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[发明专利]凹槽形成方法、凹槽形成装置及用于凹槽的形成材料-CN200810087266.9无效
发明人：樱井纯也 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2008-03-24 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明中，片材被嵌设在用作形成凹槽的目标的材料内，该片材具有与所述材料的物理特性不同的第一物理特性，并且具有与要形成的凹槽的平面形状相同的平面形状。然后，利用切割工具，将所述材料在深度方向从该材料的第一表面切割。同时，利用检测器，检测切割部的最深部分的物理特性，当该检测的特性与所述第一物理特性相等时，终止在深度方向的切割。还在大体平行于所述第一表面的水平方向切割所述材料，以形成沟槽，由此，将所述第一表面分割为具有与所述平面形状相同的形状的第一区，和作为另一区的第二区。最后，将在所述第一区内在所述片材和所述第一表面之间的材料剥离。
凹槽形成方法装置用于材料

[发明专利]在钢板表面形成凹槽的方法及其装置-CN201580071216.X有效
发明人：权五烈;朴炫哲;金在谦;李原杰 -专利权人： POSCO公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： B23K26/064 文献下载
摘要：本发明提供一种在钢板表面形成凹槽的方法及其装置。根据本发明，由多个激光振荡器发出的激光束照射到扫描镜，再透过所述扫描镜后照射到所述钢板表面，以在钢板表面通过激光辐照形成钢板厚度的10％以下的凹槽深度，此时2个以上的激光束共用1个扫描镜，从而在20mpm以上的高速流水线速度(line speed)下使凹槽部的热影响最小化，使得在热处理前(后)具有铁损改善特性。
钢板表面形成凹槽方法及其装置

[实用新型]锅具内表面形成圆形凹槽的加工设备-CN202023034196.6有效
发明人：王立杰 -专利权人：莱州市铜基粉末冶金有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： B21D22/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种锅具内表面形成圆形凹槽的加工设备，属于机械加工设备领域，包括装夹工作台、夹持组件和执行机构；所述装夹工作台内部设置有与不锈钢锅具外形匹配的凹槽，所述装夹工作台沿凹槽圆周方向间隔设置有夹持组件，所述不锈钢锅具通过夹持组件固定于凹槽中，所述执行机构包括步进电机和锤头组件，所述锤头组件可与不锈钢锅具内表面接触，所述步进电机的输出端与锤头组件连接，用于控制锤头组件在竖直面内往复摆动。本实用新型的一种锅具内表面形成圆形凹槽的加工设备，通过锤头在不锈钢锅具内表面形成圆形凹槽，起到不粘锅的作用，该设备结构简单可靠，可实现大批量生产。
锅具内表面形成圆形凹槽加工设备

[实用新型]凹槽形成刀及容器-CN201620819205.7有效
发明人：竹内雅规 -专利权人：昭和电工包装株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： B26D7/08 文献下载
摘要：提供一种凹槽形成刀，不需频繁进行刀部表面的清洁作业也能在包装体开封时将盖构件完全剥离，而且无需担心发生附着于刀部表面而劣化的树脂落入残留于容器内的情况。凹槽形成刀(2)由金属材料形成，包括块体状的基部(21)和呈环状形成于基部的下表面的刀部(22)。在刀部的表面实施化学镀镍‑氟树脂复合镀，由此形成表面处理膜(25)。
凹槽形成容器

[发明专利]纸质结构及在其表面形成凹槽图案的制作方法-CN201810070469.0在审
发明人：黄扬清 -专利权人：黄扬清
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： B31D1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纸质结构及在其表面形成凹槽图案的制作方法，该制作方法包括以下步骤：101、在第一纸板上形成第一凹槽；102、制作纸模；103、在定位件的定位下，将纸模固定入第一凹槽中，所述纸模的至少部分外圆与所述第一凹槽的内壁间具有第一间隙本发明提供的纸质结构及在其表面形成凹槽图案的制作方法，通过先切割一个尺寸较大的第一凹槽，再在第一凹槽中放入一个纸模的方法，曲线实现了较小宽度尺寸的第一间隙，为纸质结构加工提供了一种新方法。
纸质结构纸模表面形成凹槽制作图案定位件纸板内壁外圆切割加工

