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[发明专利]用于创建选择性虚拟长曝光图像的方法和系统-CN201811368738.8有效
发明人： S·M·萨夫达内贾德;S·A·孔;G·D·威林斯基;C-Y·谢 -专利权人：奥多比公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本公开内容的各实施例涉及创建选择性虚拟长曝光图像。本发明的实施例涉及利用对长曝光效果的选择性应用来有助于图像。根据本发明的一些实施例，包括多个对准的帧的虚拟长曝光图像被提供，并且对虚拟长曝光图像中的像素区域的选择被接收。虚拟长曝光图像被与形成虚拟长曝光图像的帧中的一个帧组合以创建选择性虚拟长曝光图像。选择性虚拟长曝光图像包括原始虚拟长曝光图像的可见部分和与选择的像素区域对应的个体帧的可见部分。附加帧可以被与虚拟长曝光图像组合以创建多个选择性虚拟长曝光图像选项，并且用户可以选择一个以用于继续使用或用于保存。
用于创建选择性虚拟曝光图像方法系统

[发明专利]图案形成方法以及半导体器件的制造方法-CN200810174269.6有效
发明人：伊藤信一;松永健太郎;河村大辅;大西廉伸 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-05-15 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种图案的形成方法，其包括：在被加工膜上形成感光性树脂膜；通过涂布法在上述感光性树脂膜上形成用于保护上述感光性树脂膜的保护膜；通过浸渍液对上述感光性树脂膜的部分区域选择性地进行液浸曝光，将上述浸渍液提供到上述感光性树脂膜上；在形成上述保护膜后，且在对上述感光性树脂膜的部分区域进行选择性液浸曝光之前，将上述保护膜的表面平滑化；除去上述保护膜；以及，通过选择性地除去上述感光性树脂膜的曝光区域或者非曝光区域，形成由上述感光性树脂膜构成的图案
图案形成方法以及半导体器件制造

[发明专利]侧壁选择性阻光模具、阶梯槽的图形制作方法及PCB-CN202210976721.0在审
发明人：徐胜;易雁;刘梦茹 -专利权人：生益电子股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明涉及PCB技术领域，公开了一种侧壁选择性阻光模具、阶梯槽的图形制作方法及PCB。所述侧壁选择性阻光模具，应用于槽体内以实现覆于槽体侧壁的第一感光膜的选择性曝光，包括：第一透光本体，与所述槽体的结构相匹配，其侧面设有阻光图形，所述阻光图形与所述第一感光膜的拟非曝光区域相对应；光反射单元，固定设于所述第一透光本体内，用于对由第一透光本体的顶面入射的曝光光源进行反射，以使所述曝光光源经第一透光本体的侧面的未覆盖阻光图形区域出射至所述第一感光膜的拟曝光区域。基于该侧壁选择性阻光模具，后续可按照常规的显影及蚀刻等工艺，制得满足各种形状设计需求的侧壁金属图形，不仅工艺简单，而且制作精度较高。
侧壁选择性模具阶梯图形制作方法 pcb

[发明专利]图案形成方法以及半导体器件的制造方法-CN200610080276.0无效
发明人：伊藤信一;松永健太郎;河村大辅;大西廉伸 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-05-15 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种图案的形成方法，其包括：在被加工膜上形成感光性树脂膜；通过涂布法在上述感光性树脂薄膜上形成用于保护上述感光性树脂薄膜的保护膜；通过浸渍液对上述感光性树脂膜的部分区域选择性地进行液浸曝光，将上述浸渍液提供到上述感光性树脂薄膜上；在形成上述保护膜后，且在对上述感光性树脂薄膜的部分区域进行选择性曝光之前，从上述保护膜除去对上述浸渍液具有亲和性部位的残留物质；除去上述保护膜；以及，通过选择性地除去上述感光性树脂膜的曝光区域或者非曝光区域，形成由上述感光性树脂薄膜构成的图案。
图案形成方法以及半导体器件制造

[发明专利]制造半导体器件的方法和图案形成方法-CN202110549003.0在审
发明人：訾安仁;何俊智;郑雅如;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，在要图案化的靶层之上形成金属光致抗蚀剂层，将金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，以及通过将显影剂施加到经选择性曝光的光致抗蚀剂层来显影潜在图案以形成图案。金属光致抗蚀剂层是包括两种或更多种金属元素的合金层，并且选择性曝光改变了合金层的相态。
制造半导体器件方法图案形成

[发明专利]氧化铜用蚀刻液以及使用其的蚀刻方法-CN201310753209.0有效
发明人：中川义清;中田卓人;三田村哲理 -专利权人：旭化成株式会社
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：提供：使用作为热反应型抗蚀剂材料的铜的氧化物在激光下曝光的时候，能选择性的蚀刻曝光、未曝光部分的氧化铜用蚀刻液以及使用其进行蚀刻的方法。本发明的氧化铜用蚀刻液，其特征在于，选择性蚀刻以铜的氧化物作为主成分的氧化铜含有层中的氧化数不同的氧化铜，至少含有螯合剂或其盐。
氧化铜蚀刻以及使用方法

[发明专利]氧化铜用蚀刻液以及使用其的蚀刻方法-CN201180009575.4有效
发明人：中川义清;中田卓人;三田村哲理 -专利权人：旭化成株式会社
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：提供：使用作为热反应型抗蚀剂材料的铜的氧化物在激光下曝光的时候，能选择性的蚀刻曝光、未曝光部分的氧化铜用蚀刻液以及使用其进行蚀刻的方法。本发明的氧化铜用蚀刻液，其特征在于，选择性蚀刻以铜的氧化物作为主成分的氧化铜含有层中的氧化数不同的氧化铜，至少含有螯合剂或其盐。
氧化铜蚀刻以及使用方法

