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[发明专利]半导体结构形成的方法-CN200710002191.5有效
发明人：刘弘仁;谢维贤;叶章和 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-01-12 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体结构形成的方法，包括：提供一基板；形成一第一下掩模层于基板上；形成一第一图案化掩模于第一下掩模层上，以界定一第三图案化掩模的一部分；形成一第二下掩模层于第一下掩模层上方且覆盖第一图案化掩模；形成一第二图案化掩模于第二下掩模层上，且第二图案化掩模与第一图案化掩模无重叠，以界定第三图案化掩模的另一部分；以第一图案化掩模及第二图案化掩模为掩模下切蚀刻第一下掩模层与第二下掩模层，以形成第三图案化掩模；以第三图案化掩模为掩模蚀刻基板，以形成多个岛；以及移除第三图案化掩模。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构形成方法-CN202110503311.X有效
发明人：浦栋;惠利省;杨国文 -专利权人：度亘激光技术（苏州）有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构形成方法，涉及半导体结构制备技术领域，包括：在透明衬底的上表面形成第一负光刻胶层；对第一负光刻胶层进行曝光，在第一负光刻胶层的曝光区域形成正梯形结构；在第一负光刻胶层上方形成第二负光刻胶层，对其进行曝光，在第二负光刻胶层的曝光区域形成倒梯形结构；对第一负光刻胶层和第二负光刻胶层进行显影，在透明衬底上形成多个由正梯形结构和倒梯形结构堆叠而成的光阻隔离柱；在光阻隔离柱顶面形成保护层，沿倒梯形结构的一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构同侧的腰进行等离子体处理；沿倒梯形结构的另一侧的腰的倾斜方向对正梯形结构同侧的腰进行等离子体处理；对透明衬底的上表面一侧进行电子束蒸镀金属。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构形成方法-CN200910209356.5无效
发明人：青云 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：一种半导体结构形成方法，包括：提供衬底；向衬底注入离子，形成n埋层区域；在n埋层区域上形成n型外延层；在n型外延层内形成多个有源区和隔离区；在n型外延层内的部分有源区形成NSINK区，所述NSINK区与n埋层区域连通；在外延层表面形成加厚栅氧层；对栅氧层覆盖下外延层表面进行离子注入；在外延层表面形成覆盖栅氧层的栅多晶层；对所述栅多晶层进行离子注入；在所述栅氧层和栅多晶层的侧壁形成侧墙；在所述NSINK区内形成N阱；在有源区进行离子注入，形成P阱。
半导体结构形成方法

[发明专利]金属微结构形成方法-CN200910163069.5无效
发明人：王宏杰;黄雅如 -专利权人：技鼎股份有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属微结构形成方法，是应用于微结构组件制造过程，利用本发明的金属微结构形成方法，于形成微结构组件的立体金属微结构时，无须电镀第二种金属以围绕在金属外围、且无须蚀刻第二种金属，而可降低电镀所造成的残留应力、金属层间不会有残留应力，金属所附着的基板不致变形，而不致影响微结构组件后续制造过程进行，且，由于无须蚀刻第二种金属，因而，不会有蚀刻液渗入每层接口的问题，不会造成每层的附着力降低，而不致影响微结构组件的功能
金属微结构形成方法

[发明专利]接触孔结构形成方法-CN200910056025.2无效
发明人：聂佳相 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触孔结构形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有金属层；在所述衬底表面形成覆盖所述金属层的介质层；刻蚀所述介质层，直至形成暴露金属层的接触孔；在所述接触孔侧壁和暴露出的金属层表面形成阻挡层；采用溅射处理去除金属层表面的阻挡层并溅射处理所述金属层本发明能够有效保护介质层不被损伤，提高了接触孔形成质量，所述溅射处理所述金属层与后续的导电物质填充接触孔工艺还可以采用同一设备，节约了工艺步骤，提高了效率。
接触结构形成方法

