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[发明专利]添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法-CN201910202118.5有效
发明人：村上友佳子;平川雅章;植松育生 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及添加剂、添加剂分散液、蚀刻原料单元、添加剂供给装置、蚀刻装置及蚀刻方法。提供用于制备能够实现高的处理效率的硅的蚀刻液的添加剂及添加剂分散液、和使用了该添加剂及添加剂分散液的蚀刻技术。一实施方式所涉及的添加剂为用于制备在硅的蚀刻中所使用的蚀刻液的添加剂。添加剂包含固体状硅材料。固体状硅材料的比表面积大于12.6cm2/g。固体状硅材料的表面的至少一部分被氧化。
添加剂分散蚀刻原料单元供给装置方法

[发明专利]铜蚀刻液添加剂以及铜蚀刻液的生成方法-CN201610446967.1在审
发明人：武岳;周佑联;周志超 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-06-20 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜蚀刻液添加剂以及铜蚀刻液的生成方法。方法包括：生成铜蚀刻液添加剂，其中铜蚀刻液添加剂为包括二价铜离子的无机溶液，铜蚀刻液添加剂以去离子水为溶剂，呈电中性；在进行湿法蚀刻之前将铜蚀刻液添加剂添加到铜蚀刻液中，使得二价铜离子的浓度为700‑1000ppm通过以上方式，本发明能够改善铜蚀刻液的蚀刻品质，使蚀刻速率、均一性得到提高。
蚀刻添加剂以及生成方法

[发明专利]一种碱性蚀刻液再生添加剂及再生液再生利用方法-CN201910046544.4有效
发明人：张晓蓓;赵兴文;徐伟 -专利权人：虹华科技股份有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本发明公开一种碱性蚀刻液再生添加剂及再生液再生利用方法，其中，所述碱性蚀刻液再生添加剂含有尿素7‑12份，硫脲3‑6份，碳酸氢铵8‑12份，碳酸氢钠15‑20份；所述碱性蚀刻再生液由回收的碱性蚀刻液添加所述添加剂组合而成本发明根据碱性蚀刻液中不同组分的损耗不同，有针对性的调整添加剂关键组分比例，维持蚀刻液中添加剂浓度，保证蚀刻液处在最佳的蚀刻状态，并有效实现了蚀刻液的循环利用。
一种碱性蚀刻再生添加剂利用方法

[发明专利]一种线路板蚀刻方法及蚀刻剂-CN202110368068.5在审
发明人：马库斯·郎 -专利权人：鑫巨（深圳）半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种线路板蚀刻方法及蚀刻剂，该蚀刻方法包括：获取待进行蚀刻的线路板；利用预先配置的蚀刻剂对所述线路板进行蚀刻，其中，所述蚀刻剂包括基础蚀刻剂和具有耐酸性的添加剂，所述添加剂的质量浓度为0.001本发明通过添加有耐酸性的添加剂的蚀刻剂对线路板进行蚀刻，可以在不损坏线路板的前提下提高蚀刻精度。
一种线路板蚀刻方法

[发明专利]一种精密线路蚀刻液添加剂及其应用-CN202210562733.9在审
发明人：杨红;葛英霞;万涛明;刘晓芳 -专利权人：深圳市瑞世兴科技有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：一种精密线路蚀刻液添加剂及其应用，本发明涉及一种精密线路蚀刻液添加剂及其应用，为提供一种能通用于碱性蚀刻液与酸性蚀刻液体系的添加剂，本发明的添加剂组成如下：所述的添加剂组合含量比例(W/W)：高分子成膜剂：1％‑15％(优选2％‑8％)；流平剂：0.5％‑5％(优选0.5％‑2％)；有机溶剂：2％‑20％(优选5％‑12％)；余量：去离子水；本发明的有益效果在于，所述的添加剂耐酸碱性佳，能通用于碱性蚀刻液与酸性蚀刻液体系中，在酸性及碱性蚀刻体系中均非常稳定；对线路的侧壁的保护效果也优于氨氮型有机膜等其他膜类；提高蚀刻因子，且不会增加工厂的氨氮排放，组分简单，易于管控，优于现有的氨氮型添加剂，提升超精密线路蚀刻的良率，一次良率高达
一种精密线路蚀刻添加剂及其应用

