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[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202280019521.4在审
发明人： 小玉辉彦;松永浩一;岩坂英昭 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种在基板的背面形成摩擦降低膜的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收纳所述基板，形成密闭的处理空间；加热部，其对所述处理容器内的所述基板的背面进行加热；供给部，其朝向所述处理容器内的所述基板的背面供给形成所述摩擦降低膜的材料；第1气体供给部，其自所述处理容器内的所述基板的上方向所述基板的周缘部供给非活性气体；第2气体供给部，其自所述处理容器内的所述基板的上方向相比于所述第1气体供给部向所述基板的供给位置靠所述基板的中心侧供给非活性气体；以及排气部，其将所述处理空间的气氛自所述处理容器内的所述基板的周围或下方排出。
处理装置方法

[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN202211594807.3在审
发明人： 小玉辉彦;大石雄三;松田义隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够不对基片的正面侧进行不需要的处理，而在该基片的整个背面进行光照射将有机物除去的基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置包括：基片保持部，其能够以与基片的背面局部地重叠的方式保持所述基片；光照射部，其能够对所述基片的背面照射光，来将所述背面的有机物除去；在所述基片的背面侧与该背面隔开间隔地设置的遮光部件，其能够防止所述光被供给到所述基片的正面；和保持位置改变机构，其能够改变所述基片的背面的由所述基片保持部保持的位置，来对所述基片的整个背面照射光。
处理装置方法存储介质

[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN202110263205.9有效
发明人：泷口靖史;山本太郎;冈本芳树;保坂隼斗;小玉辉彦;久保明广;小篠龙人;有内雄司;木村慎佑 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了基片处理装置、基片处理方法和存储介质。关于滑动部件在基片的背面滑动来进行处理，能够在面内进行均匀性高的处理且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。上述装置构成为包括：为了在基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件；和公转机构，其使自转中的该滑动部件绕铅直的公转轴以具有比该滑动部件的直径小的公转半径的方式公转。基片被保持于第一保持部时，滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动，上述第一保持部水平地保持与基片的背面的中央部不重叠的区域。基片被保持于第二保持部时，滑动部件在旋转的基片的背面的周缘部滑动，上述第二保持部水平地保持基片的背面的中央部并使之绕铅直轴旋转。
处理装置方法存储介质

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201680053566.8有效
发明人： 小玉辉彦;榎本正志;田所真任;桥本崇史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：防止在基板的周端部形成异常的抗蚀图案。本发明的基板处理方法包括以下工序：针对基板的表面的周端部，获取沿着该基板的径向的高度分布；接着，以基于所述高度分布对所述周端部的高度的下降进行矫正的方式在所述基板的整个表面形成下层膜；以及接着，在所述下层膜的整个表面形成抗蚀膜。因而，在该基板的周端部，抑制曝光时对抗蚀膜的表面的聚焦偏移。作为其结果，能够抑制在该周端部形成异常的抗蚀图案。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理方法、基板处理装置和存储介质-CN202111146745.5在审
发明人：田中启一;吉原孝介;近藤良弘;村松诚;小玉辉彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明的课题在于改善使用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板的曝光时的灵敏度。在基板处理方法中，在处理容器内，对形成有基于EUV光刻用抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的基板的表面，在曝光处理前照射包含真空紫外光的光。
处理方法装置存储介质

[发明专利]基片清洗装置和基片清洗方法-CN202110029564.8在审
发明人：久保明广;泷口靖史;小玉辉彦;冈本芳树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基片清洗装置和基片清洗方法，在清洗基片时，能够提高基片面内的杂质、颗粒等的除去率的均匀性。基片清洗装置能够将清洗部件抵接到圆形的基片的面，使上述基片与清洗部件相对地旋转来清洗上述面，上述清洗部件的与上述面接触的接触区域从基片中心侧以辐射状向基片周边侧扩展。
清洗装置方法

[发明专利]基板处理装置-CN201980080981.6在审
发明人：久保明广;滝口靖史;冈本芳树;保坂隼斗;小玉辉彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B24B7/04 文献下载
摘要：基板处理装置包括研磨部，该研磨部具有：研磨头(75)，其对晶圆W的主表面进行研磨；旋转驱动部(82)，其使研磨头(75)绕轴线Ax1旋转；以及旋转驱动部(84)，其使轴线Ax1沿着绕与轴线Ax1平行的轴线Ax2的圆形轨道移动。研磨头(75)的中心位置与轴线Ax1不同。与研磨头(75)的绕轴线Ax1的可动范围的直径相比，研磨头(75)的外径较小。
处理装置

[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN201711229358.1有效
发明人：泷口靖史;山本太郎;冈本芳树;保坂隼斗;小玉辉彦;久保明广;小篠龙人;有内雄司;木村慎佑 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了基片处理装置、基片处理方法和存储介质。关于滑动部件在基片的背面滑动来进行处理，能够在面内进行均匀性高的处理且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。上述装置构成为包括：为了在基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件；和公转机构，其使自转中的该滑动部件绕铅直的公转轴以具有比该滑动部件的直径小的公转半径的方式公转。基片被保持于第一保持部时，滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动，上述第一保持部水平地保持与基片的背面的中央部不重叠的区域。基片被保持于第二保持部时，滑动部件在旋转的基片的背面的周缘部滑动，上述第二保持部水平地保持基片的背面的中央部并使之绕铅直轴旋转。
处理装置方法存储介质

