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[发明专利]基于多层空洞卷积网络的半导体芯片焊点区域提取方法-CN202310484015.9在审
发明人：倪康;邵思林;戴一冕;袁春阳;杨尚东;蒋永新;朱玉萍;刘洪涛 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于多层空洞卷积网络的半导体芯片焊点区域提取方法，通过将原始半导体芯片焊点图像数据集随机均分为N个批次；标注第一批次的半导体芯片焊点图像数据集；利用所标注的第一批次的半导体芯片焊点图像数据集对构建的多层空洞卷积网络模型进行模型训练，并生成当前阶段的最优模型；推理下一批次未标注的半导体芯片焊点图像数据集；直到处理过第N批次的半导体芯片焊点图像数据集，利用所有标注好的半导体焊点图像数据集进行最终的模型训练，得到最优提取模型，进行半导体芯片焊点区域提取；该方法能够在显著提升网络性能的同时减少模型参数量，能够保证数据集标注的高质量，能够有效提升半导体芯片焊点区域提取的效率和准确性。
基于多层空洞卷积网络半导体芯片区域提取方法

[实用新型]新型卫星降频器-CN201821532567.3有效
发明人：郑天辉 -专利权人：珠海市美信电子科技有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G01S19/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型卫星降频器，包括依次电连接的两路信号输入端、射频放大电路和集功分器、混频器、振荡器和中频放大器为一体的第一集成芯片，所述第一集成芯片还连接有至少一个微带分配器，还包括至少一个用于信号合路的第二集成芯片，所述第二集成芯片的数量与所述微带分配器的输出端数量相同，所述微带分配器的每一输出端与一第二集成芯片连接，所述第二集成芯片还连接有信号输出端口。本实用新型把原来两路水平极化信号和垂直极化信号通过第一集成芯片和微带分配器分路，再通过第二集成芯片合路，通过信号输出端口能够连接更多的数字机，增加了用户数量，且节约线材，维护使用也更加方便。
集成芯片分配器微带信号输出端口本实用新型卫星降频器输出端垂直极化信号射频放大电路水平极化信号中频放大器两路信号信号合路电连接功分器混频器输入端数字机振荡器分路合路两路线材节约维护

[实用新型]一种TYPE C高清图像与高速数据切换扩展坞-CN202021790225.9有效
发明人：蒲文雄 -专利权人：深圳市沃普天科技有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本实用新型公开一种TYPE C高清图像与高速数据切换扩展坞，包括：主控MCU、与主控MCU连接的MUX转换芯片、与主控MCU连接的图像芯片、与MUX转换芯片连接的USB 3.1 Gen 1集线器芯片、与MUX转换芯片连接的USB 3.1 Gen 2集线器芯片、与USB 3.1 Gen 1集线器芯片连接的若干USB3.0接口以及与USB 3.1 Gen 2集线器芯片连接的若干USB3.2接口，图像芯片将输入的图像信号转换为本实用新型通过按键可以选择切换高清图像传输与高速数据传输模式，可将输入的图像转换为4K60HZ、8K60HZ等高清图像信号，从而进行高清图像传输，并且通过USB 3.1 Gen 1集线器芯片与USB 3.1Gen 2集线器芯片转换为通用的USB高速接口，USB高速接口与外部设备连接，实现高速传输。
一种 type 图像高速数据切换扩展

[发明专利]芯片资源分配方法、装置、网络设备及计算机存储介质-CN202011515612.6有效
发明人：朱烈伟 -专利权人：迈普通信技术股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片资源分配方法、装置、网络设备及计算机存储介质，该方法包括：获取待分配芯片资源的业务及其需要分配的全局芯片资源；获取所述全局芯片资源在各个业务板卡上分别可下发的能力集；根据各个能力集，确定出最佳能力集及可用业务板卡，所述可用业务板卡的能力集不小于所述最佳能力集，所述最佳能力集不为零；从每个所述可用业务板卡中申请相同的所述全局芯片资源分配给所述业务。该方法可以在不用替换掉不支持全局芯片资源的业务板卡的前提下保证业务的正常运行，从而避免被替换掉的业务板卡上的资源的浪费。
芯片资源分配方法装置网络设备计算机存储介质

[发明专利]硅中介层-CN201510413740.2有效
发明人：管式凡;施能泰 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅中介层，包含一硅基板，具有一正面及相对于正面的一背面；一第一集成电路芯片，设置在硅基板的正面；一第二集成电路芯片，设置在硅基板的正面且靠近第一集成电路芯片；一虚设切割道区域，设置在第一集成电路芯片与第二集成电路芯片之间
中介