[发明专利]金属微结构形成方法-CN201210058118.0无效
发明人：王宏杰;黄雅如 -专利权人：技鼎股份有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属微结构形成方法，是应用于微结构组件制造过程，利用本发明的金属微结构形成方法，于形成微结构组件的立体金属微结构时，无须电镀第二种金属以围绕在金属外围、且无须蚀刻第二种金属，而可降低电镀所造成的残留应力、金属层间不会有残留应力，金属所附着的基板不致变形，而不致影响微结构组件后续制造过程进行，且，由于无须蚀刻第二种金属，因而，不会有蚀刻液渗入每层接口的问题，不会造成每层的附着力降低，而不致影响微结构组件的功能
金属微结构形成方法

[发明专利]双镶嵌结构形成方法-CN200610116902.7无效
发明人：林益世 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构形成方法，包括：形成双镶嵌基体，所述双镶嵌基体包含顺序叠加的刻蚀终止层、介质层、第一抗反射涂层及图案化的第一光致抗蚀剂层；顺序刻蚀第一抗反射涂层、介质层，形成通孔；移除图案化的第一光致抗蚀剂层及第一抗反射涂层；涂覆第二抗反射涂层；利用确定机台完成所述第二抗反射涂层的第一烘干过程；利用上述机台或另一机台完成所述第二抗反射涂层的第二烘干过程，并形成图案化所述第二光致抗蚀剂层；刻蚀第二抗反射涂层及介质层，并去除通孔底部刻蚀终止层，形成沟槽。
镶嵌结构形成方法

[发明专利]热电结构和使用热电结构形成纺织结构-CN200710096776.8无效
发明人：马克·普利森尼尔;查尔斯·萨尔维;蒂里·拉尼尔;丹尼斯·库劳克斯 -专利权人：原子能委员会
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H05B3/34 文献下载
摘要：本发明提供一种通过大致定向在结构(10)的纬纱方向(D1)上的金属线(11，12，13a，13b)的网络形成的热电结构(10)。其包括不同种类的第一(11)和第二(12)导线，交织所述第一和第二导线以形成分别分布在顶部平面和底部平面上的冷热接头。所述接头沿任一导线(11，12)是冷热交替的。所述热电结构(10)包括至少一个在所述顶部平面上的高介质线(13a)，以及至少一个在所述底部平面上的低介质线(13b)。
热电结构使用形成纺织

[发明专利]磁隧道接面结构形成方法-CN201811307722.6在审
发明人：戴品仁;李忠儒;林仲德;吕志伟;田希文;彭泰彦;李乾铭;廖韦豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本揭露描述一种磁隧道接面结构形成方法，利用离子束蚀刻制程而非反应性离子蚀刻制程的方法，用以形成磁隧道接面(magnetic tunnel junction；MTJ)结构。例如，此方法包括在互连层上形成磁隧道接面结构层，互连层包括第一区域及第二区域。此方法进一步包括沉积遮罩层于第一区域中的磁隧道接面结构层上方，及形成遮蔽结构于第二区域中的磁隧道接面结构层上方。此方法亦包括以离子束蚀刻制程蚀刻遮蔽结构之间的磁隧道接面结构层，以在互连层的第二区域中的介层孔上方形成磁隧道接面结构；及利用离子束蚀刻制程移除互连层的第一区域中的遮罩层、顶部电极、磁隧道接面堆叠，及底部电极的一部分
磁隧道接面蚀刻制程互连层结构层第二区域第一区域离子束结构形成遮蔽结构遮罩层蚀刻底部电极顶部电极非反应性介层孔堆叠移除沉积离子

[发明专利]半导体装置中的结构形成-CN202210145052.2在审
发明人：郑光伟;倪其聪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体装置中的结构形成。一种半导体装置可以包含一或多个低介电常数(低κ)层，其在衬底上。所述半导体装置可以包含介电层，其在所述一或多个低κ层上。所述半导体装置可以包含结构，其穿过所述衬底、所述一或多个低κ层和所述介电层。所述半导体装置可以包含衬层，其在所述结构和所述衬底之间、在所述结构和所述一或多个低κ层之间以及在所述结构和所述介电层之间。
半导体装置中的结构形成

