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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510059260.7无效
发明人：冈田哲也;船越明彦 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：但是，由于pn结二极管构成妨碍高速开关动作及低消耗电力化的主要原因，故此时要外置肖特基势垒二极管，使装置增大或部件数量增多。设置贯通MOSFET的相邻栅极电极间的沟道层的槽，并在槽内设置肖特基金属层。由此，槽底部构成肖特基势垒二极管，故可在MOSFET的扩散区域内装肖特基势垒二极管。由此，可实现装置的小型化和部件数量的消减。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法-CN202110954158.2在审
发明人：徐洋喜 -专利权人：江苏芯唐微电子有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MoN合金的肖特基势垒二极管及其制作方法，涉及肖特基势垒二极管领域，该肖特基势垒二极管的N型半导体衬底的正面设置开设有肖特基窗口的钝化层，肖特基窗口处设置有金属场板终端，金属场板终端包括在N型半导体衬底的表面从下至上依次层叠的MoN合金膜、Mo金属层和Al金属层，利用MoN合金可以改善肖特基接触中存在的势垒非均匀现象，使得该肖特基势垒二极管在不同测试温度下，肖特基势垒几乎不发生变化，势垒的非均匀性得到明显的改善，从而提高肖特基二极管的电学性能。
一种基于 mon 合金肖特基势垒二极管及其制作方法

[发明专利]一种具有钛钨层的肖特基势垒二极管及其制造方法-CN202211079155.X在审
发明人：杨敏红;刘韵吉;单慧 -专利权人：桑德斯微电子器件（南京）有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基势垒二极管及制备方法，二极管结构是，在肖特基势垒硅化物和正面金属之间有一层钛钨层；具体的二极管构造是：从上到下依次为正面金属，钛钨层，肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层，背面金属；肖特基势垒位于n‑外延层和钛钨层之间；钛钨层下面肖特基势垒层周围还设有氧化层。肖特基势垒层，n‑外延层，衬底层制备完成后溅射钛钨：用磁控溅射仪溅射钛钨层，钛钨厚度在0.1um‑0.3um，用于保护肖特基势垒，再制备正面金属电极。
一种具有钛钨层肖特基势垒二极管及其制造方法

[发明专利]一种GaN基准垂直结势垒肖特基二极管及其制作方法-CN202310437391.2在审
发明人：程斌;白俊春;平加峰 -专利权人：上海格晶半导体有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基准垂直结势垒肖特基二极管及其制作方法，所述GaN基准垂直结势垒肖特基二极管包括衬底层、传输层、漂移层、P+二次外延层、阳极和阴极；所述传输层设置于衬底层上方二次外延层设置于凹槽中；所述阳极设置于漂移层顶面和P+二次外延层上面及内侧面上；所述阴极设置于传输层顶面；本发明所制备的具有二次外延p型凹槽阳极的GaN基准垂直结势垒肖特基二极管，阳极凹槽中的P+二次外延层，即重掺杂的P型GaN，与N‑GaN漂移层之间形成PN结，保留了传统JBS的优点，如开启电压低，反向漏电小和耐压高，且开关速率高。
一种 gan 基准垂直结势垒肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]一种浮结型肖特基势垒二极管及其制作方法-CN201910458067.2在审
发明人：宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;吴勇;何艳静;韩超;梁家铖 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种浮结型肖特基势垒二极管，包括：衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1上层；浮结层4，位于所述外延层2上层的两侧；绝缘型多晶硅层5，位于所述浮结层4上层；沟槽6，位于所述绝缘型多晶硅层5上层；肖特基接触阴极7，位于所述衬底层1下层；肖特基接触阳极8，覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层5和所述沟槽6。本发明提出的二极管，通过改善浮结型肖特基势垒二极管的工艺步骤，不需要二次生长外延层，增大了器件击穿电压，减小了导通电阻，提升了功率优值，降低了工艺难度和成本。
外延层肖特基势垒二极管多晶硅层衬底层绝缘型上层结型肖特基接触结层阴极器件击穿电压二极管阳极导通电阻二次生长工艺步骤工艺难度减小下层覆盖制作