[发明专利]工作量验证方法、装置、芯片控制器及存储介质-CN202110408167.1在审
发明人：孔剑平;胡楠;王琪;李炳博 -专利权人：浙江毫微米科技有限公司;浙江微片科技有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本申请公开工作量验证方法、装置、芯片控制器及存储介质，属于区块链技术领域。方法应用于芯片系统的芯片控制器，芯片控制器包括芯片，芯片包括：至少两个存储器，每个存储器与混和器通信连接，初始化器以及终止器与混和器通信连接；方法包括：通过初始化器生成第一数据集；从与混和器连接的存储器中读取第二数据集，通过第二数据集对第一数据集执行更新过程；在更新过程的次数小于或等于次数阈值时，利用更新后的第一数据集，进入从与混和器连接的存储器中读取第二数据集，通过第二数据集对第一数据集执行更新过程的步骤，直至次数大于次数阈值；通过终止器对更新后的第一数据集作为的第三数据集进行验证，验证通过后，发放工作量证明算法奖励。
工作量验证方法装置芯片控制器存储介质

[发明专利]太赫兹倍频器芯片、制备方法及通信装置-CN202210876663.4在审
发明人：宋旭波;梁士雄;吕元杰;张立森;蔚翠;顾国栋;王元刚;郝晓林;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹倍频器芯片、制备方法及通信装置。该太赫兹倍频器芯片，包括：第一晶圆芯片及第二晶圆芯片；第一晶圆芯片的正面设置有第一集成电路，第二晶圆芯片正面设置有第二集成电路，第一集成电路和第二集成电路电连接，用于倍频；第一晶圆芯片的背面和第二晶圆芯片的背面背靠背设置本发明将太赫兹倍频器电路制备在两个背靠背的晶圆芯片上，有效减小了太赫兹倍频器芯片的体积，合成效率高，且提高了芯片的耐受功率和输出功率。
赫兹倍频器芯片制备方法通信装置

[发明专利]一种流量复制架构、方法、装置、处理芯片及交换芯片-CN202310594735.0在审
发明人：孙浩;赵志伟;李开科;刘立;石娜;徐珠宝 -专利权人：曙光网络科技有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H04L47/19 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种流量复制架构、方法、装置、处理芯片及交换芯片。该流量复制架构，包括：处理芯片及交换芯片；处理芯片，用于对待转发流量进行仲裁，确定对应的携带信息集及转发信息集，将携带信息集及转发信息集添加至待转发流量，生成目标转发流量，发送至交换芯片；交换芯片，用于根据转发信息集该架构避免了处理芯片带宽低无法大量复制流量的情况，同时使交换芯片在复制流量时可携带信息。
一种流量复制架构方法装置处理芯片交换

[实用新型]电子系统-CN201420555662.0有效
发明人： R·科菲;R·布雷希尼亚克 -专利权人：意法半导体(格勒诺布尔2)公司
申请日： 2014-09-23 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种电子系统包括第一集成电路芯片和第二集成电路芯片。第一衬底晶片被定位于第一集成电路芯片与第二集成电路芯片之间并且被配置有用于与第一集成电路芯片形成电连接的第一连接网络。被配置有用于与第二集成电路芯片形成电连接的第二连接网络的第二衬底晶片被定位成面向第一衬底晶片。第一衬底晶片和第二衬底晶片的连接网络通过连接结构电连接。包括第三连接网络的第三衬底晶片与第一集成电路芯片热接触并且通过其它连接结构电连接至第一衬底晶片的第一连接网络。其它连接结构可以使用另一衬底晶片来形成。
电子系统

[实用新型]集成电路封装件-CN202221032385.6有效
发明人：廖弘昌;陈晓林;田亚南;刘振东 -专利权人：日月新半导体（威海）有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：所述集成电路封装件包括导线架、第一集成电路芯片、金属板以及封装体。所述导线架经配置以在所述导线架的顶面涂布锡膏。所述第一集成电路芯片经配置以将所述第一集成电路芯片的第一面倒贴于所述导线架的所述顶面，并通过所述锡膏粘接于所述顶面。所述金属板经配置以粘接于所述第一集成电路芯片的第二面以进行信号连接。所述第一集成电路芯片的第一面与所述第一集成电路芯片的第二面相对。所述封装体经配置以覆盖所述导线架、所述第一集成电路芯片以及所述金属板。
集成电路封装