[发明专利]一种石英晶片蚀刻添加剂及其制备方法-CN202110873612.1有效
发明人：冉有仁;刘三川 -专利权人：深圳市科玺化工有限公司
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：一种石英晶片蚀刻添加剂，是由以下组分按照重量百分比组成：相态稳定溶剂12%～25%，渗透剂1%～5%，分散剂4%～8%，螯合缓蚀剂20%～30%，润湿剂15%～25%,破泡剂8～12%，凹凸点抑制剂10%～20%，沉降剂1%～2%。本发明添加剂配制的蚀刻液去除率高且速率稳定，寿命长，常温浸泡即可完成蚀刻作业，蚀刻后晶片易水洗干净；添加本发明添加剂的蚀刻液，蚀刻后的晶片表面显微形貌平整光滑，厚度公差小于等于0.2um，添加剂良好的分散润湿和沉降功能可降低蚀刻后蚀刻粉渣不均匀、悬浮于溶液中、吸附于晶片表面形成的刮伤、凹凸点问题，本添加剂可有效抑制酸挥发及蚀刻酸损耗，气味温和无刺激。
一种石英晶片蚀刻添加剂及其制备方法

[实用新型]一种HDI板铜箔蚀刻液的精确配制装置-CN201420651457.4有效
发明人：詹有根;零上锐 -专利权人：临安振有电子有限公司
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HDI板铜箔蚀刻液的精确配制装置，包括一个蚀刻液配制槽，添加剂1贮槽、添加剂2贮槽以及两个预分散槽，添加剂1贮槽、添加剂2贮槽的位置高于蚀刻液配制槽；添加剂1贮槽、添加剂2贮槽与预分散槽之间通过管道、阀门连接，添加剂1贮槽、添加剂2贮槽的位置高于预分散槽，所述预分散槽中安装有超声波发生器及温度传感器；本实用新型通过对蚀刻液配制中主要化学药剂加入的准确计量、检测装置的改进，采用计算机瞬时采集泵输送液体的流量，并转化为数字信号，再经计算机积分计算，获得所加入药剂的总量，达到蚀刻液中主要化学药剂的准确加入，改善蚀刻后铜箔质量，提高工艺运行稳定可靠性及生产效率的目的。
一种 hdi 铜箔蚀刻精确配制装置

[发明专利]一种碱性蚀刻液再生添加剂及再生液再生利用方法-CN202110644164.8有效
发明人：李琪中;何世武;刘彩林;赵庆琚 -专利权人：深圳市瑞盛环保科技有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本发明属于蚀刻液再生添加剂领域，尤其是一种碱性蚀刻液再生添加剂及再生液再生利用方法，针对现有的碱性蚀刻液再生添加剂的热稳定性较差，容易因温度的变化影响使用效果的问题，现提出如下方案，其中碱性蚀刻液再生添加剂，包括以下重量份的原料：尿素5‑10份、硫脲6‑11份、碳酸氢铵3‑8份、碳酸氢钠4‑8份、氯化铵1‑5份、氨水5‑10份，其再生液再生利用方法，包括以下步骤：T1：回收PCB蚀刻后排出的高含铜碱性蚀刻母液，通过电解提取碱性蚀刻母液中过量的铜；T2：在回收的碱性蚀刻液中添加碱性蚀刻液再生添加剂，本发明具有良好的热稳定性，同时可以加速蚀刻反应的蚀刻速率。
一种碱性蚀刻再生添加剂利用方法

[发明专利]酸性蚀刻再生液添加剂和酸性蚀刻再生液-CN201810789583.9在审
发明人：李再强;黄文涛;张伟奇;梁民 -专利权人：深圳市祺鑫天正环保科技有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本发明公开一种酸性蚀刻再生液添加剂和应用该酸性蚀刻再生液添加剂的酸性蚀刻再生液，其中，按质量份，所述酸性蚀刻再生液添加剂含有催化剂0.1‑1.5份，所述催化剂为过硫酸铵、硫酸铵、硫酸钠、硫脲中的至少一种本发明的技术方案能够提高酸性蚀刻再生液于回用时的蚀刻速率。
酸性蚀刻再生液添加剂催化剂硫酸钠硫酸铵蚀刻过硫酸铵质量份回用硫脲应用

[发明专利]一种酸性蚀刻液添加剂及酸性蚀刻液-CN201710896897.4有效
发明人：侯延辉 -专利权人：侯延辉
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸性蚀刻液添加剂及酸性蚀刻液，按质量份计，所述添加剂包括1～200份非离子表面活性剂和1～200份稳定剂，所述稳定剂为含硫的脲、硫醇、溴化物中的至少一种；所述酸性蚀刻液包括蚀刻液基础液和所述添加剂本发明的产品能很好地适用于生产铜厚较厚(如铜厚70μm及以上)或者待蚀刻面积较大(如50％以上待蚀刻面积，特别是整板蚀刻)的印刷线路板，而不会出现蚀刻速度不稳定或者慢的问题。此外，将本发明的产品用于蚀刻线路板工艺中可以直接获得块状的铜板，而不需要再额外添加电解添加剂。
一种酸性蚀刻添加剂

