专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]有色玻璃及其制程-CN201210157612.2无效
  • 李智渊;蔡硕文;蔡俊毅 - 钜永真空科技股份有限公司
  • 2012-05-21 - 2013-10-30 - C03C17/06
  • 本发明公开了一种有色玻璃及其制程,其中有色玻璃至少包含具有粗糙面的基板与具有颜色的显色层。显色层位于基板的粗糙面上,有色玻璃通过基板的粗糙面以降低光反射率,进而显示显色层的颜色。而有色玻璃的制程先提供基板,再进行粗糙步骤以粗糙基板的表面,藉以降低显色层的光反射率。之后再形成具有颜色的显色层于基板的粗糙面上,藉以显示颜色。后续,还可形成保护层以保护显色层。
  • 有色玻璃及其
  • [实用新型]粗糙平面的发光二极管-CN200520003008.X无效
  • 汪秉龙;庄峰辉;李恒彦 - 宏齐科技股份有限公司
  • 2005-01-25 - 2006-10-18 - H01L33/00
  • 本实用新型涉及一种具粗糙平面的发光二极管,包括:基板、设置于该基板上的至少一发光二极管芯片、以及包覆该发光二极管芯片并于其上方呈平面状模注成型的封装体;其中,该封装体具有经预定步骤处理的模具成型的粗糙化外表面,该粗糙化外表面具有一预定的表面粗糙度,该发光二极管芯片发射的光线经由该粗糙化外表面漫射出光。本实用新型具粗糙平面的发光二极管可有效控制光线损耗,进一步提高发光效率与降低成本;以及可提高自体混光效率。
  • 粗糙平面发光二极管
  • [发明专利]一种GaN基外延层表面粗的LED芯片制作方法-CN201410091099.0有效
  • 徐海龙 - 合肥彩虹蓝光科技有限公司
  • 2014-03-12 - 2014-05-28 - H01L33/00
  • 本发明提供一种GaN基外延层表面粗的LED芯片制作方法,包括以下步骤:提供一个外延片,所述外延片上形成一种可以被粗的阻挡层,湿法刻蚀所述的可被粗的阻挡层,在所述阻挡层表面形成粗糙面,通过干法刻蚀所述外延片,从而使得外延表面形成粗糙面,在所述的粗化外延片表面形成图形光阻,形成N型氮化镓平台,在具有粗的外延片表面形成导电层,并制造金属电极。本发明在ITO蚀刻液或BOE从而使得阻挡层表面形成粗糙面,再通过ICP刻蚀的方法,将阻挡层表面粗糙的图形转移到外延片表面,从而制作出表面粗的GaN基外延片,本发明制作外延表面粗的LED芯片,不仅成本低
  • 一种gan外延表面led芯片制作方法
  • [发明专利]大尺度精细化地貌数字模拟方法和装置-CN202110580694.0在审
  • 熊政辉;方平治;王小东;宫婷;岳溪柳 - 中国再保险(集团)股份有限公司;中再巨灾风险管理股份有限公司
  • 2021-05-26 - 2021-10-19 - G06T17/05
  • 本发明涉及一种一种大尺度精细化地貌数字模拟方法,其特征在于,包括如下步骤:将土地覆盖数据LU和/或土地利用数据LC进行GIS网格化处理,对每个网格按粗糙度长度分类赋值ZO,得到土地网格数据;获取任一台风影响区域对应的网格并计算该台风的每个场点;以所述场点为参考位置在至少一个来风方向和垂直风向确定至少一个延展范围;根据至少一个所述延展范围包括的所述土地网格数据,计算所述延展范围内的所有点的平均粗糙度长度,作为大尺度精细化地形网格的中心点的平均粗糙度长度ZO;根据所述平均粗糙度长度ZO,将台风风场模型的网格对应的粗糙度长度按照地貌分类赋值;根据平均粗糙度长度所得地貌类型,给出与地貌修正系数。本发明提供了大尺度精细化地貌数字模拟方法,以便于将地貌变化在台风风场模型中体现。
  • 尺度精细地貌数字化模拟方法装置
  • [实用新型]引线框半导体封装体-CN201720457769.5有效
  • 王远丰 - 意法半导体私人公司
  • 2017-04-27 - 2018-05-04 - H01L23/488
  • 一个实施例涉及具有一个或多个裸片焊盘的铜引线框以及具有粗糙表面的一条或多条引线。覆盖引线框的裸片焊盘的粗糙表面的是银(Ag)纳米层。该纳米层的厚度优选地具有对应于该铜引线框的该粗糙表面的厚度。例如,在一个实施例中,该铜引线框被粗糙以具有平均约10纳米的峰和谷并且纳米层的厚度为10纳米。
  • 引线半导体封装
  • [发明专利]一种粗糙面的有限元建模方法、系统及存储介质-CN202211739288.5在审
  • 李道奎;王悦;周仕明 - 中国人民解放军国防科技大学
  • 2022-12-31 - 2023-05-09 - G06F30/23
  • 本发明公开了一种粗糙面的有限元建模方法、系统及存储介质,该方法包括:运用MATLAB获得基于预设函数的粗糙面数值模拟,获得粗糙面的微观形貌参数;运用MATLAB获得基于预设函数的粗糙面形貌数据,对粗糙面形貌数据进行处理并保存为txt格式,通过有限元软件内部命令对粗糙面形貌数据进行处理,拟合成曲线,并形成粗糙面,以建立粗糙面三维实体模型。利用分形领域中的三维W‑M函数来表征真实粗糙表面轮廓,避免了形貌特征值依赖于样本长度和测量仪器的采用频率,利用MATLAB进行形貌数据点提取,最终基于ABAQUS内核脚本程序建立三维粗糙面实体模型,实现三维粗糙面实体自动建模
  • 一种粗糙有限元建模方法系统存储介质

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