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[发明专利]低温键合方法-CN201610091145.6有效
发明人： G·戈丹 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温键合方法，是一种用于组装第一元件和第二元件的方法，所述第一元件包括至少一个第一衬底或者至少一个芯片，所述第二元件包括至少一个第二衬底，该方法包括：a)在每个衬底上形成被称为键合层的表面层，这些键合层的至少其中之一是在小于或等于300℃的温度下形成的；b)在组装之前对所述键合层进行被称为脱气退火的第一退火，所述第一退火至少部分在至少等于后续的键合界面强化温度(Tr)但低于450℃的温度下进行；c)通过使所述键合层的暴露表面接触来组装所述衬底；d)组装好的结构在低于450℃的键合界面强化温度(Tr)下退火。
低温方法

[发明专利]低温键合方法-CN201110199454.2无效
发明人： G·戈丹 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温键合方法，是一种用于组装第一元件和第二元件的方法，所述第一元件包括至少一个第一衬底或者至少一个芯片，所述第二元件包括至少一个第二衬底，该方法包括：a)在每个衬底上形成被称为键合层的表面层，这些键合层的至少其中之一是在小于或等于300℃的温度下形成的；b)在组装之前对所述键合层进行被称为脱气退火的第一退火，所述第一退火至少部分在至少等于后续的键合界面强化温度(Tr)但低于450℃的温度下进行；c)通过使所述键合层的暴露表面接触来组装所述衬底；d)组装好的结构在低于450℃的键合界面强化温度(Tr)下退火。
低温方法

[实用新型]功率模块的封装结构-CN202021707905.X有效
发明人：陈颜;吴美飞 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率模块的封装结构，包括：直接铜键合DCB衬底，直接铜键合DCB衬底具有第一侧边且包括多个基岛；分别设置在多个基岛上的多个功率器件；以及靠近第一侧边的多个引脚；其中，至少部分多个引脚焊接在直接铜键合DCB衬底上。
功率模块封装结构

[发明专利]LED晶片的键合方法-CN201810340674.4有效
发明人：牛小龙;徐相英;姜晓飞 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种LED晶片的键合方法，所述LED晶片的键合方法包括以下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面生长LED晶片，并使所述LED晶片的表面形成第一键合结构；提供一背板；于所述背板表面布置结合层，并使所述结合层的表面形成可与所述第一键合结构相键合的第二键合结构；将所述LED晶片与所述结合层对位，并使所述第一键合结构和所述第二键合结构相键合。
led 晶片方法

[发明专利]片间互连方法-CN201510181261.2在审
发明人：刘子玉;蔡坚;王谦;邹贵生;刘磊 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种片间互连方法，该方法包括：在衬底上形成第一键合凸点；在所述第一键合凸点上沉积具有导电性能的第一三维纳米结构；利用所述第一三维纳米结构将所述第一键合凸点与待键合件上形成的第二键合凸点进行键合，以使所述衬底与所述待键合件互连。由此，可以实现层间节距的持续减小，并降低键合温度，提高集成度。
互连方法

[发明专利]提高FBAR滤波器制备良率的方法以及FBAR滤波器-CN201910797090.4在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H03H9/54 文献下载
摘要：本发明提供一种提高FBAR滤波器制备良率的方法以及FBAR滤波器，该方法包括：在第一基板上生成压电薄膜，并形成至少一个第一电极；形成支撑层，对支撑层进行刻蚀形成第一支撑层空腔，在支撑层一侧形成第一键合层；在键合衬底的一侧第二键合层，另一侧形成至少一个标记点，在键合衬底上形成贯穿键合衬底的第一通孔；将第一键合层与第二键合层键合连接，去除第一基板，在压电薄膜远离第一电极一侧形成顶电极以及与第一电极连接的电极上引结构本在制备过程中无需使用牺牲层，保留了压电薄膜的完整性，并且这种在键合衬底上开孔的结构设计，结构稳定，不易塌陷，可以很好的改善压电薄膜的品质。
压电薄膜键合层支撑层第一电极第一基板键合连接结构稳定制备过程电极标记点顶电极上开孔牺牲层刻蚀空腔良率上引通孔去除制备塌陷贯穿保留

