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[发明专利]电阻式内存单元的阻丝成型方法-CN202210339227.3在审
发明人：陈达;王炳琨;林家鸿;黄俊尧 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻式内存单元阻丝成型方法，包括：在第一阶段成型，以包括栅极与漏极电压的第一偏压施加多次到电阻式内存单元。当第一阶段成型进行至读取电流达到第一饱和状态，锁存第一饱和状态的读取电流为饱和读取电流，判断饱和读取电流的增加率是否低于第一阈值。当饱和读取电流的增加率未低于第一阈值时，执行第二阶段成型，施加第二偏压多次到内存单元，直到电阻式内存单元的读取电流达到第二饱和状态，锁存所述第二饱和状态的所述读取电流为所述饱和读取电流，并判断饱和读取电流的增加率是否低于第一阈值，第二偏压为增加栅极电压并且降低漏极电压。在饱和读取电流的增加率未低于第一阈值时，且在饱和读取电流达到目标电流值时，结束此方法。
电阻内存单元成型方法

[发明专利]复合型衬底结构、子模块、功率模块及子模块连接方法-CN202310968367.1在审
发明人： 王炳琨;廖光朝;张小兵 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2023-08-01 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合型衬底结构、子模块、功率模块及子模块连接方法，涉及陶瓷衬底技术领域，解决了现有的IGBT模块封装结构中的功率电路和信号电路在同一金属线路层上排布，造成载流能力降低和电流分布不均的技术问题。该结构包括功率电路层和信号电路层，所述信号电路层置于所述功率电路层之上；所述信号电路层所占面积小于所述功率电路层，并在所述功率电路层上连续或不连续设置。本发明中的功率电路层和信号电路层分层设置，可在功率电路层和信号电路层上排布不同的传输电路，减小传输电路之间的干扰，载流导热能力、电流均布、寄生参数和抗干扰能力均得到优化。
复合型衬底结构模块功率连接方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其重置方法-CN202010431179.1有效
发明人： 王炳琨;林铭哲;陈侑廷;白昌宗;廖绍憬;刘奇青 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器包括至少一存储单元。至少一存储单元包括：上电极、下电极、数据存储层、氧吸附层、第一阻障层以及氧供应层。数据存储层配置在上电极与下电极之间。氧吸附层配置在数据存储层与上电极之间。第一阻障层配置在氧吸附层与数据存储层之间。氧供应层配置在氧吸附层与上电极之间以和/或配置在氧吸附层与第一阻障层之间。
电阻随机存取存储器及其重置方法

[发明专利]电阻式存储器装置及其制造方法-CN201911340598.8有效
发明人：郑嘉文;王炳琨;陈宜秀;赵鹤轩 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种电阻式存储器装置及其制造方法。电阻式存储器装置包括多个下电极、可变电阻层、多个绝缘图案、通道层与多个上电极。可变电阻层毯覆多个下电极。多个绝缘图案对应多个下电极的位置而设置于可变电阻层上。通道层共形地覆盖可变电阻层与多个绝缘图案。通道层具有多个通道区，位于可变电阻层上且位于多个绝缘图案的侧壁上。各上电极对应一绝缘图案而分别覆盖多个通道区的至少两者，使多个通道区的至少两者位于一下电极与一上电极之间。
电阻存储器装置及其制造方法

[发明专利]数据写入方法及非易失性存储器-CN201910927655.6有效
发明人： 王炳琨;白昌宗;陈侑廷;赵鹤轩;林铭哲;陈达 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供一种数据写入方法及非易失性存储器。数据写入方法包含依据第一旗标以提供重置电压至多个选中存储单元，针对选中存储单元递回地进行重置程序；依据选中存储单元的多个第一验证电流以设定第二旗标；以及在第二旗标被设定的条件下：依据选中存储单元的电阻值以提供设置电压至选中存储单元；以及依据选中存储单元的多个第二验证电流以设定第一旗标。
数据写入方法非易失性存储器

