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[发明专利]半导体器件的隔离方法-CN90109410.2无效
发明人：权五铉;裴东住 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1990-11-20 - 公布日： 1993-05-26 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：半导体器件隔离法包括形成多层结构；刻出有源区隔离区；形成沟道阻挡区；除去氮化层上的多层结构形成覆盖氧化层；除去氮化层多晶硅层上的多层结构形成隔离层，并在侧壁形成分隔层；形成控制极氧化层和控制极；形成第二导电扩散区形成隔离层采用CVD和光刻法，不致因应力产生鸟嘴现象和位错。分隔层防止沟道阻挡区与离子注入杂质形成的扩散区接触。本发明的隔离极限达正微米范围，避免沟道狭窄效应，提高击穿电压。
半导体器件隔离方法

[实用新型]口腔清洁装置-CN201921211839.4有效
发明人：全宰亨 -专利权人：展臂控股有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： A61C15/00 文献下载
摘要：其包括手柄、剔牙结构、牙线支撑结构、刮舌结构以及牙线。剔牙结构形成于手柄的一端。牙线支撑结构形成于手柄的另一端。刮舌结构形成于手柄、剔牙结构和/或牙线支撑结构的侧部。牙线设置于牙线支撑结构上。本申请实施例的口腔清洁装置可以通过剔牙结构清洁牙齿之间区域的碎屑，也可在牙龈线和牙齿之间的区域中擦拭，清理牙龈沟内残留下来的牙垢，同时可以起到刺激按摩牙龈和牙间隙的作用，防止牙龈萎缩和黑三角的形成；也可以通过牙线来清除牙缝隙内的残渣以及牙齿邻面的牙菌斑，以保持口腔卫生；还可以通过刮舌结构有效地刮擦舌头以从脏舌头移除白色薄膜、舌苔等。
口腔清洁装置

[发明专利]一种基于MaxSAT最优解的联盟结构形成方法-CN201810040196.5在审
发明人：廖晓鹃;刘明哲;张辉;李冬芬 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G06N99/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MaxSAT最优解的联盟结构形成方法，该方法包括如下步骤：确定CSG问题，用MC‑nets框架将CSG问题的特征函数表示为一组规则的集合；将集合中每两个规则之间的关系划分为四种互斥的类型
最优解联盟结构集合子问题互斥游离关系编码规则编码规则集合可扩展性特征函数解算器组规则求解权重合并转化

[发明专利]贴合体制造方法、贴合体及微细结构形成方法-CN202080040772.1在审
发明人：谷口丰;田中觉 -专利权人： SCIVAX株式会社
申请日： 2020-06-02 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种贴合体制造方法、贴合体及微细结构形成方法，能够形成可靠地将模具与被成形物之间的气体去除的状态，能够进行压印法中的单片处理。
贴合体制方法微细结构形成

[发明专利]一种基于超滑结构形成的接触式磁头滑块-CN201910233600.5有效
发明人：杨德智;张清卿 -专利权人：北京清正泰科技术有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G11B5/187 文献下载
摘要：以现有磁头滑块为基础，对其进行刻蚀形成多个直径约为几十微米的凹槽，无需再进行气垫面刻蚀。超滑结构基底选择具有一定刚度并且具有原子级平整的材料，尺寸比磁头滑块凹槽略小，在超滑结构基底材料底部进行刻蚀形成多个比超滑片尺寸稍大的凹槽，将超滑片通过点胶技术粘接于超滑结构基底的凹槽中，通过适当的压力使胶滴固化并使超滑片底部处于同一高度，再将带有超滑片的超滑结构基底粘接于磁头滑块凹槽中。
一种基于结构形成接触磁头

[发明专利]CMOS光学传感器的深槽隔离结构形成方法-CN202110467244.0有效
发明人：沈宇栎;吴长明;冯大贵;王玉新;余鹏;杜闫 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS光学传感器的深槽隔离结构形成方法，对沟槽的刻蚀采用Bosch工艺进行包含刻蚀和沉积的N个反复的循环步骤；每个循环步骤包含：A步骤，在半导体衬底上刻蚀形成初始沟槽，再沉积一层聚合物保护层保护住沟槽的侧壁，然后对沟槽底部向下进行刻蚀；B步骤，去除沟槽侧壁的聚合物保护层，对沟槽底部及沟槽侧壁进行全局的刻蚀；C步骤，在整个结构表面沉积一层聚合物保护层；沉积完成之后，再返回执行A步骤，以此完成循环步骤；每完成一个循环步骤，沟槽的深度向下加深一段；通过控制循环步骤的循环次数以及循环内每步骤的工艺时间梯度，最终刻蚀的沟槽形成开口及底部收缩、中间膨胀的酒桶型剖面形貌。
cmos 光学传感器隔离结构形成方法

[实用新型]一种利用芯模抗浮结构形成的空心楼板-CN202021143096.4有效
发明人：饶大全;孙伟;张家波;王慧聪 -专利权人：中国十七冶集团有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： E04B5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及空心楼板技术领域，且公开了一种利用芯模抗浮结构形成的空心楼板，包括第一楼板、第二楼板、第一L形卡紧板和第二L形卡紧板，第一楼板和第二楼板的侧壁均开设有多个减重孔洞，第一L形卡紧板和第二L形卡紧板分别一体连接在第一楼板和第二楼板的左右两端本实用新型能够实现多个楼板之间的快速稳固连接，提高了结构稳固性。
一种利用芯模抗浮结构形成空心楼板