[发明专利]一种电解蚀刻制备PCB精细线路的电解蚀刻液-CN201810601741.3在审
发明人：付登林;陈际达;鲁蓝锶;文亚男;鄢婷;廖超慧;盛利召;覃新 -专利权人：江苏博敏电子有限公司;重庆大学
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C25F3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种电解蚀刻法制备PCB精细线路的电解蚀刻液，其电解蚀刻液组成为：无水氯化铜、盐酸、有机添加剂和水。其中以氯化铜和盐酸作为基础电解质，通过加入有机添加剂来提升电解蚀刻制备出的精细线路的质量，有机添加剂在电解蚀刻的过程中主要是用来抑制线路的侧蚀作用。通过在基础电解蚀刻液中加入有机添加剂，电解蚀刻制备出的PCB精细线路的质量得到极大提高。该电解蚀刻液组成简单，各组分浓度较低，尤其是加入的添加剂含量很低，对环境的污染小。
电解蚀刻液电解蚀刻有机添加剂精细线路制备氯化铜盐酸基础电解质生产效率侧蚀无水添加剂污染

[发明专利]一种TFT‑LCD玻璃基板蚀刻液添加剂-CN201710449647.6在审
发明人：白航空 -专利权人：合肥市惠科精密模具有限公司
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种TFT‑LCD玻璃基板蚀刻液添加剂，其是由以下成份按照重量百分比组成羧酸酯与羧酸的混合物32‑44％、次氯酸钠15‑18％、增粘剂9‑16％、表面活性剂7‑11％、促进剂10‑12％、整平剂5‑9％、稳定剂8‑14％。本发明添加剂配制蚀刻溶液，使用寿命长，工艺稳定；本发明添加剂配制蚀刻溶液，蚀刻的板面，光滑平整，不需要后续加工；本发明添加剂配制蚀刻溶液可稳定蚀刻速度恒定，提高蚀刻系数比及均匀性，同时配合促进剂可以提升蚀刻速度；有效降低盐酸的使用量，在工艺上有利于生产效率，且经济实用，配制方法简单，蚀刻过程中不产生有害气体。
一种 tft lcd 玻璃蚀刻添加剂

[发明专利]碱性蚀刻再生液的添加剂和碱性蚀刻再生液-CN201910225092.6在审
发明人：李再强;黄文涛;张伟奇;梁民 -专利权人：深圳市祺鑫天正环保科技有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本发明公开一种碱性蚀刻再生液的添加剂和应用该添加剂的碱性蚀刻再生液，其中，按质量份，所述碱性蚀刻再生液的添加剂含有：加速剂，0.1‑2.2份；抑制剂，0.2‑2.8份；催化剂，0.3‑1.8份；稳定剂，本发明的技术方案能够解决现有碱性蚀刻液再生液提铜回用过程的蚀刻速率较慢、且品质较差的问题。
再生液碱性蚀刻添加剂蚀刻碱性蚀刻液加速剂稳定剂抑制剂质量份回用提铜催化剂应用

[发明专利]一种用于AMOLED基板玻璃减薄蚀刻液添加剂-CN201710827757.1在审
发明人：白航空 -专利权人：合肥惠科金扬科技有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于AMOLED基板玻璃减薄蚀刻液添加剂，其是由以下成份按照重量百分比组成氢氟酸17‑21％、磷酸8‑14％、硝酸15‑24％、次氯酸钠7‑12％、光亮剂6‑13％、整平剂5‑9％、表面活性剂本发明添加剂配制蚀刻溶液，使用寿命长，工艺稳定；本发明添加剂配制蚀刻溶液，蚀刻的板面，光滑平整，不需要后续加工；本发明添加剂配制蚀刻溶液可稳定蚀刻速度恒定，提高蚀刻系数比及均匀性，同时配合表面活性剂可以提升蚀刻速度；有效降低盐酸的使用量，在工艺上有利于生产效率，且经济实用，配制方法简单，蚀刻过程中不产生有害气体。
一种用于 amoled 玻璃蚀刻添加剂

[发明专利]金属配线蚀刻液组合物及其应用-CN202011213659.7在审
发明人：刘净 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属配线蚀刻液组合物，所述金属配线蚀刻液组合物包括过氧化氢、添加剂和水；所述添加剂包括：四唑类化合物、无机酸或无机酸化合物、氟化物和金属盐防析出剂。本申请还公开了所述金属配线蚀刻液组合物在半导体阵列基板金属配线蚀刻工艺中的应用。本申请的金属配线蚀刻液组合物以无机添加剂为主，大大降低蚀刻液的成本；所述金属配线蚀刻液组合物中还添加了金属盐防析出剂，可以避免因蚀刻液体系中无机物添加剂含量较多而导致在蚀刻过程中产生的铜离子以铜盐析出，保证了本发明的蚀刻液组合物的湿蚀刻特性。
金属蚀刻组合及其应用

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