专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果303474个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种稀土系T/EBC陶瓷基复合环境障涂层及其制备方法-CN201710198494.2有效
  • 罗瑞盈;全华锋 - 北京航空航天大学
  • 2017-03-29 - 2018-02-23 - C04B41/89
  • 本发明涉及一种稀土系T/EBC陶瓷基复合环境障涂层及其制备方法,陶瓷基体为碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基复合材料,复合环境障涂层由内到外依次包括抗水氧腐蚀层、化学阻挡层、能量耗散层和热防护屏蔽层,抗水氧腐蚀层制备在陶瓷基体的表面;其中,抗水氧腐蚀层的材料包括莫来石和硅酸镥;化学阻挡层的材料包括氮化锆;能量耗散层的材料包括钇铝石榴石;热防护屏蔽层的材料包括锆酸镧。本发明提供的陶瓷基复合环境障涂层具有优异的综合性能,可以提高涂层的界面强度、断裂韧性和硬度,显著延长涂层使用寿命,降低涂层导热系数,使SiCf/SiC陶瓷基体在1900K以上的高温环境下多周次循环使用后能保持综合性能稳定
  • 一种稀土ebc陶瓷复合环境涂层及其制备方法
  • [发明专利]一种波传播的处理方法、装置和设备-CN201910957165.0有效
  • 张博雅;杨顶辉 - 清华大学
  • 2019-10-10 - 2020-11-13 - G01V1/28
  • 本说明书实施例公开了一种波传播的处理方法、装置和设备,该方法包括:将致密孔隙介质中的流体等效为幂律流体的情况下,基于致密孔隙介质中的流体满足的幂律流体的本构关系,确定含流体孔隙介质中基于非达西流的耗散函数;将致密孔隙介质中的固体骨架和不流动的液体作为粘弹性体,并基于粘弹性刚度系数、应变不变量,以及固体骨架的和该流体的体应变,确定含流体孔隙介质的势能函数,基于孔隙度、致密孔隙介质中的孔隙与孔喉的平均弯曲度、致密孔隙介质中固体和流体的密度,以及致密孔隙介质的流相位移和固相位移,确定含流体孔隙介质的动能函数;根据上述耗散函数、含流体孔隙介质的势能函数和动能函数,构建基于非达西流的波传播模型。
  • 一种传播处理方法装置设备
  • [发明专利]投射式显示装置-CN201680088741.7有效
  • 山下荣介 - NEC显示器解决方案株式会社
  • 2016-08-25 - 2021-07-30 - G03B21/16
  • 本发明实现了一种投射式显示装置,所述投射式显示装置能够通过减小密封区域的尺寸相对容易地防止灰尘渗透到光学引擎的内部中,并且设置有尺寸较小且高效的热量耗散结构和光学引擎冷却结构。本发明设置有:光源;防尘箱;热量耗散肋片;热量耗散风扇,所述热量耗散风扇致使冷却空气流到所述热量耗散肋片中;棱镜单元,所述棱镜单元提供在所述防尘箱内侧并且将来自所述光源的光分成多个照明光束;内部循环风扇;热量接收肋片;以及热管,所述热管连接所述热量耗散肋片和所述热量接收肋片。所述热量接收肋片和所述热量耗散肋片二者形成为基本长方体形状,各自具有第一表面以及面积比所述第一表面大的第二表面作为对于热量耗散或热量接收特别有效的冷却空气入流表面。所述防尘箱内侧的由所述内部循环风扇供应的冷却气流从所述热量接收肋片的所述第一表面和所述第二表面流动,并且由所述热量耗散风扇供应的冷却气流从所述第二表面流到所述热量耗散肋片中。
  • 投射显示装置
  • [发明专利]漏电能耗的确定方法及半导体存储器-CN202211145104.2在审
  • 杨杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-09-20 - 2022-12-02 - G11C16/06
  • 本申请实施例提供一种漏电能耗的确定方法及半导体存储器,所述方法包括:通过电源向存储器的阵列区写入高电平信号,获取所述存储器耗散的总热量,所述存储器包括所述阵列区的存储电容、所述阵列区和外围区的开关管,所述存储器耗散的总热量包括所述开关管的漏电能耗和电容耗散的第一热量,所述电容包括所述存储电容和所述开关管的等效电容;泄放所述电容的总存储能量,获取测量的所述电容耗散的第二热量,并将所述电容耗散的第二热量确定为所述电容的总存储能量;基于所述存储器耗散的总热量和所述电容耗散的第二热量
  • 漏电能耗确定方法半导体存储器

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top