“结构接触”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果10686919个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]接触结构-CN201910112883.8在审
发明人：朴灿鲁;蔡东辰 -专利权人：格芯公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及接触结构。本公开涉及半导体结构，并且更特别地，涉及接触结构以及制造方法。所述方法包括：使位于邻近栅极结构之间并且位于源极/漏极金属化的金属化覆盖层下方的隔离区凹陷；将所述金属化覆盖层平面化至所述邻近栅极结构的水平；以及形成在所述邻近栅极结构的侧面上并且在所述邻近栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化的源极/漏极接触。
栅极结构金属化源极/漏极接触结构邻近覆盖层半导体结构隔离区平面化凹陷侧面延伸制造

[发明专利]接触结构-CN201810455915.X在审
发明人：李颖;戴贤明;黄健铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种接触结构和半导体器件以及其形成方法。所述接触结构包含第一金属层和第二金属层。所述第一金属层设置在第一介电层中。
第一金属层第二金属层接触结构介电层半导体器件电连接金属延伸

[发明专利]接触结构-CN201810472293.1有效
发明人：舒杰辉;吴旭升;黄海苟;张宏光;刘佩;L·埃科诺米可斯 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明涉及接触结构。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及位于有源栅极结构之上的接触以及制造方法。所述结构包括：由位于侧壁材料之间的导电材料构成的有源栅极结构；位于所述侧壁材料上方的上侧壁材料，所述上侧壁材料与所述侧壁材料的材料不同；以及与所述有源栅极结构中的所述导电材料电接触的接触结构。所述接触结构位于所述侧壁材料之间和所述上侧壁材料之间。
接触结构

[实用新型]接触结构-CN201621042318.7有效
发明人： D·C·韦格曼;E·S·乔尔 -专利权人：苹果公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01R13/24 文献下载
摘要：本申请涉及接触结构。更具体而言，涉及容易制造的接触结构，其中该接触结构中的触点提供足够的法向力，同时在电子设备中消耗最小量的表面积、深度和体积。
接触结构

[发明专利]接触结构-CN201180064305.3有效
发明人：田中新;铃木克彰 -专利权人：泰科电子日本合同会社
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01H37/52 文献下载
摘要：本发明提供一种装置，其中″双开(或双闭合)接触结构”中的接触件之间的接触以尽可能相同的状态在两个位置出现。在活动构件(102)和两个固定构件(110，112)的接触结构中，每个固定构件具有固定接触件(116，118)，活动构件包括与每个固定构件的固定接触件接触或分离的活动接触件(106)，活动构件整体上为条带形式，活动构件的一端被支撑为允许活动构件的所述接触和分离，并且活动构件另一端具有所述活动接触件，并且活动构件在它的两端之间具有变窄段。
接触结构

[发明专利]接触结构的制备方法及接触结构-CN202111286549.8在审
发明人：辛欣;王景皓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开提供一种接触结构的制备方法及接触结构。本公开提供的接触结构的制备方法包括：提供一衬底，所述衬底的表面上依次设置第一多晶硅层和第一掩膜层；对所述第一多晶硅层和所述第一掩膜层实施第一刻蚀工艺，形成所述第一掩模层宽度小于所述第一多晶硅层宽度的台阶型结构；以所述第一多晶硅层为掩膜对所述衬底实施第二刻蚀工艺，形成沟槽；在所述沟槽中沉积第二多晶硅层，所述第二多晶硅层顶部高度不高于所述第一掩模层的底部；进行退火工艺，形成接触结构。本公开通过在接触结构的制备过程中采用台阶型结构，改善了多晶硅层中孔隙过多的问题，并通过退火工艺进一步改善多晶硅生长产生的空洞，提高了接触结构的质量，改善了缺陷问题。
接触结构制备方法

[发明专利]具有接触块的接触结构-CN01120317.X无效
发明人：西奥多·A·库利;蒂姆·弗雷什 -专利权人：株式会社鼎新;爱迪生焊接研究所
申请日： 2001-07-18 - 公布日： 2003-02-19 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：一种用于与设置在被测基板上的接触目标建立电连接的接触结构，具有一种以球形接触器作为接触点的TAB(带自动连接)形式。该接触结构包括多个由通过介电层而置于接地层上的导线构成的接触器，其中每一导线具有一种平板形状，以形成一个与所述介电层和接地层结合、用于建立预定特性阻抗的微带线，并在每一导线的端部设置一个由一种硬导电材料制成的接触凸块；以及用于在其上固定所述多个接触器，并使通信路径从所述导线端部延伸到该接触结构外部的一个部件的支撑基板。当接触结构头压住被测基板时，接触器弯曲，相对于固定有接触目标的被测基板表面倾斜，使得接触器的弯曲部分以位于导线端部的接触凸块实现摩擦效果这样的方式产生一个触点压力。
具有接触结构

