“第一金属层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果34592446个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种薄膜热电偶-CN202120523359.2有效
发明人：刘燕 -专利权人：刘燕
申请日： 2021-03-13 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种薄膜热电偶,包括作为薄膜的基材，所述基材一面设置有第一金属层，另一面设置有第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层材质不同，所述基材上还设置有若干个连接第一金属层与所述第二金属层的PTH孔，所述第一金属层和第二金属层通过PTH孔电连接，从而形成热电偶。本实用新型通过在在基材两面分别设置第一金属层和第二金属层，并再在基材上设置PTH孔将第一金属层与第二金属层连通，由于第一金属层和第二金属层材质不同，即使得第一金属层与第二金属层构成一个热电偶，该热电偶集成在薄膜状的基材上
一种薄膜热电偶

[实用新型]一种电容器复合金属化薄膜-CN201821294684.0有效
发明人：章阳华;李伟;李正强 -专利权人：安徽长容电子有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01G4/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电容器复合金属化薄膜，包括第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第一绝聚丙烯膜层、第二聚丙烯薄膜层，所述第一金属层设置在第一聚丙烯薄膜层上表面的左侧，所述第二金属层设置在第一聚丙烯薄膜层上表面的右侧；所述第三金属层设置在第二聚丙烯薄膜层上表面的左侧，所述第四金属层设置在第二聚丙烯薄膜层上表面的右侧，所述第一聚丙烯薄膜层设置在第三金属层、第四金属层的上表面；所述第一金属层、第四金属层宽度为第二金属层、第三金属层宽度的一半。
金属层聚丙烯薄膜层上表面电容器第二金属层第一金属层本实用新型复合金属薄膜聚丙烯膜层长度增加串联电容电容故障无焊接自愈性

[发明专利]一种半导体器件-CN201710207645.6在审
发明人：江易璁 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明关于一种半导体器件，半导体器件设置于基板上，该半导体器件包括第一金属层、绝缘层、半导体层及第二金属层。第一金属层层叠于该基板之上，该第一金属层上具有第一凹槽；绝缘层层叠于该第一金属层之上；半导体层层叠于该栅极绝缘层之上；第二金属层层叠于该栅极绝缘层之上，该第二金属层的个数为两个且相互平行，该第二金属层的延伸方向异于该第一凹槽的方向；其中，该半导体层层叠于该第二金属层之上；或者该第二金属层层叠于该半导体层之上。本发明的半导体器件的第一金属层呈U形，其效能大幅提高，有利于窄边框的设计，且第二金属层处于第一金属层范围内，可提高穿透率，另外半导体层被第一金属层包覆，可进一步提高器件的稳定性。
一种半导体器件

[发明专利]电阻式随机存取存储器-CN201911219661.2在审
发明人：许博砚;吴伯伦;王炳琨;林铭哲;陈侑廷;白昌宗;廖绍憬;刘奇青 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器，包括第一电极、第二电极、可变电阻层、第一金属层、第二金属层及电阻稳定层。第二电极配置于第一电极上。可变电阻层配置于第一电极与第二电极之间。第一金属层配置于可变电阻层与第二电极之间。第二金属层配置于第一金属层与第二电极之间。电阻稳定层配置于第一金属层与第二金属层之间。可变电阻层的氧含量高于第一金属层的氧含量，第一金属层的氧含量高于电阻稳定层的氧含量，电阻稳定层的氧含量高于第二金属层的氧含量。所述电阻式随机存取存储器具有良好的耐久性、重置特性以及数据保持能力。
电阻随机存取存储器

[发明专利]一种金属网格触摸屏及其制作方法-CN201811160362.1在审
发明人：吴德生;李志成 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属网格触摸屏及其制作方法，该方法包括在基板上涂布黑色油墨层，并对黑色油墨层进行处理得到黑色油墨图案；在黑色油墨图案上方涂布第一金属膜层；在第一金属膜层上设置第一绝缘层，第一绝缘层为镂空结构；在第一绝缘层上涂布第二金属膜层，并依据预设模型同时对第二金属膜层和第一金属膜层进行蚀刻处理，得到第一金属网格层和第二金属网格层。由于本申请中的第一绝缘层为镂空结构，故在隔离第一金属膜层和第二金属膜层的同时，还可以使第二金属膜层和第一金属膜层同时进行蚀刻，相比于现有技术本申请能够在一定程度上简化金属网格触摸屏的制作工艺，有利于降低制作成本
金属膜层绝缘层金属网格触摸屏金属网格层黑色油墨镂空结构制作黑色油墨层蚀刻图案蚀刻处理涂布黑色制作工艺油墨层基板预设申请隔离