[发明专利]基于芯片的指令集处理方法、装置及存储介质-CN201810041814.8有效
发明人：王玉伟;于潇宇;张立鑫;张博 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G06F8/41 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于芯片的指令集处理方法、装置及计算机可读存储介质，属于数据处理技术领域。方法包括：基于芯片的架构对待加速的深度学习模型进行编译，得到与芯片匹配的待处理的深度学习指令集；对待处理的深度学习指令集进行压缩处理，得到压缩后的指令集；将所述压缩后的指令集通过写寄存器的方式存储至所述芯片的指令集缓冲区中通过对待处理的深度学习指令集进行压缩处理，可以降低对存储空间的需求；将压缩后的指令集通过写寄存器的方式存储至芯片的指令集缓冲区中，实现指令寄存器化，降低指令交互的开销。
基于芯片指令处理方法装置存储介质

[发明专利]光学神经网络芯片的参数生成方法及制造方法-CN202210080623.9在审
发明人：陈宏伟;符庭钊;臧裕斌 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本公开提供一种光学神经网络芯片的参数生成方法、芯片制造方法及装置和介质。光学神经网络芯片的参数生成方法包括：设置光学神经网络芯片的芯片基本参数，并基于芯片基本参数构建芯片神经网络模型，其中光学神经网络芯片包括用于对光学神经网络芯片中的光的光特征量进行调制的至少一个光特征量突变单元；基于芯片基本参数获得光学神经网络芯片的光场的基准函数；获取初始训练集，并将初始训练集映射到光场，以获得光学训练集；利用光学训练集对芯片神经网络模型进行训练，以获得芯片特征参数，其中芯片特征参数表征至少一个光特征量突变单元的结构特性，其中，芯片基本参数和芯片特征参数用于制造光学神经网络芯片。
光学神经网络芯片参数生成方法制造

[发明专利]判断MEMS可调法珀腔芯片一致性的方法、装置、设备及介质-CN202310516352.1在审
发明人：刘浩;闫晓剑;陈宫傣;张国宏;李光尧 -专利权人：四川启睿克科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种判断MEMS可调法珀腔芯片一致性的方法、装置、设备及介质，方法包括分别采集标准芯片与待测芯片样品光谱数据；将标准芯片与待测芯片采集的样品光谱数据划分为建模集与判断集；采用相同的建模方式对标准芯片与待测芯片建模集光谱数据进行光谱建模，获取标准芯片光谱模型与待测芯片光谱模型；分别使用标准芯片光谱模型与待测芯片光谱模型对判断集样品进行预测，分别获得标准预测值与待测预测值；计算标准预测值与待测预测值的整体偏移量，并结合整体偏移量对标准芯片与待测芯片的一致性进行判断本发明在保证光谱芯片预测能力一致的前提下大幅提升光谱芯片的合格率，可以有效解决传统芯片一致性判断方法中合格率低，芯片浪费的问题。
判断 mems 可调法珀腔芯片一致性方法装置设备介质

[发明专利]基于信息熵卷积神经网络的芯片表面缺陷识别方法-CN202310425614.3在审
发明人：褚洁;王宇翔;张呈恺;温凯林;李天红;孔亮;张靖晨;蔡觉平 -专利权人：苏州鸿鹄骐骥电子科技有限公司;西安电子科技大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G06V10/774 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理技术，一种基于信息熵卷积神经网络的芯片表面缺陷识别方法，构建数据集：利用芯片生产工艺获得芯片所属的预设类别，利用可见光成像设备拍照采集芯片样本晶圆表面的光学图像，以构建数据集，划分训练集和测试集，构建卷积神经网络初始模型并训练：将训练集的图像输入卷积神经网络初始模型中，以交叉熵损失函数作为优化目标进行训练，以获得卷积神经网络中间模型，构建信息熵卷积神经网络初始模型，训练信息熵卷积神经网络初始模型，芯片表面缺陷识别：将所属数据集中的测试集的图像输入信息熵卷积神经网络最终模型中，由输出层输出识别结果，以此方式完成芯片表面缺陷识别。
基于信息卷积神经网络芯片表面缺陷识别方法

[发明专利]半导体器件和半导体器件制造方法-CN201110159141.4有效
发明人：福田恭平;望月英司;泽野光利;须泽孝昭 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够防止半导体芯片的破裂和碎裂并提高器件特性的半导体器件和半导体器件制造方法。在半导体芯片的元件端部的侧面设置分离层。而且，在半导体芯片的元件端部，通过凹部形成帽檐部。集电层设置在半导体芯片的背面上，延伸到凹部的侧壁和底面，并与分离层连接。在集电层的整个表面上设置集电电极。凹部的侧壁上的集电电极成为，最外层电极膜的厚度为0.05μm或更小。设置在半导体芯片的背面上的集电电极经由焊料层接合于绝缘衬底上。将焊料层设置成覆盖设置在半导体芯片的背面的平坦部上的集电电极。
半导体器件制造方法