[发明专利]一次性编程电阻式随机存取记忆体位、记忆体及形成方法-CN201811391186.2有效
发明人：陈达;王炳琨;傅志正;吴健民;廖绍憬 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种一次性编程电阻式随机存取记忆体位、记忆体及形成方法，包括形成电阻转换层于底电极层上；形成顶电极层于电阻转换层上；对电阻转换层施加形成电压，使顶电极层的电位低于底电极层的电位；及对电阻转换层进行烘烤工艺，其中电阻转换层中的空缺呈随机分布。本发明实施例可以使读取电流范围变大，读取电流累积分布函数为线性，亦可增强高温资料保存效能。
一次性编程电阻随机存取记忆体位记忆体形成方法

[发明专利]电阻式存储器及其数据写入方法-CN201910481138.0有效
发明人：赵鹤轩;王炳琨;林小峰;服部规男;吴健民;洪志华 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式存储器及其数据写入方法。电阻式存储器的数据写入方法包括：接收写入数据并产生反向写入数据；读取多个选中存储单元中的目前数据；使目前数据与写入数据及反向写入数据进行比较；依据比较结果选择根据写入数据及反向写入数据的一者产生最终数据；以及，写入最终数据至选中存储单元中。
电阻存储器及其数据写入方法

[发明专利]突触系统与突触方法-CN201811344547.8有效
发明人：陈达;王炳琨;廖绍憬;傅志正;林铭哲;陈侑廷;林小峰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本申请公开了一种突触系统与突触方法，其中，该突触系统包括三个晶体管、一阻抗转换元件以及两个神经元。阻抗转换元件具有一阻抗值并且配置于两个神经元之间。第一晶体管连接于阻抗转换元件以及其中一神经元。第二晶体管以及第三晶体管配置于上述神经元之间，相互串联且连接第一晶体管的栅极。第一输入信号通过第二晶体管与第三晶体管从其中一神经元传送至另一神经元。第二输入信号通过第一晶体管从其中一神经元传送至另一神经元。阻抗转换元件的阻抗值根据第一输入信号与第二输入信号的时间差而改变。
突触系统方法

[实用新型]一种基于衬底的功率集成模块系统级封装结构-CN202223102092.3有效
发明人： 王炳琨;廖光朝;张小兵 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于衬底的功率集成模块系统级封装结构，该结构包括衬底(1)、布设于所述衬底(1)上的信息电子和功率电能集成的系统电路、用于密封所述系统电路的柔性封装材料和连接端子(13)，所述连接端子(13)的一端装配于所述衬底(1)上用于与所述系统电路电连接，另一端用于与外部电路电连接，构成所述系统电路的芯片为裸芯片。本实用新型系统电路采用裸芯构成，搭配辅助元器件基于衬底焊接和键合连接，再用柔性封装材料对系统电路进行密封，实现整体一次封装，无需对半导体芯片单独进行封装后再与其它元器件连接，减少了封装环节，提高了封装结构的可靠性。
一种基于衬底功率集成模块系统封装结构

[发明专利]一种小型超薄IGBT模块封装结构、组装方法及功能电路-CN202211457914.1在审
发明人： 王炳琨;廖光朝;张小兵 -专利权人：重庆云潼科技有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型超薄IGBT模块封装结构及其组装方法，该结构包括衬底，用于包括IGBT的功能电路布设、绝缘和散热作用；以及外框，与所述衬底装配在一起用于安装固定、机械支撑和隔离保护作用，内嵌电极引脚，所述电极引脚两端分别延伸出所述外框，一端作为外部连接端用于与外部电路连接，另一端作为内部连接端用于与所述功能电路电连接；所述电极引脚经键合线与所述功能电路电连接，所述键合线与所述电极引脚之间直接连接。本封装结构键合线与电极引脚的键合方式采用直接键合在引脚上表面，实现了引脚的电热分流并减小金属层的面积，减少了焊锡层电阻发热环节并避免了因焊接层应力失效而导致模块整体失效。
一种小型超薄 igbt 模块封装结构组装方法功能电路