[发明专利]凹槽的形成方法以及在位形成凹槽和填充外延层的方法-CN202011056640.6在审
发明人：王耀增;郑印呈;聂望欣;涂火金;刘厥扬;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹槽的形成方法，包括步骤：步骤一、对硅衬底进行采用干法刻蚀工艺的第一次刻蚀形成呈U型或球型的凹槽；步骤二、在外延工艺腔中采用HCl和GeH4两种反应气体对凹槽进行第二次刻蚀使凹槽呈钻石型本发明还公开了一种在位形成凹槽和填充外延层的方法。本发明能在外延工艺腔中对U型或球型进行反应气体的刻蚀形成钻石型凹槽，有利于在位实现凹槽的刻蚀和外延填充工艺，从而能减少嵌入式外延层的工艺环中的工艺步骤，并进而减少由工艺步骤所产生的缺陷。
凹槽形成方法以及在位填充外延

[发明专利]一种在外壁表面形成浆液扩散凹槽的外壁模板-CN201810498231.8在审
发明人：宁方波;宋朝阳;王桦;谭杰;王强;邵方源;高伟;韩博;陈红蕾;叶玉西 -专利权人：北京中煤矿山工程有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： E21D5/12 文献下载
摘要：本发明公开一种在外壁表面形成浆液扩散凹槽的外壁模板,包括模板框架、用于在外壁表面形成环向凹槽的外壁环向凹槽成型结构和用于在外壁表面形成竖向凹槽的外壁竖向凹槽成型结构，所述外壁环向凹槽成型结构沿环向设置在模板框架上，所述外壁竖向凹槽成型结构沿竖直方向设置在所述模板框架上；所述环向凹槽和所述竖向凹槽的槽口宽均为15‑20mm、槽深均为20‑30mm。外壁模板可在外壁表面预留一定深度的窄距凹槽，且凹槽为外壁混凝土浇筑过程中一次成型，操作简单。
外壁表面成型结构竖向凹槽模板框架外壁模板外壁浆液扩散外壁环向环向混凝土浇筑过程方向设置环向设置一次成型槽口宽槽深竖直预留

[发明专利]在硅晶基板表面形成微孔结构或凹槽结构的方法-CN201110302839.7有效
发明人：钱家锜;林育玫;高伟哲;江漪凌 -专利权人：华康半导体股份有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在硅芯片基板表面形成微孔结构或凹槽结构的方法，其步骤包含：(A)形成至少一种贵金属合金(alloy)粒子在所述的硅芯片基板表面；(B)对所述的硅芯片基板表面实施化学湿蚀刻工艺，通过贵金属合金粒子催化硅芯片基板表面的氧化及经过蚀刻液蚀刻二氧化硅反应，造成硅芯片基板局部微蚀刻，以便在硅芯片基板表面形成微孔(micro-pores)结构或凹槽(trench)结构。可有效降低硅芯片基板的表面反射率(Reflectivity)，提高太阳能电池的发电效率，并降低制造成本，进而达到提升太阳能电池的生产效益的目的。
硅晶基板表面形成微孔结构凹槽方法

[实用新型]一种在外壁表面形成浆液扩散凹槽的外壁模板-CN201820777065.0有效
发明人：宁方波;宋朝阳;王桦;谭杰;王强;邵方源;高伟;韩博;陈红蕾;叶玉西 -专利权人：北京中煤矿山工程有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： E21D5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种在外壁表面形成浆液扩散凹槽的外壁模板,包括模板框架、用于在外壁表面形成环向凹槽的外壁环向凹槽成型结构和用于在外壁表面形成竖向凹槽的外壁竖向凹槽成型结构，所述外壁环向凹槽成型结构沿环向设置在模板框架上，所述外壁竖向凹槽成型结构沿竖直方向设置在所述模板框架上；所述环向凹槽和所述竖向凹槽的槽口宽均为15‑20mm、槽深均为20‑30mm。外壁模板可在外壁表面预留一定深度的窄距凹槽，且凹槽为外壁混凝土浇筑过程中一次成型，操作简单。
外壁表面成型结构竖向凹槽模板框架外壁模板外壁浆液扩散外壁环向环向混凝土浇筑过程本实用新型方向设置环向设置一次成型槽口宽槽深竖直预留