[发明专利]接触连接结构-CN201910393513.6在审
发明人：弓立隆博 -专利权人：矢崎总业株式会社
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01R13/03 文献下载
摘要：一种接触连接结构，包括：设置在第一端子中的第一接触部，其具有形成在第一基材的外表面上的第一镀层，并且具有从第一基材的外表面形成的平面突出的缩进部；以及设置在第二端子中的第二接触部，具有形成在第二基材的外表面上的第二镀层，并且被构造为与缩进部接触。第一接触部处的第一基材的外表面和第二接触部处的第二基材的外表面中的至少一者形成为具有比轧制棒材的表面粗糙度小的表面粗糙度的光滑表面。
基材表面粗糙度缩进部镀层轧制光滑表面接触连接棒材面形

[发明专利]单元接触结构-CN201610170103.1有效
发明人：吴铁将;施能泰;胡耀文 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种单元接触结构，包含有一半导体衬底，具有一主表面；一向上凸出结构，位在所述主表面上；一单元接触区域，位在所述主表面且邻近所述向上凸出结构；一界面薄膜，顺形的覆盖在所述向上凸出结构的侧壁上以及所述单元接触区域上；以及一接触插塞，位在所述单元接触区域上，其中所述界面薄膜介于所述接触插塞与所述单元接触区域之间。
单元接触结构

[发明专利]接触垫结构-CN201610283308.0有效
发明人：林志曜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触垫结构，包括交替堆叠的N层(N≥6)绝缘层及N层导电层，且具有排成二维阵列的N个区域露出各导电层。
接触结构

[实用新型]欧姆接触结构-CN201720867867.6有效
发明人：张艺蒙;张玉明;李彦良;宋庆文;汤晓燕 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种欧姆接触结构，包括SiC衬底层(10)和依次位于所述SiC衬底层(10)之上的SiC外延层(20)、第一Ni层(30)、Ti层(40)、Al层(50)、第二Ni层(60)、TaSi2层本实用新型欧姆接触结构具有抗老化、电学特性稳定、且在高温、空气环境下有着良好性能。
欧姆接触结构

[实用新型]电极接触结构-CN201320255183.2有效
发明人： G·M·格利瓦纳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及电极接触结构。一个技术问题是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。在一种实施例中，电极接触结构包括：具有相对的第一和第二主表面的半导体材料区，其中半导体材料区包括有源区和接触区；从第一主表面延伸至半导体材料区之内的接触沟槽；沿着接触沟槽的表面形成的第一电介质层；形成为邻接于第一电介质层的第一屏蔽电极接触部分，其中第一电极接触部分凹进到第一主表面之下并且包括平行于第二主表面的平面部分；形成为覆盖于第一电极接触部分的一部分上的第二电介质层；以及形成于接触沟槽内的且沿着平面部分与第一电极接触部分接触的第二屏蔽电极接触部分根据本实用新型，可以通过减少与相关接触结构关联的制造问题来提高成品率和器件性能。
电极接触结构

[实用新型]接触端子结构-CN201621095522.5有效
发明人：胡启才;谭新容;周吉洲;韦智君 -专利权人：信音电子（中山）有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01R13/24 文献下载
摘要：一种接触端子结构，包括一基座，具有一底部、以及二由底部向上延伸且彼此间隔相距的侧部，二侧部上分别设有一开孔；以及一接触弹臂，具有一弹性部与一接触部，弹性部由底部延伸而出且朝向二侧部间弯曲，接触部由弹性部延伸至二侧部间相对远离底部的位置上，且接触部相对于二侧部的边缘上分别朝向二开孔延伸一突缘；其中，二突缘抵靠于二开孔的上缘处，并于二侧部相邻于二开孔的上缘的部位分别形成一限位肋，且二限位肋是朝向彼此而呈突出状。
接触端子结构

[实用新型]欧姆接触结构-CN202222227433.3有效
发明人：陈玉成;高涛;曾广锋 -专利权人：东莞先导先进科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N10/817 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种欧姆接触结构，包括半导体材料层、粘附金属层、欧姆接触金属层和扩散阻挡金属层，所述半导体材料层具有第一端面，所述第一端面开设有多个凹槽；所述粘附金属层设置于所述第一端面；所述欧姆接触金属层设置于所述粘附金属层；所述扩散阻挡金属层设置于所述欧姆接触金属层。本实用新型结构简单紧凑，提高半导体材料层和欧姆接触金属层之间的粘合力，保证半导体器件的寿命。
欧姆接触结构

[实用新型]接触弹片结构-CN03206883.2无效
发明人：叶飞鹏 -专利权人：佳颖精密企业股份有限公司
申请日： 2003-08-06 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型接触弹片结构，其是由该接触弹片在安装区段的尾端向上弯折成直立的第一靠抵部，安装区段的另侧则以第一弯折部弯折至与第一靠抵部相接触后再反向回绕形成第二弯折部，而第一弯折部与第二弯折部间则构成第一弹性压缩区段第二靠抵部分别将第一弹性伸缩区段内侧的第一弯折部及第二弯折部开口遮蔽，以进一步由第一、第二靠抵部对第二、第一弯折部产生支撑限位作用，并通过第一、第二弯折部与第一、第二弹性压缩区段共同承受压力，使其变形量增加也避免受压力作用而扭曲变形，以确保接触弹片垂直作用而维持在最佳的使用状态
接触弹片结构

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top