[发明专利]集成式电感及其制造方法、直流-直流转换器-CN202210080571.5在审
发明人：王钊 -专利权人：南京中感微电子有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种集成式电感及其制造方法、集成有集成式电感的直流‑直流转换器。所述集成式电感包括：衬底；第一金属层，其位于所述衬底上方，且所述第一金属层中形成有第一金属图形；第二金属层，其位于所述第一金属层上方，且所述第二金属层中形成有第二金属图形；绝缘层，其位于所述第一金属层和第二金属层之间，且所述绝缘层内设置有自上向下贯穿所述绝缘层的若干金属通孔；其中，所述第一金属层内的所述第一金属图形经所述绝缘层内的所述若干金属通孔与所述第二金属层内的所述第二金属图形连接，以形成绕圈型结构的电感。
集成电感及其制造方法直流转换器

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910315670.5有效
发明人：童思频;林裕凯;王仁宏;潘兴强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含导电部件、位于下层结构之上的第一金属基蚀刻停止层、位于第一金属基蚀刻停止层之上的无金属蚀刻停止层、位于无金属蚀刻停止层之上的第二金属基蚀刻停止层、位于第二金属基蚀刻停止层之上的层间介电层、以及互连结构，互连结构延伸穿过第一金属基蚀刻停止层、无金属蚀刻停止层、及第二金属基蚀刻停止层，其中互连结构的底部分直接接触导电部件。第一金属基蚀刻停止层可包含第一金属成分，具有铝、钽、钛、或铪的其中一者，且第二金属基蚀刻停止层可包含与第一金属成分相同或不同的第二金属成分。第一金属基蚀刻停止层与第二金属基蚀刻停止层可均不包含硅。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]电子设备和天线装置-CN202210332762.6在审
发明人：王义金 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子设备和天线装置，所公开的天线装置包括刚性电路板和馈电结构部，所述刚性电路板包括第一金属层、绝缘介质层和第二金属层，其中：所述第一金属层、所述绝缘介质层和所述第二金属层依次叠置，且所述第一金属层和所述第二金属层由所述绝缘介质层绝缘；所述第一金属层为所述天线装置的天线部，所述第二金属层为所述天线装置的第一接地层，所述馈电结构部的第一端与所述第一金属层电连接，所述馈电结构部的第二端穿过所述绝缘介质层和所述第二金属层，所述馈电结构部与所述第二金属层绝缘
电子设备天线装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202180004288.8在审
发明人：张晓燕;温家蔚;张玉龙;章晋汉;郝荣晖;李兴俊;黄敬源 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含氮化物基晶体管、第一金属层、第二金属层、第三金属层、源极垫和漏极垫。所述第一金属层安置于所述氮化物基晶体管之上。所述第二金属层安置于所述第一金属层之上。所述第三金属层安置于所述第二金属层之上且包含彼此间隔开的第一图案和第二图案。所述源极垫紧接在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的所述第一图案上方，且与所述氮化物基晶体管电耦合。所述漏极垫紧接在所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的所述第二图案上方，且与所述氮化物基晶体管电耦合。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种自愈式大功率金属化薄膜电容器-CN202020724372.X有效
发明人：陈益珊;史敦清;刘盼 -专利权人：优普电子（苏州）有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01G4/224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自愈式大功率金属化薄膜电容器，包括绝缘壳体以及绝缘壳体上固定连接的第一电极棒以及第二电极棒，所述绝缘壳体内设有第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层以及第二金属层之间贴合有绝缘膜，所述第一金属层以及第二金属层贴合绝缘膜的一侧粘接有绝缘珠，所述第一电极棒贯穿贴合第一金属层，所述第二电极棒贯穿第二金属层。本实用新型中，采用网状排列隔离绝缘珠结构，实现了绝缘膜被击穿时第一金属层与第二金属层蒸发时受到绝缘珠的阻隔，从而实现了减少第一金属层与第二金属层大面积的蒸发失效，采用交错插接式连接结构，实现了第一电极棒以及第二电极棒便于安装以及减少与第一金属层以及第二金属层之间的电阻
一种自愈大功率金属化薄膜电容器