[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件的制造装置-CN03105143.X无效
发明人：伊藤信一;东木达彦;奥村胜弥;川野健二;井上壮一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2003-09-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影
半导体器件制造方法装置

[发明专利]半导体器件的制造装置-CN200510002715.1无效
发明人：伊藤信一;东木达彦;奥村胜弥;川野健二;井上壮一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2005-06-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在半导体衬底主面上形成感光性膜把半导体衬底送到曝光装置；给上述感光性膜选择性曝光掩模上检查标记，在该感光性膜上形成检查标记的潜像；加热至少检查标记的潜像形成区的上述感光性膜，浮现第2检查标记的潜像；测量浮现的检查标记像；根据测量结果，变更选择性曝光时上述曝光装置的设定值，使其曝光条件为设计值；按照变更后的设定值，给上述感光性膜曝光上述感光性膜上掩模上器件图形，使该感光性膜形成器件图形的潜像；加热整个上述感光性膜；以及使上述感光性膜显影
半导体器件制造装置

[发明专利]制造半导体元件的方法-CN202011611914.3在审
发明人：何俊智;林进祥;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G03F1/46 文献下载
摘要：选择性地曝光光阻层于光化辐射，以及显影经选择性曝光的光阻层以形成光阻图案。
制造半导体元件方法

[发明专利]分层制作物体的方法-CN202180078004.X在审
发明人： F·海因里希斯多夫;D·卡斯蒂安;D·列兹尼克 -专利权人：西门子股份公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B22F10/366 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用基于粉末的3D打印过程分层制作物体的方法，其中通过选择性激光熔化或选择性电子束熔化方法选择性地固化在粉末床(100)中的粉末的层(n，n+1，n+2)。为了在选择性的基于粉末的3D打印过程中避免局部过热，至少两个连续的层(n，n+1，n+2)被组合成一个组(G1、G2)。对于组(G1、G2)中每个组该方法包括以下的步骤：‑提供粉末的第一层(n)，‑利用第一曝光矢量(Vn)固化第一层(n)的至少一部分，所述第一曝光矢量相互平行并且彼此以可定义距离(h)布置，‑提供粉末的第二层(n+1)，‑利用第二曝光矢量(Vn+1)固化第二层(n+1)的至少一部分，该第二曝光矢量相对于第一曝光矢量(Vn)平行且错开一个偏移量(x1，x2)地布置，其中，连续的组(G1、G2)的曝光矢量(Vn
分层制作物体方法

[发明专利]制作光掩模的方法-CN201810994414.9在审
发明人：李信昌;林秉勋;何彦政;林志诚;陈嘉仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：制作光掩模的方法包括以射线选择性曝光空白光掩模的部分，改变空白光掩模曝光至射线的部分的光学性质，因此形成空白光掩模的曝光部分与未曝光部分的图案。图案对应多个半导体装置结构的图案。
空白光掩模光掩模图案曝光射线半导体装置结构选择性曝光光学性质制作

[发明专利]运用网印技术选择性镀金属的方法-CN01120700.0无效
发明人：张友敬 -专利权人：实密科技股份有限公司
申请日： 2001-08-13 - 公布日： 2003-03-12 - 主分类号： H05K3/12 文献下载
摘要：一种运用网印技术选择性镀金属的方法，通过在不欲形成金属层的区域上形成一湿膜，使物品表面可选择性的镀上金属，包含以下步骤提供一印刷电路板底材，运用网印方式形成湿膜于该底材的上，此湿膜具有光敏感性，以底片曝光技术将图案转移至湿膜上，先硬化湿膜，接着曝光湿膜，然后显影，于湿膜露出底材上欲镀上金属的区域，形成金属于底材上，并去除湿膜，即得选择性镀金属的结果。
运用技术选择性镀金方法

[发明专利]在非金属材料表面实现选择性导电的处理方法-CN201010133606.4无效
发明人：高绪斌;钟宁;张立明 -专利权人：四川长虹电器股份有限公司
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： B05D5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种在非金属材料表面实现选择性导电的处理方法，属于材料领域。为克服现有工艺手段的局限性大、可操作性差、成本高等技术问题，提供了一种在非金属材料表面选择性导电的处理方法。该处理方法为：A、在非金属材料表面全部涂布阻焊油墨，然后采用目标图案的阳片或阴片进行曝光处理后显影、清洗；或在非金属材料表面的目标图案区域涂布阻焊油墨，然后采用曝光处理；或在非金属材料表面的非目标图案区域涂布阻焊油墨，然后采用曝光处理；B、在步骤A处理后的非金属材料表面涂布导电涂料；C、烘干，即可。该方法是利用阻焊油墨对液态金属的排斥性，使其对导电涂料排斥，实现在非金属材料表面的选择性导电。
非金属材料表面实现选择性导电处理方法

[发明专利]预曝光凸版图像印刷版的方法-CN200580016721.0有效
发明人：戴维·H·罗伯茨;格雷戈里·E·米勒 -专利权人：麦克德米德印刷方案股份有限公司
申请日： 2005-03-08 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及在成影像预曝光之前，选择性预曝光光敏印刷元件的方法，以在成影像曝光之前从光敏层除去氧。本发明应用于计算机直接制版方法中以制备柔性版凸版图像印刷元件。
曝光凸版图像印刷方法

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