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201911188011.6有效
发明人：凃政晖;刘奇青;沈鼎瀛;李彦德;王炳琨 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体装置的制造方法，其包含在衬底上方形成第一介电层和穿过第一介电层的通孔；在通孔中形成多个虚设接触件；在虚设接触件上形成多个第一虚设导线；在上述第一虚设导线之间填入第二介电层，其中第二介电层具有第一气隙；移除虚设接触件和第一虚设导线以露出通孔并藉此于通孔上方形成第一导线沟槽；以及在通孔和第一导线沟槽中形成导孔和第一导线。本发明可以提升半导体装置的可靠度，同时降低成本并提升半导体装置的良品率。
半导体装置制造方法

[发明专利]电阻式随机存取存储器及其形成方法-CN201811530303.9有效
发明人：郑嘉文;陈宜秀;许博砚;王炳琨;林铭哲;赵鹤轩 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种电阻式随机存取存储器及其形成方法，该形成方法包括形成一膜层堆迭；图案化上述膜层堆迭，以形成多个堆迭结构；沿着上述堆迭结构的侧壁形成保护层；在上述堆迭结构之间形成第一隔离结构；在至少一堆迭结构中形成至少一凹槽，以在上述至少一堆迭结构中定义出多个物理性分开的电丝单元；以及在上述至少一凹槽中形成第二隔离结构。上述膜层堆迭包括底电极层、以及位于该底电极层上的电阻转换层。本发明可以解决电阻式随机存取存储器的软性错误位问题。
电阻随机存取存储器及其形成方法

[发明专利]非易失性存储器及其重置方法-CN201910266086.5有效
发明人：林铭哲;赵鹤轩;王炳琨;林小峰;张雅廸;郑嘉文 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器及其重置方法。重置方法包括：针对多个存储单元执行第一重置动作；记录第一失败存储单元的分别对应的多个第一验证电流；针对第一失败存储单元执行第二重置动作，并针对第二失败存储单元执行验证动作，并分别获得多个第二验证电流；依据第一验证电流与分别对应的第二验证电流的多个第一比值以设定第一电压调整旗标；以及，依据第一电压调整旗标以调整执行第一重置动作及第二重置动作的重置电压。
非易失性存储器及其重置方法

[发明专利]电阻式存储器装置及其操作方法-CN201911344465.8有效
发明人：廖绍憬;王炳琨 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可提升装置耐久度并降低位线错误率的电阻式存储器装置及其操作方法。此方法包括：对电阻式存储器装置的电阻式存储单元阵列中的至少一个存储单元执行具有第一增强偏压的设定操作，此第一增强偏压大于正常执行设定操作时使用的偏压；对存储单元执行热处理；以及对存储单元执行具有第二增强偏压的设定操作，此第二增强偏压大于等于前述第一增强偏压。
电阻存储器装置及其操作方法

[发明专利]电阻式存储器及控制方法-CN201910110003.3有效
发明人： 王炳琨;廖绍憬;赵鹤轩;黄振隆;刘奇青;吴健民 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-02-11 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储器及控制方法，该电阻式存储器包括一第一存储电路、一验证电路、一第二存储电路以及一控制电路。第一存储电路具有多个存储单元组。每一存储单元组具有至少一个存储单元。验证电路耦接至第一存储电路，验证对所述多个存储单元中至少一个所执行的一特定操作是否成功。第二存储电路具有多个旗标位。每一旗标位储存对应每一存储单元组的旗标状态。控制电路耦接验证电路、第一存储电路以及第二存储电路。所述多个旗标位的每一个旗标位的初始状态为第一旗标状态。在一重置期间，控制电路根据一存储单元组所对应的一旗标位的旗标状态决定对存储单元组中的一第一存储单元执行一第一重置操作或是一第二重置操作。
电阻存储器控制方法

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