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[发明专利]金属化系统-CN98119187.8有效
发明人：彼得·韦甘德;德克·托本 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-09-15 - 公布日： 1999-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种有复合介质层的多层集成电路金属化系统,包括金刚石或蓝宝石层。在半导体衬底上配置多层构图的金属化层。复合介质层配置在一对金属化层间。复合介质层包括金刚石或蓝宝石层。金刚石或蓝宝石层配置在构图的金属化层之一表面上。导电通路穿过复合层,且其一端与金刚石或蓝宝石层接触。构图的金刚石或蓝宝石层,在第二金属化层淀积中构成掩模。下一层金属化层的引线将直接淀积到在金属刻蚀工艺中将用作刻蚀中止的金刚石或蓝宝石层上边。
金属化系统

[发明专利]高导热含硼金刚石/铜复合材料的制备方法-CN201910722881.0在审
发明人：余威;栗正新 -专利权人：河南工业大学
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C22C26/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过简易的步骤有效的制备高导热率含硼金刚石/铜复合材料的制备方法。将体积分数为70~90%硼掺杂量为0.1%~10wt%的硼掺杂金刚石粉末、和体积分数为10~30%铜粉在超高压高温下真空烧结，使铜粉融浸并填充到上述硼掺杂金刚石粉末颗粒间隙，由此获得具有与半导体材料相匹配的热膨胀系数和优良导热性的硼掺杂金刚石烧结体
硼掺杂金刚石制备含硼金刚石铜复合材料体积分数铜粉导热性半导体材料超高压高温热膨胀系数粉末颗粒高导热率硼掺杂量真空烧结高导热烧结体填充匹配简易

[发明专利]一种羟基终端半导体材料的制备方法-CN202211419846.X在审
发明人：李奉南;马飞;王琛 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明公开了一种羟基终端半导体材料的制备方法，该制备方法首先进行氢化处理，使得半导体材料表面有氢终端，然后通过高压电解低产生的氢氧根离子对金刚石表面进行羟基化处理，该方法是一种高效、清洁且安全的金刚石表面羟基化方法，只需在去离子水等离子液体中进行，无需添加任何的化学试剂，保证了样品表面不会引入杂质，并且大幅度降低了处理成本，羟基化程度更高，适用于缺陷密度更低的高质量羟基终端金刚石表面的制备。
一种羟基终端半导体材料制备方法

[发明专利]半导体封装体及其制造方法-CN201580027795.8有效
发明人：宫川健志;纪元德;石原庸介 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明提供低廉且散热性优异的半导体封装体。根据本发明，提供一种半导体封装体，其为依次层叠有散热构件、接合层、绝缘构件的半导体封装体，其特征为所述散热构件包括含有金刚石粒子与含铝金属的铝‑金刚石系复合体，将所述散热构件和所述绝缘构件接合的所述接合层使用包含平均粒径为
半导体封装及其制造方法

[发明专利]一种基于金刚石晶格的半导体材料及其制造设备-CN202110710115.X有效
发明人：余斌;余海粟;朱轶方;陆骁莹 -专利权人：杭州超然金刚石有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金刚石晶格的半导体材料，涉及半导体技术领域。所述半导体材料为在所述衬底表面均匀铺设含有锂元素的粉末，以含碳和含氮的混合气体作为气体源，采用化学气相沉积法在衬底上生长出的薄膜，另外，本发明还提出一种相应的制造设备。本发明能够阻止锂原子掺入金刚石后扩散聚集成锂团簇，保证了锂原子在晶格中的活性状态。
一种基于金刚石晶格半导体材料及其制造设备

[发明专利]一种氮化镓外延金刚石结构及其制备方法-CN202211060888.9在审
发明人：陈祺;张粉红 -专利权人：化合积电（厦门）半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种氮化镓外延金刚石结构，包括氮化镓表面的氮化硅层，以及氮化硅表面的金刚石层。本发明通过优化设计氮化镓与金刚石结合生长的方法、工艺条件及其环境，使得氮化镓上生长的金刚石薄膜均匀且致密，并且具有良好的附着力，不容易脱落；在制备过程实现氮化镓的0损伤，中间层损伤小于10nm；实现了金刚石与氮化镓的高质量结合，形成的外延层质量高，电学特性好，散热效率高，具有良好的前景和适用性，提升了半导体器件生产和应用的效果。
一种氮化外延金刚石结构及其制备方法