[发明专利]用于处理基板的方法和设备-CN202080082552.5在审
发明人：熊健刚;和田优一;G·T·莫瑞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：举例而言，方法可包括在第一基板上沉积第一金属层；在第一金属层顶上沉积第二金属层；在第二基板上沉积第三金属层；在第三金属层顶上沉积第四金属层；以及在足以通过扩散层使第一基板接合至第二基板的条件下，使第二材料层与第四材料层接触，所述扩散层由第一金属层的扩散穿过第二金属层中的部分和第三金属层的扩散穿过第四金属层中的部分形成。
用于处理方法设备

[发明专利]一种双频共口径天线结构与天线阵面-CN202110337234.5有效
发明人：吴祖兵;郭凡玉;许峰凯;朱蕾 -专利权人：成都天锐星通科技有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本申请提供了一种双频共口径天线结构与天线阵面，涉及天线技术领域。该双频共口径天线结构包括第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层，第一金属层、第一介质层、第二金属层、第二介质层以及第三金属层逐层连接，第二金属层接地，且第一金属层与第二金属层通过金属孔连接；其中，第一金属层上设置有多个贯穿的缝隙，以通过缝隙围成多个第一高频天线与低频天线，其中，低频天线环绕于第一高频天线外，且低频天线的工作频率小于第一高频天线的工作频率。
一种双频口径天线结构天线阵

[实用新型]一种吸波贴片-CN201820814932.3有效
发明人：李皓;董斌;陈为蔚;仝玉柱;韩斌;徐鑫;王静 -专利权人：南京冠旭新材料科技有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种吸波贴片，包括第一绝缘层，所述第一绝缘层一侧设有粘结层，所述第一绝缘层另一侧设有第一金属层，所述第一金属层一侧设有第二绝缘层，所述第二绝缘层一侧设有第二金属层，所述第二金属层一侧设有第三绝缘层，所述第一金属层和第二金属层一侧均设有收纳槽，所述收纳槽内壁设有吸波层，所述第一金属层和第二金属层两侧均设有限位凸点。本实用新型通过设有第一金属层和第二金属层，第一金属层的设置可对外部电磁波进行遮挡、折射，第二金属层对电子产品内部产生的电磁波进行遮挡、折射，期间部分电磁波经由收纳槽内吸波层进行吸收、弱化，达到降低电磁干扰的效果
绝缘层第二金属层第一金属层电磁波收纳槽本实用新型吸波层贴片吸波遮挡折射电磁干扰粘结层电子产品内壁凸点弱化外部吸收

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201410042193.7有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面形成有栅极结构；在栅极结构两侧衬底内形成掺杂区；在掺杂区表面形成第一金属层；在掺杂区表面形成第一金属接触层；在第一金属接触层表面形成第二金属层；对第二金属层进行第二退火处理，使第二金属层中的金属扩散至第一金属接触层内，将第一金属接触层转化为第二金属接触层，第二金属接触层与衬底间的肖特基势垒高度低于第一金属接触层与衬底间的肖特基势垒高度。本发明采用退火处理工艺使金属原子扩散至第一金属接触层内，形成的第二金属接触层的金属原子分布均匀，具有较强的降低第二金属接触层与衬底间肖特基势垒高度的能力，从而降低半导体器件的接触电阻，优化半导体器件的驱动性能
半导体器件形成方法

[发明专利]一种大视场X射线吸收光栅及其制作方法-CN202011364767.4在审
发明人：宗方轲;郭金川;杨君;吴浩;罗琨皓 -专利权人：深圳大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种大视场X射线吸收光栅及其制作方法。大视场X射线吸收光栅包括金属叠层，金属叠层包括层叠设置的多个第一金属层和多个第二金属层；每个第一金属层的第一端的厚度大于第一金属层的第二端的厚度，每个第二金属层的第一端的厚度大于第二金属层的第二端的厚度，第一金属层的第一端和第二金属层的第一端位于大视场X射线吸收光栅的第一端，第一金属层的第二端和第二金属层的第二端位于大视场X射线吸收光栅的第二端；第一金属层的密度大于第二金属层的密度。
一种视场射线吸收光栅及其制作方法