专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体制冷器及制备方法-CN202310630251.7在审
  • 崔博然;李明;吴永庆;唐泽丰 - 杭州大和热磁电子有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-10-10 - H10N10/817
  • 本发明公开了一种半导体制冷器及制备方法,旨在解决半导体制冷器的焊接区域熔点低,无法满足使用要求的不足。该发明包括两基板,基板上设有电极;热电元件,设置在两基板之间;热电元件在和基板相对的表面上依次设置内阻挡层和内焊接扩散层,电极上设置外阻挡层;热电元件和基板焊接使内焊接扩散层和外阻挡层之间形成焊接层,内焊接扩散层的元素成分扩散到焊接层改变焊接层的成分比例。本申请的半导体制冷器焊接区组织结构均匀,焊接层可到达350度的耐温性能,满足使用要求。
  • 一种半导体制冷制备方法
  • [发明专利]一种提升Te基热电接头性能的方法-CN201910922138.X有效
  • 陈少平;郭敬云;樊文浩;王文先;吴玉程;孟庆森 - 太原理工大学
  • 2019-09-27 - 2023-09-29 - H10N10/817
  • 本发明一种提升Te基热电接头性能的方法,属热电器件制备和连接件技术领域,其特征在于在热电材料和电极材料之间引入合适的化合物作为阻隔层,构建热电接头浓度梯度结构,解决二者连接过程中元素的严重扩散导致的热电接头性能削弱的问题,实现热电接头性能提升和服役寿命提高的目的。通过在Fe和Te之间引入原子百分比在0x/y1.5范围内的铁碲合金FexTey作为阻隔层,采用放电等离子烧结方法(SPS)制备了Te\FexTey\Fe梯度连接结构,在外加电场和压力场的耦合作用下,在实现材料致密化的同时,同步实现阻隔层与二者之间的扩散反应而形成连接。通过引入阻隔层控制热电材料和电极材料中的元素平衡,解决热电接头界面两侧原子的过度扩散问题,提升接头性能,提高界面稳定性。
  • 一种提升te热电接头性能方法
  • [发明专利]热电转换模块及热电转换模块的制造方法-CN202280012046.8在审
  • 新井皓也;西元修司;大桥东洋;长友义幸 - 三菱综合材料株式会社
  • 2022-01-31 - 2023-09-19 - H10N10/817
  • 该热电转换模块(10)具有:彼此隔着间隔竖立设置的多个热电转换元件(11);配设于这些热电转换元件(11)的竖立设置方向的第一端的第一电极部(25);以及配设于所述竖立设置方向的第二端的第二电极部(35),多个热电转换元件(11)通过第一电极部(25)及第二电极部(35)电连接,在所述第一端配设有第一绝缘电路基板(20),所述第一绝缘电路基板(20)具备由陶瓷构成的第一绝缘层(21)及由银的烧成体构成的第一电极部(25),在所述第二端配设有第二绝缘电路基板(30),所述第二绝缘电路基板(30)具备由陶瓷或树脂构成的第二绝缘层(31)、由铝或铜构成的缓冲层(34)及第二电极部(35)。
  • 热电转换模块制造方法
  • [发明专利]一种检测两面陶瓷基板温度的热电半导体模块-CN202211435401.0在审
  • 冯林 - 浙江先导热电科技股份有限公司
  • 2022-11-16 - 2023-05-12 - H10N10/817
  • 本发明主要是为了解决现有的检测两面陶瓷基板温度的方案存在风险的问题,公开了一种检测两面陶瓷基板温度的热电半导体模块,包括长边陶瓷基板和短边陶瓷基板,长边陶瓷基板上设有P/N型半导体颗粒和第一NTC温度传感器,短边陶瓷基板上设有第二NTC温度传感器,长边陶瓷基板和短边陶瓷基板两侧均设有焊线焊盘位置;热电半导体模块还包括通电导线、第一NTC温度传感器传输导线和第二NTC温度传感器传输导线。本发明实现了热电半导体模块两面陶瓷基板温度的检测,焊接导线在空间上相互错开,降低了焊接短路风险;检测长边陶瓷基板温度时,有效减少短边陶瓷基板温度通过介质传递到长边陶瓷基板,保证温度检测结果的准确性。
  • 一种检测两面陶瓷温度热电半导体模块
  • [发明专利]一种半导体制冷器件及其制备工艺-CN202211718091.3在审
  • 刘志双;曾广锋;高涛 - 东莞先导先进科技有限公司
  • 2022-12-30 - 2023-04-28 - H10N10/817
  • 本发明属于制冷技术领域,提供了一种半导体制冷器件。包括P型半导体、N型半导体和热端陶瓷基板、冷端陶瓷基板;所述P型半导体和N型半导体在水平方向上交错分布,所述冷端陶瓷基板和所述热端陶瓷基板分别位于P型半导体和N型半导体的顶部和底部;所述P型半导体和N型半导体的上表面通过导流板胶层和冷端陶瓷基板连接,所述P型半导体和N型半导体的下表面通过导流片或导流板胶层和所述热端陶瓷基板连接。本发明提供的半导体制冷器件,与现有技术相比结构简单,材料成本降低,且至少可减少一个导流片的使用,可避免使用过程中由于高频冷热循环而对焊料焊接点带来老化的损伤,提高了半导体制冷器件的使用寿命。
  • 一种半导体制冷器件及其制备工艺
  • [实用新型]欧姆接触结构-CN202222227433.3有效
  • 陈玉成;高涛;曾广锋 - 东莞先导先进科技有限公司
  • 2022-08-23 - 2023-04-07 - H10N10/817
  • 本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种欧姆接触结构,包括半导体材料层、粘附金属层、欧姆接触金属层和扩散阻挡金属层,所述半导体材料层具有第一端面,所述第一端面开设有多个凹槽;所述粘附金属层设置于所述第一端面;所述欧姆接触金属层设置于所述粘附金属层;所述扩散阻挡金属层设置于所述欧姆接触金属层。本实用新型结构简单紧凑,提高半导体材料层和欧姆接触金属层之间的粘合力,保证半导体器件的寿命。
  • 欧姆接触结构
  • [发明专利]热电转换组件及其制造方法-CN202180038636.3在审
  • 关佑太;森田亘;加藤邦久 - 琳得科株式会社
  • 2021-05-26 - 2023-02-03 - H10N10/817
  • 本发明提供可防止由接合材料引起的电极上的热电转换材料的芯片的位置偏移、抑制邻接的热电转换材料的芯片之间的短路、热电转换材料的芯片与电极的接合不良的热电转换组件及其制造方法。该热电转换组件包含:具有第1电极的第1基板;具有第2电极的第2基板;由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片;由第1接合材料形成的第1接合材料层,所述第1接合材料层将该热电转换材料的芯片的一面和上述第1电极接合;以及由第2接合材料形成的第2接合材料层,所述第2接合材料层将上述热电转换材料的芯片的另一面和上述第2电极接合,其中,上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的熔点,或者上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的固化温度。
  • 热电转换组件及其制造方法

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