面缺陷问题，在金刚线单线切割的基础上加入电火花放电加工实现加工表面的提升，为其在半导体行业的推广应用提供帮助，且电火花金刚石线复合加工半导体晶硅，电火花放电加工产生的加工表面的凹坑有利于降低后续制绒工序的工作强度，甚至进一步实现金刚石多线切割机晶硅切片的晶元制绒一体化。
晶硅电火花放电加工加工表面电火花半导体金刚石复合加工金刚石线驱动电机线辊制绒单线电线电火花复合加工正极金刚石线切割半导体行业多线切割机线切割加工负极表面缺陷脉冲电源一端设置金刚线微裂纹凹坑电刷划痕晶元切片切割一体化帮助

[发明专利]金刚石薄膜的光敏晶体管的制备方法-CN200910196564.6有效
发明人：王林军;张弋;黄健;方谦;曾庆锴;张旭;夏义本 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-09-27 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于自支撑金刚石薄膜的金属Pb-氰化物SiO2-P型金刚石薄膜半导体场效应晶体管的制备方法，属于光电探测器件制造工艺技术领域。本发明的特点是：(1)利用具有p型导电类型金刚石薄膜作为表面p型沟道层，其是p型金刚石薄膜不是通过掺杂获得，而是采用氢等离子体刻蚀的方法在自支撑金刚石的成核面获得H终端P型金刚石薄膜半导体导电层。(2)去除了一般常用的硅衬底，采用了具有一定厚度的自支撑金刚石薄膜。本发明的金刚石薄膜光敏晶体管可适用于高温、高频、大功率及恶劣环境条件下的应用；并具有较高的稳定性能，响应速度快，抗辐照能力强。
金刚石薄膜光敏晶体管制备方法

[发明专利]半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法-CN201710948663.X在审
发明人：王晶晶;冯志红;蔚翠;周闯杰;刘庆彬;何泽召 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及利用突变异质结形成金刚石p型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面形成具有受主特性的一层或多层异质单质或化合物，在所述金刚石与受主层的界面处形成一个异质结，在所述金刚石的一侧近结10nm‑20nm处形成二维空穴气所述方法可使p型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率在0℃‑1000℃范围内保持稳定，进而实现金刚石器件在高温环境下正常工作。
半导体器件利用突变异质结形成金刚石导电沟道方法

[发明专利]一种单点金刚石车削加工过程切削区域温度在线测量装置-CN202211585437.7在审
发明人：陈远流;刘士荃;陈孝洲;周晓华;尹健;杜凯;李国;曹生炜;杜姗 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明涉及超精密加工过程中的测温技术领域，特指一种单点金刚石车削加工过程切削区域温度在线测量装置，包括感温金刚石刀具、刀具壳体和温度采集电路，感温金刚石刀具与温度采集电路之间形成导电通路；所述温度采集电路采集切削过程中所述感温金刚石刀具的电压变化，并转换为温度信号；所述感温金刚石刀具通过硼氢协同掺杂实现金刚石半导体改性，利用半导体化的金刚石刀具材料固有电阻随温度规律变化来实现切削区域温度的测量。
一种单点金刚石车削加工过程切削区域温度在线测量装置

[发明专利]一种金刚石膜表面选区扩散形成P-N结的制备方法-CN201410738255.8有效
发明人：刘金龙;李成明;陈良贤;化称意;郭建超;闫雄伯;黑立富;魏俊俊 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种金刚石膜表面选区扩散形成P-N结的制备方法，属于无机非金属材料领域。工艺步骤如下：a.利用高本底真空微波等离子体化学气相沉积装置，通过控制金刚石生长特征获得高质量非掺杂本征金刚石膜；b.等离子体中引入高浓度硼源实现高掺杂浓度金刚石膜P型半导体的生长，以使得空穴载流子能够完全激活；c.降低硼源浓度生长轻掺杂金刚石膜，为后续氢原子扩散提供宿体；d.关闭碳源和硼源，并在掺硼金刚石表面增加掩膜版，使局部表面在低温下进行氢原子长时扩散改性，使得暴露于氢原子下的轻硼掺杂金刚石膜向N型半导体转变本发明能够便捷地实现金刚石表面微区P-N结结构，方便基于P-N结型金刚石微电子器件的制作。
一种金刚石表面选区扩散形成制备方法

[发明专利]半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法-CN201710948671.4在审
发明人：王晶晶;冯志红;蔚翠;周闯杰;刘庆彬;何泽召 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及利用异质结形成金刚石n型导电沟道的方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括在衬底上形成高阻金刚石层；在所述高阻金刚石层的上表面沉积具有施主特性且组分缓变的三元化合物形成第一施主层，在所述金刚石层与第一施主层的界面处形成一个缓变异质结，在金刚石一侧，近结处形成二维电子气所述方法可使n型金刚石材料沟道内的载流子浓度和迁移率分别达到1013cm‑2和2000cm2/Vs。
半导体器件利用异质结形成金刚石导电沟道方法