[实用新型]一种基于钢木混合结构形成的圆弧模板-CN202220008434.6有效
发明人：殷天军;杨润来;刘昊槟;郑伟涛;王从李;庞智童;刘帅;王朔;朱义鑫 -专利权人：中交一航局第一工程有限公司;中交第一航务工程局有限公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： E21D11/10 文献下载
摘要：本实用新型是一种基于钢木混合结构形成的圆弧模板，包括大曲率半径模板以及小曲率半径模板；大曲率半径模板包括设置在弯曲处两侧的模板单体，每个模板单体均包括从外侧向内侧依次设置的若干横向槽钢分载梁、若干竖向双拼槽钢主梁本实用新型为今后类似弧形结构的施工提供技术参考和经验借鉴。
一种基于混合结构形成圆弧模板

[发明专利]一种半导体器件结构及其制造方法、半导体霍尔传感器-CN202110276101.1有效
发明人：王岗;肖韩 -专利权人：杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N52/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件结构及其制造方法、半导体霍尔传感器，其中半导体器件结构包括但不限于半导体基底、阻挡层、阱区结构、隔离层、第一掺杂区结构及第二掺杂区结构。阻挡层形成于半导体基底上。阱区结构形成于阻挡层上，且具有第一掺杂类型。隔离层设置于阱区结构周围，且设置于阻挡层上。第一掺杂区结构形成于阱区结构内，具有第二掺杂类型。其中第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。第二掺杂区结构形成于阱区结构内，且具有第一掺杂类型。第二掺杂区结构掺杂浓度大于阱区结构掺杂浓度。本发明能够利用阻挡层截断阱注入，以使霍尔传感器获得更高的灵敏度，通过基于反型杂质注入形成的侧面掺杂区结构极大降低了霍尔传感器的噪声。
一种半导体器件结构及其制造方法半导体霍尔传感器

[发明专利]一种阵列激光诱导荧光波导芯片及制作工艺-CN201810310306.5在审
发明人：施汉昌;周小红;刘兰华 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本发明涉及一种阵列激光诱导荧光波导芯片及制作工艺，其中，波导芯片包括基底；基底顶部开设第一Y型分支结构，第一Y型分支结构的两个分支处均开设有第二Y型分支结构形成四个分支作为分光区域；第一Y型分支结构和第二Y型分支结构前段以及底层波导芯层构成低折射率差的单条形波导结构形成光的单模传输，第二Y型分支结构后段、底层波导芯层和顶部波导芯层构成高折射率差的双条形波导组合结构形成光的多模传输；每一第二Y型分支结构顶部后段的包覆层上间隔开设若干凹槽并裸露顶部波导芯层作为传感窗口
波导芯片波导芯层底层波导阵列激光制作工艺荧光后段基底芯层诱导条形波导结构单模传输低折射率多模传输高折射率间隔开设结构形成条形波导组合结构包覆层分支处传感分光裸露

[发明专利]图像传感器元件的隔离结构-CN200710302306.2无效
发明人：王文德;刘人诚;杨敦年;庄俊杰;洪志明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-12-18 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一隔离结构形成于所述衬底的像素区域中。所述第一隔离结构包含具有第一深度的沟渠。第二隔离结构形成于所述衬底的外围区域中。所述第二隔离结构包含具有第二深度的沟渠。所述第一深度大于所述第二深度。
图像传感器元件隔离结构

[实用新型]隐形鞋垫-CN201720357699.6有效
发明人：崔晃豪 -专利权人：崔晃豪
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： A43B17/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种隐形鞋垫，包括两种结构形式，第一种结构形式为后跟垫单独使用；第二种结构形式为后跟垫与后跟袜筒组合使用，后跟垫位于后跟袜筒与后跟垫固定层之间形成的夹层空间内；后跟垫前低后高，后跟袜筒两端开口，后跟袜筒袜底针织连接有后跟垫固定层，后跟袜筒与后跟垫固定层之间形成夹层空间，后跟袜筒的袜跟处设置有后跟垫塞入口。其结构简单紧凑，操作便利，治愈效果好；本实用新型使用时，固定效果好，不易滑动。
隐形鞋垫

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110403406.4在审
发明人：刘书豪;詹前泰;陈亮吟;张惠政;杨育佳;陈思颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开说明半导体结构与其形成方法。半导体结构可包含基板、具有第一高度与第一宽度的第一鳍状结构形成于基板上、具有第二高度与第二宽度的第二鳍状结构形成于基板上、与绝缘堆叠形成于第一鳍状结构与第二鳍状结构的下侧部分上。绝缘堆叠的上表面可低于第一鳍状结构与第二鳍状结构的上表面。
半导体结构形成方法

[发明专利]静态随机存取存储器的存储单元结构及存储器-CN202111528228.4在审
发明人：丁荣正;俞少峰;朱小娜;朱宝;尹睿 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第一共栅互补场效应晶体管，所述晶体管单元还包括沿第二方向依次设置的第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道由第一鳍式结构形成，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道由第二鳍式结构形成，所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道由第三鳍式结构形成，所述第二传输管的沟道由第四鳍式结构形成，所述第一方向平行于所述第二方向
静态随机存取存储器存储单元结构存储器

[发明专利]积木装置、拼接单元及拼接构件-CN202010237506.X在审
发明人：杨娜;郭飞 -专利权人：北京和合开物文化发展有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： A63H33/10 文献下载
摘要：该拼接构件的连接结构的改进，使得利用连接结构相同的一类拼接构件可以形成多种类型的立体结构形状。该拼接单元采用了该拼接构件，有利于对拼接构件进行扩展，形成更多类型的立体结构形状。该积木装置利用上述拼接构件，能够形成多种类型的立体结构形状，有利于提高可扩展性。
积木装置拼接单元构件