[实用新型]一种红外探测器-CN201821680444.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：中山科立特光电科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种红外探测器及其制备方法，包括衬底层，设置于衬底层上的半导体层，所述半导体层上方还设置有贵金属膜，该金属膜上设置有多个倾斜的排列的金属棒；该红外探测器，是基于肖特基结的红外探测器，通过红外光影响肖特基结周围的电场分布，从而改变肖特基结的势垒电压，通过检测肖特基结的势垒电压的变化，实现对红外信号的探测，而且该红外探测器，在红外区域具有较宽频域的吸收性，而且光电转化率高，对于红外光的识别性好，制备过程中不需要进行退火，
红外探测器肖特基结红外光半导体层势垒电压衬底层金属棒金属膜制备退火本实用新型光电转化率电场分布贵金属膜红外区域红外信号一次完成制备过程宽频域吸收性探测检测

[实用新型]一种浮结型肖特基势垒二极管-CN201920806491.7有效
发明人：宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;吴勇;何艳静;韩超;梁家铖 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种浮结型肖特基势垒二极管，包括：衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1上层；浮结层4，位于所述外延层2上层的两侧；绝缘型多晶硅层5，位于所述浮结层4上层；沟槽6，位于所述绝缘型多晶硅层5上层；肖特基接触阴极7，位于所述衬底层1下层；肖特基接触阳极8，覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层5和所述沟槽6。本实用新型提出的二极管，通过改善浮结型肖特基势垒二极管的工艺步骤，不需要二次生长外延层，增大了器件击穿电压，减小了导通电阻，提升了功率优值，降低了工艺难度和成本。
一种浮结型肖特基势垒二极管

[发明专利]肖特基器件及其制造方法-CN201710809729.7在审
发明人：周永昌;张永杰;陈伟钿 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了肖特基器件及其制造方法。一种肖特基器件包括第一导电类型的碳化硅(SiC)基底、漂移层、槽、第二导电类型的势垒层、导电材料、第一电极、和第二电极。漂移层由SiC形成且位于SiC基底上。势垒层接触漂移层并且覆盖槽的侧壁和底壁。导电材料至少部分地填充槽并且接触势垒层。第一电极与漂移层形成肖特基结，与势垒层和导电材料形成低阻接触。第二电极与SiC基底形成欧姆接触。该肖特基器件实现了改善的性能，例如改善的漏电和击穿电压，并且适用于高功率和快速开关应用。
漂移层肖特基器件导电材料势垒层第一导电类型第二电极第一电极顶表面漏电导电类型击穿电压接触势垒快速开关欧姆接触肖特基结覆盖槽高功率碳化硅填充槽侧壁低阻底壁基底制造延伸应用

[实用新型]肖特基器件-CN201721146188.6有效
发明人：周永昌;张永杰;陈伟钿 -专利权人：华智科技（国际）有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了肖特基器件。一种肖特基器件包括第一导电类型的碳化硅(SiC)基底、漂移层、槽、第二导电类型的势垒层、导电材料、第一电极、和第二电极。漂移层由SiC形成且位于SiC基底上。势垒层接触漂移层并且覆盖槽的侧壁和底壁。导电材料至少部分地填充槽并且接触势垒层。第一电极与漂移层形成肖特基结，与势垒层和导电材料形成低阻接触。第二电极与SiC基底形成欧姆接触。该肖特基器件实现了改善的性能，例如改善的漏电和击穿电压，并且适用于高功率和快速开关应用。
肖特基器件