[发明专利]一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法-CN202310935417.6在审
发明人：武震宇;苏泳全;刘艺晨;王栎皓 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基绝缘体上玻璃衬底结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆的上表层设有第一键合层；提供一第二晶圆，所述第二晶圆的下表层设有第二键合层；将所述第一键合层的上表面与所述第二键合层的下表面进行键合，键合后，所述第一键合层与所述第二键合层构成的叠层结构中至少包括第一截止层、第二截止层。本发明通过硅基绝缘体上玻璃衬底结构的制作方法制作得到的硅基绝缘体上玻璃衬底结构，采用所述第一截止层、所述第二截止层构成的双截止层结构作为所述硅基绝缘体上玻璃衬底结构的刻蚀截止层，解决了硅玻璃键合晶圆图形化时无法获得高质量平整的玻璃界面的问题
一种绝缘体玻璃衬底结构及其制作方法

[发明专利]晶圆键合结构及其形成方法-CN202111657734.3在审
发明人：唐鹤洹;石强;王志高;高长城 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述晶圆键合结构包括：第一半导体衬底以及位于第一半导体衬底上的第一堆叠层，第一堆叠层的顶层为氮化物层或氮氧化物层，第一堆叠层中形成有表面与第一堆叠层的顶面平齐的第一金属键合结构；第二半导体衬底以及位于所述第二半导体衬底上的第二堆叠层，第二堆叠层的顶层为氧化物层，第二堆叠层中形成有表面与第二堆叠层的顶面平齐的第二金属键合结构；其中，第一金属键合结构与第二金属键合结构一一对应键合，且在第一金属键合结构和第二金属键合结构的键合面上，第一金属键合结构的长度和宽度分别小于第二金属键合结构的长度和宽度。本申请的晶圆键合结构具有较好的可靠性和电阻均一性。
晶圆键合结构及其形成方法

[发明专利]键合两个衬底的方法-CN200910205744.6有效
发明人：阿诺德·卡斯泰 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种键合两个衬底的方法，该方法包括对这两个衬底中的至少一个进行活化处理的步骤，以及在低真空的情况下使这两个衬底彼此接触的步骤。由于组合了这两个步骤，所以能够实施键合并获得高键合能，同时减少了键合空隙的数量。本发明特别适用于具有处理过的或至少部分处理过的器件的衬底。
两个衬底方法

[发明专利]MEMS真空计及其制备方法-CN202111625074.0有效
发明人：王广猛;史晓晶;柳俊文 -专利权人：南京元感微电子有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种MEMS真空计及其制备方法，该方法包括：提供第一衬底和第二衬底；在第一衬底的第一表面形成欧姆接触层；在第一衬底的第一表面形成键合层；在第二衬底的第一表面形成第一电极层和悬浮电阻层；将第一衬底的第一表面的键合层与第二衬底的第一表面进行阳极键合，形成位于第一衬底、键合层与第一电极层之间的第一腔体，位于第一衬底、键合层和悬浮电阻层之间的第二腔体；对第二衬底的第二表面进行腐蚀至第一电极层和悬浮电阻层时停止；在第一电极层和欧姆接触层上形成引线层，在悬浮电阻层上形成第二电极层
mems 真空计及其制备方法

