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[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN202110263205.9有效
发明人：泷口靖史;山本太郎;冈本芳树;保坂隼斗;小玉辉彦;久保明广;小篠龙人;有内雄司;木村慎佑 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了基片处理装置、基片处理方法和存储介质。关于滑动部件在基片的背面滑动来进行处理，能够在面内进行均匀性高的处理且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。上述装置构成为包括：为了在基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件；和公转机构，其使自转中的该滑动部件绕铅直的公转轴以具有比该滑动部件的直径小的公转半径的方式公转。基片被保持于第一保持部时，滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动，上述第一保持部水平地保持与基片的背面的中央部不重叠的区域。基片被保持于第二保持部时，滑动部件在旋转的基片的背面的周缘部滑动，上述第二保持部水平地保持基片的背面的中央部并使之绕铅直轴旋转。
处理装置方法存储介质

[发明专利]基板背面研磨构件的修整装置和修整方法-CN201810908505.6有效
发明人：冈本芳树;滝口靖史;久保明广;保坂隼斗;小篠龙人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及基板背面研磨构件的修整装置和修整方法。在对用于对基板的背面进行研磨的研磨构件进行清洗、修整时，不使清洗液、残渣向周围飞散。修整装置(200)具有槽构件(203)，该槽构件(203)能够从上方收容研磨垫(131)，并具有顶板部(201)和设置到顶板部(201)的下表面侧的筒状的裙部(202)。在槽构件(203)设置有：二流体喷嘴(204)，其向研磨垫的研磨面喷出清洗液和气体；修整板(205)，其可与研磨垫(131)的研磨面抵接；以及冲洗喷嘴(206)，其向研磨垫(131)的研磨面与修整板(205)之间的接触面供给冲洗液。由于裙部202，清洗液、砂轮碎屑、或者残渣不向周围飞散。
背面研磨构件修整装置方法

[发明专利]基片清洗装置和基片清洗方法-CN202110029564.8在审
发明人： 久保明广;泷口靖史;小玉辉彦;冈本芳树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基片清洗装置和基片清洗方法，在清洗基片时，能够提高基片面内的杂质、颗粒等的除去率的均匀性。基片清洗装置能够将清洗部件抵接到圆形的基片的面，使上述基片与清洗部件相对地旋转来清洗上述面，上述清洗部件的与上述面接触的接触区域从基片中心侧以辐射状向基片周边侧扩展。
清洗装置方法

[发明专利]基板处理装置-CN201980080981.6在审
发明人： 久保明广;滝口靖史;冈本芳树;保坂隼斗;小玉辉彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： B24B7/04 文献下载
摘要：基板处理装置包括研磨部，该研磨部具有：研磨头(75)，其对晶圆W的主表面进行研磨；旋转驱动部(82)，其使研磨头(75)绕轴线Ax1旋转；以及旋转驱动部(84)，其使轴线Ax1沿着绕与轴线Ax1平行的轴线Ax2的圆形轨道移动。研磨头(75)的中心位置与轴线Ax1不同。与研磨头(75)的绕轴线Ax1的可动范围的直径相比，研磨头(75)的外径较小。
处理装置

[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质-CN201711229358.1有效
发明人：泷口靖史;山本太郎;冈本芳树;保坂隼斗;小玉辉彦;久保明广;小篠龙人;有内雄司;木村慎佑 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供了基片处理装置、基片处理方法和存储介质。关于滑动部件在基片的背面滑动来进行处理，能够在面内进行均匀性高的处理且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。上述装置构成为包括：为了在基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动部件；和公转机构，其使自转中的该滑动部件绕铅直的公转轴以具有比该滑动部件的直径小的公转半径的方式公转。基片被保持于第一保持部时，滑动部件在所述基片的背面的中央部滑动，上述第一保持部水平地保持与基片的背面的中央部不重叠的区域。基片被保持于第二保持部时，滑动部件在旋转的基片的背面的周缘部滑动，上述第二保持部水平地保持基片的背面的中央部并使之绕铅直轴旋转。
处理装置方法存储介质

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202010376534.X在审
发明人： 久保明广;泷口靖史;小玉辉彦;冈本芳树;保坂隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方面的基片处理装置包括：研磨部件，其具有用于研磨基片的主面的研磨面；第一修整部件，其具有进行研磨面的修整的第一修整面；第二修整部件，其具有进行第一修整面的修整的第二修整面；保持研磨部件和第二修整部件的保持部件；以及通过使保持部件移动来切换第一状态和第二状态的驱动部，其中第一状态为第一修整面与研磨面抵接来进行研磨面的修整的状态，第二状态为第一修整面与第二修整面抵接来进行第一修整面的修整的状态。本发明能够持续进行稳定的研磨处理。
处理装置方法

[发明专利]基片翘曲修正方法、计算机存储介质和基片翘曲修正装置-CN201980016809.4在审
发明人：兼竹望;久保明广;小玉辉彦;山本太郎;泷口靖史;冈本芳树;保坂隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的基片翘曲修正方法不对基片的正面进行处理就能够修正基片翘曲。该基片翘曲修正方法包括表面粗糙化步骤，使用构成为能够对基片的背面进行表面粗糙化处理的表面粗糙化处理装置，对基片的背面进行表面粗糙化处理，在背面形成槽，来修正基片翘曲。
基片翘曲修正方法计算机存储介质装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201610862943.4有效
发明人： 久保明广;小玉辉彦 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在图案曝光时能够防止基板被曝光的位置从正常的位置偏移的技术。本发明的基板处理方法对图案曝光前的基板的背面进行研磨来对该背面进行表面粗化处理，上述基板为半导体晶片。并且，对研磨后的背面不进行粗糙度缓和用的处理。通过该表面粗化处理，在曝光时吸附该基板来载置该基板的载置台与基板的背面的接触面积减少，因此，被吸附的基板的背面能够在载置台上滑动，能够消除载置台上的基板的形变。其结果是，能够抑制基板的曝光位置从正常的位置的偏移，能够实现曝光的重叠的改善。
处理方法装置

[发明专利]基板液体处理装置和基板液体处理方法-CN201380065321.3有效
发明人：福田昌弘;久保明广;山本太郎;矢田健二;大河内厚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板液体处理装置包括：保持晶片进行旋转的卡盘(13)；向晶片的背面喷射吹扫气体的背面吹扫喷嘴(15)；和将吹扫气体喷到晶片的背面的周缘吹扫喷嘴(16)。背面吹扫喷嘴具有当俯视时从基板的中心侧延伸到周缘侧的缝隙状的开口部(15a)，该缝隙状的开口部与由卡盘保持的基板之间的铅直方向距离随着靠近该开口部的基板中心侧的端部而变宽。周缘吹扫喷嘴向着基板的背面中的、比背面吹扫喷嘴的缝隙状的开口部的基板周缘侧的端部更靠外侧且比基板的周缘的端面靠内侧的区域，将吹扫气体喷向基板的中心部。
液体处理装置方法

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