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- [发明专利]键合装置、键合装置的形成方法及键合方法-CN202310693688.5在审
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骆中伟;蓝天;华文宇
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芯盟科技有限公司
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2023-06-12
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2023-09-15
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H01L21/67
- 一种键合装置、键合装置的形成方法及键合方法，其中键合装置用于键合芯片和第一晶圆，所述第一晶圆包括若干芯片区，且各芯片区内具有待键合区，所述键合装置包括：衬底晶圆，所述衬底晶圆包括若干单元格区，当所述第一晶圆与所述衬底晶圆表面相贴合时，各所述单元格区与各所述芯片区重合；位于所述衬底晶圆表面的辅助层，各单元格区上的所述辅助层内具有凹槽，所述凹槽底部暴露出所述衬底晶圆表面，所述凹槽用于容纳所述芯片，所述凹槽相对其所在的单元格区的位置与所述待键合区相对所述芯片区的位置一致，降低了若干所述芯片与第一晶圆之间的对准难度，有利于提高对准精度，提高键合获取的结构性能。
- 装置形成方法
- [发明专利]一种单晶钻石薄膜的制备方法-CN202010772092.0在审
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欧欣;周李平;伊艾伦;游天桂
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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2020-08-04
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2020-11-20
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C30B25/20
- 本申请提供一种单晶钻石薄膜的制备方法，包括以下步骤：获取钻石衬底和异质衬底；对钻石衬底的表面进行He离子注入，使注入的离子在钻石衬底相应的深度下聚集形成缺陷层，将钻石衬底中缺陷层之上的钻石薄膜作为同质外延的衬底；采用同质外延在钻石薄膜上生长一层单晶钻石薄膜；将单晶钻石薄膜与异质衬底键合，形成键合结构；对键合结构进行湿法腐蚀或电化学腐蚀，将缺陷层去除，使钻石薄膜转移至异质衬底表面；若对键合结构进行电化学腐蚀，则在将外延后的钻石薄膜与异质衬底键合步骤之前，对进行同质外延后的钻石衬底进行高温退火，使缺陷层发生石墨化，形成石墨化的缺陷层；其中，He离子的注入能量和注入剂量根据溶解缺陷层的方法分梯度设定。
- 一种钻石薄膜制备方法
- [发明专利]利用硒化反应的衬底键合-CN02103210.6无效
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H·李;C·C·杨
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惠普公司
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2002-01-30
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2002-11-13
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H01L21/00
- 公开了一种硒化反应,用来将一个或多个有源衬底键合到基底衬底。借助于在有源衬底A的键合表面12上形成由硒和铟组成的第一多层叠层15以及在基底衬底B的安装表面14上形成由硒和铟组成的第二多层叠层17,来制造键合衬底。然后,借助于在惰性气氛中对其进行退火,以形成将衬底(A,B)彼此粘附键合的铟硒化合物键合层,从而使有源衬底A与基底衬底B彼此键合。此外,可以将碲加入到第一和第二多层叠层(15,17)中的一个或二者的硒中,以便降低退火温度并形成将衬底(A,B)彼此粘附键合的铟－硒－碲化合物键合层19。化合物键合层19的一个优点是能够用选择性湿法腐蚀材料溶解,致使能够非破坏性地彼此分离有源衬底A和基底衬底B。
- 利用反应衬底
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