[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法-CN201010111207.8有效
发明人：张瑛;林伟铭;吴晓丽 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽，所述浅沟槽侧壁顶部的拐角为弧形；去除与浅沟槽侧壁顶部对应的氮化硅层直至暴露出衬垫氧化层；在所述浅沟槽侧壁、顶部和底部形成保护氧化层；在氮化硅层表面和衬垫氧化层表面形成填充所述浅沟槽的隔离介质层；去除隔离介质层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层和衬垫氧化层。本发明形成的浅沟槽隔离无边沟现象。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法-CN201010111178.5有效
发明人：张瑛;林伟铭 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供依次形成有衬垫氧化层和刻蚀停止层的衬底，所述衬底内形成有浅沟槽；在刻蚀停止层表面和衬垫氧化层表面形成填充所述浅沟槽的隔离介质层；采用反刻掩膜版在所述隔离介质层表面形成第一光刻胶图形；以所述第一光刻胶图形为掩膜，刻蚀部分厚度隔离介质层；去除所述第一光刻胶图形后，采用化学机械抛光工艺去除所述隔离介质层直至暴露出刻蚀停止层；去除所述刻蚀停止层和衬垫氧化层；在所述衬底表面形成覆盖所述隔离介质层的保护薄膜；采用所述反刻掩膜版在所述保护薄膜表面形成第二光刻胶图形；以所述第二光刻胶图形为掩膜，去除保护薄膜至露出衬底，形成保护层。本发明形成的浅沟槽隔离无边沟现象。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法-CN201010546052.0有效
发明人：李亮;何永根;涂火金 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有边缘区域和中心区域；其特征在于，还包括：在所述半导体衬底表面形成衬垫氧化层，位于中心区域与位于边缘区域的所述衬垫氧化层具有厚度差；在所述衬垫氧化层表面形成刻蚀停止层，位于中心区域与位于边缘区域的所述刻蚀停止层的厚度差与位于中心区域与位于边缘区域的衬垫氧化层的厚度差互补；形成位于衬底内且贯穿所述刻蚀停止层、所述衬垫氧化层的浅沟槽；形成位于所述刻蚀停止层表面且填充满所述浅沟槽的介质层本发明形成的浅沟槽具有位于中心区域与位于边缘区域的浅沟槽高度差小的优点。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法-CN201010546103.X有效
发明人：何永根;涂火金 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供形成有衬垫氧化层的半导体衬底；在所述衬垫氧化层表面形成刻蚀停止层，位于中心区域与位于边缘区域的刻蚀停止层具有厚度差；沿所述刻蚀停止层的表面氧化所述刻蚀停止层形成缓冲层，位于中心区域与位于边缘区域的所述缓冲层的厚度差与位于中心区域与位于边缘区域的刻蚀停止层的厚度差对应；形成位于衬底内且贯穿所述缓冲层、刻蚀停止层、所述衬垫氧化层的浅沟槽；形成位于所述缓冲层表面且填充满所述浅沟槽的介质层本发明形成的浅沟槽具有位于中心区域与位于边缘区域的浅沟槽高度差小的优点。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构形成方法-CN201010292511.7有效
发明人：杨芸;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-09-19 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供表面形成有衬垫氧化层的衬底；对所述衬垫氧化层进行掺杂离子注入，形成掺杂衬垫氧化层；在所述掺杂衬垫氧化层表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层、掺杂衬垫氧化层和衬底内形成沟槽；形成填充所述沟槽的填充介质层；去除所述硬掩膜层，暴露出掺杂衬垫氧化层；去除所述掺杂衬垫氧化层暴露出衬底。本发明能够避免形成在浅沟槽隔离结构两侧相邻的多晶硅栅极结构出现穿通或者短路现象。
沟槽隔离结构形成方法