[发明专利]一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法-CN201310682686.2有效
发明人：王宏兴 -专利权人：王宏兴
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，包括：在置于沉积腔中的单晶金刚石衬底表面上通过微波等离子体气相沉积方法在生长温度一定的条件下生长单晶金刚石薄膜，在沉积腔中导入反应气体，气体包括甲烷、本发明解决现有技术中生长的单晶金刚石薄膜颜色会变化，甚至变成深棕色，薄膜的晶体质量也会变差，限制了单晶金刚石薄膜在科学研究、光学、半导体和加工等领域的应用的技术问题。
一种质量高速度金刚石薄膜生长方法

[发明专利]具有电机的绝缘件的导体布置-CN201680081616.3有效
发明人： A.苏克斯 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01B3/00 文献下载
摘要：提出电机（100）的导体布置（200）。卷绕导体布置包括：电导体（201），其具有纵向方向（z）并且包括导体表面，电导体包括导电材料；以及用于绝缘电导体（201）的绝缘件，其包括一个或多个绝缘层（202；203）。一个或多个绝缘层（202、203）包括含金刚石层（330），其中含金刚石层（330）包括连续设置的金刚石（320；331；333；340），其具有大于200 nm的金刚石微粒，其中，含金刚石层（330）提供一个或多个绝缘层（202；203）的最高介电强度，和/或其中含金刚石层（330）提供一个或多个绝缘层（202；203）的最高局部放电电阻。含金刚石层（330）包括在体积的0%与5%之间的云母。
具有电机绝缘导体布置

[发明专利]具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置-CN201610005448.1在审
发明人：王笃福;王盛林;王希江;潘子明;王希玮;徐昌 -专利权人：济南中乌新材料有限公司
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：一种具有半导体性质Ⅱb型金刚石单晶的人工生长方法及装置，该方法是向作为碳源的石墨中掺加氮化硼,使金刚石晶体在生长过程中有硼原子掺杂，高温高压条件下，将金刚石晶种置于金属触媒的底部，利用温度梯度法生长；生长装置包括导电片、导电石墨环、耐火保温套、石墨管、绝缘槽和导电石墨片，导电石墨片和绝缘槽设置在石墨管内，导电石墨片与绝缘槽形成金刚石单晶生长的封闭空间，石墨管的外侧设置有耐火保温套及端盖，端盖内设置有导电石墨环，端盖的外侧设置有导电片本发明采用高温高压条件，以掺加硼的石墨为碳源，利用温度梯度法生长出了粒径大于10mm且具有半导体性质的Ⅱb型的金刚石单晶。
具有半导体性质金刚石人工生长方法装置

[发明专利]一种半导体器件的三维电极结构及其制备方法和应用-CN201510023906.X有效
发明人：王宏兴;刘璋成;王玮;李奉南;张景文;卜忍安;侯洵 -专利权人：王宏兴
申请日： 2015-01-17 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的三维电极结构，包括单晶金刚石晶片材料，单晶金刚石晶片材料上设置有分别作为正极和负极的两个金属电极pad，各个金属电极pad均连接一个或多个等距间隔设置的叉指电极，各叉指电极上均连接有一个或多个相互平行、且设置在单晶金刚石晶片材料内的柱状金属电极。本发明还公开了一种半导体器件的三维电极结构的制备方法及其应用，结合平面电极结构和垂直电极结构的优点，在单晶金刚石晶片内引入体电极，实现紫外光或者粒子束激发的电子‑空穴对的高效快速收集，提高探测器的响应时间和灵敏度；同时可以避开单晶金刚石晶片表面的复杂性，增加了器件的稳定性；且提高了粒子探测器的抗辐照性能。
一种半导体器件三维电极结构及其制备方法应用