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202010376534.X在审
发明人：久保明广;泷口靖史;小玉辉彦;冈本芳树;保坂隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方面的基片处理装置包括：研磨部件，其具有用于研磨基片的主面的研磨面；第一修整部件，其具有进行研磨面的修整的第一修整面；第二修整部件，其具有进行第一修整面的修整的第二修整面；保持研磨部件和第二修整部件的保持部件；以及通过使保持部件移动来切换第一状态和第二状态的驱动部，其中第一状态为第一修整面与研磨面抵接来进行研磨面的修整的状态，第二状态为第一修整面与第二修整面抵接来进行第一修整面的修整的状态。本发明能够持续进行稳定的研磨处理。
处理装置方法

[发明专利]基片翘曲修正方法、计算机存储介质和基片翘曲修正装置-CN201980016809.4在审
发明人：兼竹望;久保明广;小玉辉彦;山本太郎;泷口靖史;冈本芳树;保坂隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的基片翘曲修正方法不对基片的正面进行处理就能够修正基片翘曲。该基片翘曲修正方法包括表面粗糙化步骤，使用构成为能够对基片的背面进行表面粗糙化处理的表面粗糙化处理装置，对基片的背面进行表面粗糙化处理，在背面形成槽，来修正基片翘曲。
基片翘曲修正方法计算机存储介质装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201610862943.4有效
发明人：久保明广;小玉辉彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在图案曝光时能够防止基板被曝光的位置从正常的位置偏移的技术。本发明的基板处理方法对图案曝光前的基板的背面进行研磨来对该背面进行表面粗化处理，上述基板为半导体晶片。并且，对研磨后的背面不进行粗糙度缓和用的处理。通过该表面粗化处理，在曝光时吸附该基板来载置该基板的载置台与基板的背面的接触面积减少，因此，被吸附的基板的背面能够在载置台上滑动，能够消除载置台上的基板的形变。其结果是，能够抑制基板的曝光位置从正常的位置的偏移，能够实现曝光的重叠的改善。
处理方法装置

[实用新型]基板处理装置-CN201822095095.6有效
发明人：毛利信彦;小原隆宪;泷口靖史;小玉辉彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种强力地清洗基板的基板处理装置。实施方式所涉及的基板处理装置具备：保持部，其保持基板；第一清洗体，其通过向被保持于所述保持部的所述基板的上表面和下表面中的一个面喷出流体或者与所述一个面接触来清洗所述一个面；第一移动机构，其使对所述一个面喷出所述流体或者与所述一个面接触了的所述第一清洗体水平移动；第二清洗体，其与被保持于所述保持部的所述基板的上表面和下表面中的另一个面接触来清洗所述另一个面；第二移动机构，其使与所述另一个面接触了的所述第二清洗体同所述第一清洗体同步地水平移动。根据该基板处理装置，能够强力地清洗基板。
清洗体基板处理装置面接触基板清洗基板移动机构上表面下表面流体面喷清洗本实用新型

[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质-CN201811569953.4在审
发明人： 小玉辉彦;松永浩一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质。在光刻步骤中，在适当的位置进行曝光处理。一种在步骤S10中在晶片的正面涂敷抗蚀剂液，在步骤S17中使晶片的正面上的被曝光了的抗蚀剂膜显影的晶片处理方法，其包括在步骤S14的曝光处理前在该晶片的背面形成降低摩擦膜的降低摩擦膜成步骤(步骤S5)，其中，该降低摩擦膜用于降低晶片的背面与在曝光处理时保持晶片的背面的保持面的摩擦。
晶片降低摩擦曝光处理计算机存储介质基片处理装置基片处理背面晶片处理抗蚀剂膜抗蚀剂液光刻涂敷显影摩擦曝光

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN201811528006.0在审
发明人：毛利信彦;小原隆宪;泷口靖史;小玉辉彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种强力地清洗基板的基板处理装置和基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理装置具备保持部、第一清洗体、第一移动机构、第二清洗体、第二移动机构以及控制部。保持部保持基板。第一清洗体通过向被保持于保持部的基板的上表面和下表面中的一个面喷出流体、或者与所述一个面接触来清洗一个面。第一移动机构使第一清洗体水平移动。第二清洗体与被保持于保持部的基板的上表面和下表面中的另一个面接触来清洗另一个面。第二移动机构使第二清洗体水平移动。控制部控制第一移动机构和第二移动机构，执行使对一个面喷出流体或者与一个面接触的第一清洗体和与另一个面接触的第二清洗体同步地水平移动的两面清洗处理。
清洗体移动机构面接触基板处理装置基板基板处理上表面下表面流体面喷清洗清洗处理清洗基板

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