[发明专利]一种低势垒肖特基二极管及其制备方法-CN201711336861.7在审
发明人：倪炜江;张敬伟;袁俊 -专利权人：北京世纪金光半导体有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种低势垒肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管的肖特基势垒金属包括上下两层金属，其中下层金属为把高势垒金属的纳米级颗粒均匀的掺入低势垒金属中的合金，上层金属为低势垒金属；肖特基二极管的有源区势垒调制层的掺杂浓度高于沟道层本申请中的肖特基接触的外延层表面形成高掺杂层，并且用高低不同势垒两种金属的合金形成一薄层的肖特基接触层，最终根据以上两个因素增加了半导体表面的最高电场，根据镜像力原理对肖特基接触的势垒高度进一步降低，形成比单一金属的势垒更低的肖特基二极管
一种低势垒肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种场效应管-CN201921037535.0有效
发明人：姚金才;杨良;陈宇 -专利权人：深圳爱仕特科技有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种场效应管，通过将场效应管中的阱区分离开来，并在相邻两个阱区之间的区域不进行离子注入而选择在其上部通过生长金属来制备肖特基接触，使周边阱区和外延形成的PN结与肖特基接触共同组成一个结势垒肖特基二极管，并且在使用过程中通过使这个结势垒肖特基二极管替代器件自身的寄生PIN二极管或在外部反并联使用的外部快恢复二极管，使得器件具有更低的导通压降，更低的功率损耗及更快的工作效率，也降低了工业成本。
结势垒肖特基二极管肖特基接触场效应管阱区寄生PIN二极管快恢复二极管本实用新型导通压降工业成本工作效率功率损耗反并联外部制备离子金属生长替代

[发明专利]一种P沟道肖特基势垒二极管及其制作方法-CN202311194818.7在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种P沟道肖特基势垒二极管及其制作方法，属于半导体器件领域，二极管包括衬底、阳极和阴极，衬底之上从下往上依次设置有GaN缓冲层、AlGaN势垒层、p‑GaN层和BeO层，BeO层为在p‑GaN层的（0001）面上生长的（0001）BeO膜；阳极穿过BeO层及p‑GaN层到达AlGaN势垒层，且与p‑GaN层的侧面肖特基接触；阴极穿过BeO层与p‑GaN层欧姆接触。AlGaN/p‑GaN形成异质结时产生一定浓度的二维空穴气，BeO层提升二维空穴气的浓度，从而使器件的P沟道导通电流增大，由此得到高性能的P沟道肖特基势垒二极管。
一种沟道肖特基势垒二极管及其制作方法

[发明专利]异质结构场效应晶体管-CN200580023009.3无效
发明人： H·马赫尔;P·鲍德特 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：HEFT具有衬底(2)、缓冲层(4)、沟道层(8)、隔离层(10)、δ掺杂层(12)、肖特基势垒层(14)和盖层(18)以及金属层(20)，后者利用下面的半导体形成肖特基势垒。沟道可以是GaInAs，以及势垒层(4)、隔离层(10)和肖特基势垒层可以是AlInAs。在肖特基势垒层(14)和金属层(18)之间添加例如GaAs的附加薄层，以在不产生过多的缺陷的情况下增强肖特基势垒高度。
结构场效应晶体管

[发明专利]沟槽型原胞结构及制备方法-CN202110955605.6有效
发明人：张曌;李杰;魏国栋;刘玮;李佳玲;师云鹏 -专利权人：深圳深爱半导体股份有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：形成第一导电类型的外延层，并于第一导电类型的外延层内形成有沟槽；于沟槽内形成栅极结构；于第一导电类型的外延层内形成第二导电类型的体区，第二导电类型的体区位于栅极结构相对的两侧；于第一导电类型的外延层的上表面形成势垒金属层，并于第一导电类型的外延层内形成肖特基结；肖特基结位于相邻栅极结构之间的第二导电类型的体区之间，势垒金属层将栅极结构、第二导电类型的体区及肖特基结短接，电流绕过肖特基结，导电沟道导通，一举解决平面型肖特基器件存在的问题
沟槽型原胞结构制备方法

[发明专利]整流器-CN200980129467.3有效
发明人：关口亮太 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-07-27 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：该整流器包括：包括肖特基电极(111)的肖特基势垒部分(101)；对于在肖特基势垒部分中的多数载流子具有整流特性的势垒部分(102)；以及与具有整流特性的势垒部分电接触的欧姆电极(103)，其中肖特基势垒部分和具有整流特性的势垒部分中的每一个具有其在一侧的坡度比另一侧的坡度大的不对称的能带轮廓，以及肖特基势垒部分和具有整流特性的势垒部分彼此连接使得能带轮廓的陡的坡度侧位于肖特基电极一侧。
整流器

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