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- [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202110015412.2在审
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颜天才
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广州集成电路技术研究院有限公司
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2021-01-06
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2022-07-08
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H01L23/528
- 本发明公开一种半导体器件及其制备方法,半导体器件包括衬底、第一介电层、栅极结构、第二介电层、底金属层结构、金属层结构以及导电通孔,在衬底上形成多个间隔的有源区,第一介电层设于衬底上,且填充于相邻两个有源区之间,栅极结构形成在多个有源区的上方,第二介电层形成于第一介电层上方,底金属层结构形成于第二介电层内,且电连接有源区和/或栅极结构,金属层结构形成于第二介电层内,且处于底金属层结构上方,导电通孔形成于第二介电层内,且处于底金属层结构以及金属层结构之间,用以电导通底金属层结构与金属层结构,实现了金属层结构与底金属层结构的并联设置,减小了器件内的总电阻。
- 半导体器件及其制备方法
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