[发明专利]栅极凹槽的形成方法-CN201810163650.6有效
发明人：纪世良;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-02-27 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极凹槽的形成方法，包括：在衬底上形成层间介质层和多个宽度不同的金属栅极，每个金属栅极与层间介质层相邻；形成第一光阻层，使多个宽度不同的金属栅极的顶部表面包括多个暴露区和多个覆盖区，且至少一个金属栅极顶部表面包括暴露区和与暴露区相邻的覆盖区；以第一光阻层为掩膜对暴露区进行第一刻蚀，以形成第一凹槽；形成第二光阻层，以遮蔽第一凹槽，并暴露覆盖区；和以第二光阻层为掩膜对覆盖区进行第二刻蚀，以形成第二凹槽。经过两次刻蚀即可形成栅极凹槽，节省了生产的时间成本与工艺成本。
栅极凹槽形成方法

[发明专利]形成凹槽栅极轮廓的方法-CN02143074.8无效
发明人：许允峻 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种形成凹槽栅极轮廓的方法，其是在一基底表面形成一垫氧化层与多晶硅层的栅极堆栈结构后，进行一热氧化制造过程，消耗部份的多晶硅层，以在该多晶硅层周围区域形成一氧化薄层，其中在多晶硅层与垫氧化层接口间，会形成一凹陷的氧化区域；再进行一蚀刻步骤，去除多晶硅层上表面与两侧的氧化薄层及部份的垫氧化层，即可形成一具凹槽栅极轮廓的结构，继续后续的半导体制造过程以制作其它的半导体组件。
形成凹槽栅极轮廓方法

[发明专利]在基底中形成凹槽的技术及具有凹槽的制品-CN201480031982.9有效
发明人： B·A·斯文特克;K·R·布雷舍;D·G·贝尔德;L·A·费恩;M·L·尼尔森 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： B32B3/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种组件，所述组件可包括限定了至少一个凹槽的基底和邻近所述凹槽定位并附接至所述基底上的部件。在一些实例中，可通过如下方法形成所述凹槽：将研磨剂制品的结构化研磨剂层与所述基底的表面摩擦接触，相对于所述基底的所述表面纵向推进所述结构化研磨剂层，并且围绕基本上垂直于所述基底的所述表面的旋转轴旋转所述基底，使得所述结构化研磨剂层与所述基底的所述表面保持接触并磨削所述基底的所述表面，从而在所述表面上形成所述凹槽。在一些实例中，在将所述部件附接至所述基底后，可在所述基底上形成所述凹槽。此外，可在不使用添加的松散研磨剂颗粒或研磨剂浆料的情况下形成所述凹槽。
基底形成凹槽技术具有制品

[发明专利]形成具有凹槽的金属接合件-CN201810448078.8有效
发明人：陈明发;陈宪伟;叶松峯;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种方法包括形成第一器件管芯，其中，该形成包括沉积第一介电层，以及在第一介电层中形成第一金属焊盘。第一金属焊盘包括凹槽。该方法还包括形成第二器件管芯，其中，第二器件管芯包括第二介电层和位于第二介电层中的第二金属焊盘。将第一器件管芯接合至第二器件管芯，其中，第一介电层接合至第二介电层，并且第一金属焊盘接合至第二金属焊盘。本发明的实施例还涉及形成具有凹槽的金属接合件。
形成具有凹槽金属接合

[发明专利]形成有滚动凹槽的轴部件-CN201080017762.2有效
发明人：内田弘之;应和宪司;三村和穗;吉田和彦 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： F16H25/22 文献下载
摘要：一种形成有滚动凹槽的轴部件，该轴部件的表皮具有高附着力，并且非常薄以至于即使表皮在运转过程中剥落也不会引起噪声问题，所述轴部件被设置成使得其不易弯曲，允许滚动凹槽的内表面被感应淬火以原样用作滚动表面，并且可以以高生产率进行制造一种设置有滚动凹槽的轴部件，滚动元件在所述滚动凹槽中滚动，至少滚动凹槽的内表面通过感应淬火硬化。滚动凹槽表面的表面通过感应淬火硬化并保留原样，其粗糙度Ra小于1.0，硬化层的有效硬化深度比被设定为不小于0.15但不超过0.45，而且，所述滚动凹槽的经过感应淬火硬化的表面被原样用作滚动表面。
形成滚动凹槽部件

[发明专利]铝表面微凹槽制备方法-CN201010221857.8无效
发明人：何洋;刘振亚;任森;陈俊;田梦君;乔大勇;苑伟政;姜澄宇 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： B23P9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的一种铝表面微凹槽制备方法，属于机械制备技术领域。本发明通过光刻和湿法刻蚀制备硅微结构，通过硅微结构压印铝表面获得微凹槽，从而实现铝表面微凹槽的可控制备。
表面凹槽制备方法

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