[发明专利]一种氢终端金刚石/氧化镓异质集成互补器件及制备方法-CN202211534911.3在审
发明人：任泽阳;祝子辉;张金风;苏凯;马源辰;杨智清;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种氢终端金刚石/氧化镓异质集成互补器件及制备方法，CMOS反相器包括：金刚石衬底层、氧化镓衬底层、第一源电极、第一漏电极、第一介质层、第一栅电极、氢终端表面层、第二源电极、第二漏电极、第二介质层和第二栅电极本发明实施例通过异质集成的方法将氢终端金刚石PMOS和氧化镓NMOS结合在一起制备超宽禁带半导体CMOS器件，有效解决了金刚石难以实现n型掺杂、氧化镓难以实现p型掺杂的关键难题，保证了器件的各自的高性能和整体的高质量，实现了适合超高温、强辐照环境应用的高性能超宽禁带半导体CMOS反相器。
一种终端金刚石氧化镓异质集成互补器件制备方法

[发明专利]一种薄膜半导体与金刚石复合衬底及其制造方法-CN202310960195.3有效
发明人：王鑫华;刘新宇;高润华;邢湘杰;黄森;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜半导体与金刚石复合衬底及其制造方法，属于半导体材料与器件技术领域，避免了现有基于键合技术制造金刚石复合衬底面临的金刚石翘曲度、TTV、表面粗糙度的加工难题，解决了复合衬底孔隙率偏高和结合强度不足等问题导致的高温应力耐受性偏低的问题该方法包括：提供衬底；在所述衬底表面生长过渡层；对过渡层表面进行表面处理；过渡层表面生长金刚石，得到高导热的复合衬底；剥离，得到目标复合衬底；对目标复合衬底进行退火，之后进行表面光滑化处理；在目标复合衬底上生长氮化镓外延层
一种薄膜半导体金刚石复合衬底及其制造方法

[发明专利]用于包封半导体装置的环氧树脂组成物及使用其包封的半导体装置-CN201880080648.0在审
发明人：裵庆彻;朴容叶;金贞和;尹祉儿;金相均;李东桓 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：一种用于包封半导体装置的环氧树脂组成物及一种使用其包封的半导体装置。所述环氧树脂组成物包含环氧树脂；固化剂；填料；及固化加速剂，其中所述填料包括金刚石纳米颗粒与氧化铝、硝酸铝及硝酸硼中的至少一者的混合物，且所述金刚石纳米颗粒可具有1纳米至100纳米的平均粒径(D50)。
用于半导体装置环氧树脂组成使用

[发明专利]具有铜/金刚石复合材料的半导体衬底及其制造方法-CN201110040546.6有效
发明人：约翰·W·麦科伊 -专利权人：基奥塞拉美国股份有限公司
申请日： 2003-10-24 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有铜/金刚石复合材料的半导体衬底及其制造方法。根据本发明，一种半导体封装包括一含金属的衬底，该衬底包括一主体，该主体具有由纯铜层构成的相对表面，所述主体至少部分由铜/金刚石复合材料构成。
具有金刚石复合材料半导体衬底及其制造方法

[发明专利]磁传感器、检测组件、检测系统、磁传感器用基板、磁传感器用波导体、磁传感器用光电混载基板以及检测组件用检测基板-CN202180071886.7在审
发明人：岸田裕司 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N24/00 文献下载
摘要：磁传感器(10)包含：金刚石基板(11)；和与金刚石基板(11)抵接的波导体(14)。金刚石基板(11)在不与波导体(14)抵接的表面(11a)具备包含配置有NV色心(12)的金刚石结晶的第1层(11La)，在与波导体(14)抵接的表面(11b)具备配置有导体图案(13)的第2层(11Lb波导体(14)具备：线路(15)，将使电子自旋共振产生的微波对导体图案(13)传输；和光波导路(16)，传输照射金刚石基板(11)的激发光和金刚石基板(11)的第1层(11La)中的通过激发光而发出的荧光
传感器检测组件系统传感器用波导光电混载基板以及