[发明专利]柔性太阳能电池及其制作方法-CN201910132351.0在审
发明人：龙军华;陆书龙;黄欣萍;李雪飞;代盼 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了柔性太阳能电池及其制作方法，所述制作方法包括：在第一刚性衬底上制作倒置的太阳能电池单元；在所述太阳能电池单元的背面上制作叠层设置的背面电极和柔性衬底；将所述柔性衬底贴附于涂覆粘贴剂的第二刚性衬底上并通过烘烤固化所述粘贴剂，以将所述柔性衬底粘贴至第二刚性衬底上；将所述第一刚性衬底从所述太阳能电池单元上分离；在所述太阳能电池单元的正面上制作正面电极；剥离所述第二刚性衬底。相比于现有技术需要多次键合及反复转移外延层部分的方案，该制作方法无需通过键合机进行键合和利用额外的辅助手段进行解键合，可以提高生产效率，避免了键合所需的高温条件损坏电池，有利于产业化的大规模生产。
柔性太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法-CN201611081848.7有效
发明人：王进军 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，先在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料；再ICP刻蚀蓝宝石衬底GaN基LED外延材料，进行器件隔离；再对蓝宝石衬底GaN基LED外延材料表面磁控溅射p型接触金属、反射金属和键合金属；再对金刚石热沉衬底表面磁控溅射键合金属；再将蓝宝石衬底GaN基LED外延材料和金刚石热沉衬底进行金属键合；再采用激光剥离技术对蓝宝石衬底进行剥离；最后磁控溅射n型接触金属本发明采用高热导率的金刚石做热沉，LED阳极金属与金刚石金属键合接触，散热优势明显；所述LED阳极金属与金刚石低温下金属键合，有效避免了传统的高温键合对LED性能的影响；所述蓝宝石衬底激光剥离过程中，工艺简单
一种金刚石 gan 基异侧电极 led 制作方法

[发明专利]一种衬底上的InP外延转移方法及制得的半导体器件-CN201910713995.9在审
发明人：常虎东;孙兵;苏永波;丁芃;刘洪刚;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-08-02 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种衬底上的InP外延转移方法及制得的半导体器件。该方法包括下列步骤：步骤a：将InP外延片上远离衬底的一面键合在托片上，去除所述InP外延片的衬底；步骤b：去除衬底后在所述InP外延片远离所述托片的一面上涂覆BCB键合层；步骤c：将硅CMOS芯片晶圆正面涂覆BCB键合层；步骤d：将所述步骤b得到的InP外延片与所述步骤c得到的硅CMOS芯片进行BCB键合，得到键合片；步骤e：去除所述键合片上的托片。
外延片衬底托片去除键合层键合片键合涂覆集成电路芯片半导体器件晶圆正面质量缺陷

[发明专利]半导体器件-CN201310165498.2无效
发明人：庞慰;杨清瑞;郑云卓;张浩;张代化 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，该器件包括：封装基板，包括用于连接键合线的键合区；至少一个管芯，设置于封装基板上，其中，每个管芯包括晶圆衬底以及设置于晶圆衬底上的管脚，管脚用于连接键合线，其中，每个晶圆衬底的厚度为本发明通过对晶圆减薄，降低芯片管芯的厚度，能够减小键合线距离地平面的平均高度，从而提高键合线相互之间以及键合线与其它敏感元器件之间的电学隔离度，降低互感，解决电磁干扰问题，提高芯片性能。
半导体器件

[发明专利]带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法-CN201510526031.5有效
发明人：叶斐;张峰;陈猛;陈国兴 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底；在所述支撑衬底表面形成多晶层作为电荷陷阱；在所述多晶层表面和器件衬底表面中的至少一表面形成绝缘层；以所述绝缘层作为中间层，将支撑衬底与器件衬底键合；键合后对键合界面进行热处理，加热温度范围是300℃至800℃。本发明的优点在于在键合后采用低温热处理代替现有技术中的高温热处理技术，有效的避免了多晶层在高温条件下的晶粒聚集，使多晶层的电阻率维持在较高的水平。
衬底多晶层电荷陷阱衬底表面绝缘埋层键合制备支撑绝缘层表面形成绝缘层低温热处理高温热处理热处理衬底键合高温条件键合界面晶粒聚集电阻率中间层加热