[发明专利]可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法-CN202210297544.3在审
发明人：李柳暗;付诗洋;王启亮;成绍恒 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的可用于单片集成的金刚石基CMOS逻辑电路及制备方法属于半导体单片集成电路技术领域，其结构由下往上依次包括衬底(1)、金刚石外延层(2)、氢终端二维空穴气(3)、绝缘介质层(4)、半导体层和欧姆接触电极；制备方法包括在衬底上生长金刚石外延层、刻蚀形成凹槽结构、形成氢终端二维空穴气等步骤。本发明工艺简单，利用氢终端金刚石表面的二维空穴气作为栅电极可以有效缩短晶体管栅极长度，并且利用p、n型半导体形成CMOS结构，有利于后续单片集成。
用于单片集成金刚石 cmos 逻辑电路制备方法

[发明专利]氮化物半导体装置以及氮化物半导体装置的制造方法-CN202180093557.2在审
发明人：今村谦;桧座秀一;西村邦彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L29/812 文献下载
摘要：本公开的目的在于，在作为基板具有金刚石的氮化物半导体装置中低成本地得到期望的高频特性。在本公开所涉及的氮化物半导体装置(101)中，设置从金刚石层(11)的第1主面(S1)贯通金刚石层(11)、中间层(12)以及氮化物半导体层(13)而到达电极(14)的通路孔(16)。通路孔(16)是具有与金刚石层(11)的第1主面(S1)相接的大口径通路孔(16b)和面对电极(14)且比大口径通路孔(16b)小径并且锥形形状的小口径通路孔(16a)的多级构造。
氮化物半导体装置以及制造方法

[发明专利]带有热扩散器的半导体结构及其制造方法-CN201180005226.5无效
发明人：艾兰·霍赫斯塔德特;约翰·鲁尔斯顿 -专利权人：诺瓦特安斯集团有限公司
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：提供了一种半导体结构以及一种用于制造所述结构的方法。该半导体结构包括一个薄膜半导体，该薄膜半导体具有一个活性区域并且被置于一个金刚石基底上。该薄膜半导体优选是直接粘合到该金刚石层上、或者可以通过一种介电胶黏剂而粘附到其上。
带有扩散器半导体结构及其制造方法

[发明专利]光电器件及其制备方法-CN202080103793.3在审
发明人：张丽旸;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：该光电器件包括依次层叠设置第一半导体层、有源层、第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第二半导体层中设有一层纳米金刚石结构，所述纳米金刚石结构与所述第二半导体层的导电类型相同本申请通过在第二半导体层中设置一层纳米金刚石结构，可以有效避免吸收有源层发出的UV光线，达到大幅度提升UV LED的光提取效率的有益效果。
光电器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体基材的表面处理方法-CN201810249734.1在审
发明人：郎鑫涛 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体基材的表面处理方法，首先采用超声波对半导体基材进行预清洗，以清除半导体基材表面的污迹，然后采用离子束刻蚀预清洗后的半导体基材，以提高半导体基材表面的清洁度，再采用磁控溅射在刻蚀后的半导体基材上沉积硅过渡层，以提高后续工序中类金刚石膜与半导体基材之间的结合性能，接着在沉积硅过渡层后的半导体基材上沉积类金刚石膜，以获得均匀致密的覆盖层，最后在沉积类金刚石膜后的半导体基材上掺杂氟，以提高半导体基材的疏水疏油性，从而避免水汽、液体、油污等积聚在半导体基材的表面，从而改善半导体的性能。
半导体基材沉积类金刚石膜半导体基材表面硅过渡层预清洗半导体技术领域清洁度离子束刻蚀磁控溅射后续工序结合性能均匀致密污迹超声波覆盖层疏油性水汽刻蚀疏水油污半导体掺杂积聚

[发明专利]金刚石复合基板及其制造方法-CN200480000322.0无效
发明人：目黑贵一;山本喜之;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-01-22 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表面上而形成金刚石复合基板。在所述的金刚石复合基板中，优选具有金刚石单晶基板的最大表面积的主要面为{100}面，而且金刚石多晶膜层叠在平行于该面的反面上。金刚石单晶基板3可以由具有相同方位的主要面的多个金刚石单晶构成，而且这些多个金刚石单晶可以通过金刚石单晶层4连接而形成金刚石复合基板2。金刚石单晶也可以用作种子晶体以及在其表面通过气相合成提供金刚石单晶。
金刚石复合及其制造方法

[实用新型]一种基于金刚石的耐压耐电流SiC PIN二极管-CN202122420684.9有效
发明人：张瑜洁;施广彦;李佳帅;李志君;黄波 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于金刚石的耐压耐电流SiCPIN二极管，包括：一N型欧姆电极；一N型重掺杂半导体传输层，所述N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至所述N型欧姆电极的上侧面；一N型掺杂金刚石耐压提高层，所述N型掺杂金刚石耐压提高层的下侧面连接至所述N型重掺杂半导体传输层的上侧面；一N型本征层，所述N型本征层的下侧面连接至所述N型掺杂金刚石耐压提高层的上侧面；一P型重掺杂半导体传输层，所述P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至所述N型本征层的上侧面；及，一P型欧姆电极，所述P型欧姆电极的下侧面连接至所述P型重掺杂半导体传输层的上侧面，提高SiCPIN二极管的耐压耐电流能力。
一种基于金刚石耐压电流 sic pin 二极管