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[发明专利]一种天线及无线设备-CN201880059048.6有效
发明人：程钰间;孔龙;陈一;罗昕 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01Q19/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种天线及无线设备，涉及天线技术领域，该天线包括依次间隔排列的第一金属层、第二金属层和第三金属层，第一金属层和第二金属层之间设有第一透镜介质层，第二金属层和第三金属层之间设有第二透镜介质层，第一透镜介质层和第二透镜介质层均包括入射面和出射面，第一馈源天线射出的电磁波与第二馈源天线射出的电磁波具有初始相位差，当出射面辐射出的电磁波向靠近第一金属层的方向扫描时，第三金属层沿出射面的出射方向延伸，使第三金属层的半径大于其他金属层的半径；当出射面辐射出的电磁波向靠近第三金属层的方向扫描时，第一金属层沿出射面的出射方向延伸，使第一金属层的半径大于其他金属层的半径。
一种天线无线设备

[实用新型]一种背沟道式氧化物TFT结构-CN202222361731.1有效
发明人：陈宇怀 -专利权人：华映科技（集团）股份有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型提供一种背沟道式氧化物TFT结构，其基板上设有第一金属层，第一金属层包括栅极；基板上还设置有第二金属层，第二金属层与第一金属层相邻设置，所述第二金属层包括栅极驱动线，所述栅极驱动线与栅极电连接；或所述第二金属层位于第一金属层上方或下方，所述第二金属层与对应位置处的第一金属层构成栅极驱动线；所述第一金属层和第二金属层之上设置有第一绝缘层；所述第一绝缘层之上设置有有源层；所述有源层之上设置有第三金属层，所述第三金属层包括源极、漏极以及数据信号线。本实用新型通过结构优化以减少源漏极金属离子对沟道区的扩散效果，同时氧化物TFT有源层沟道上下界面间、栅极与绝缘层间的薄膜应力差异，从而提高器件稳定性。
一种沟道氧化物 tft 结构

[发明专利]导电结构及其制造方法-CN202210378829.X有效
发明人：陈筱茜 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种导电结构及其制造方法。制造方法包括下列步骤。提供一基材；于基材上，形成一导电层，导电层包括一第一金属层、一第二金属层以及至少一导电通孔；于基材的两侧，分别形成一第一保护层以及一第二保护层，覆盖至少一导电通孔；于基材的两侧，分别形成一第三金属层以及一第四金属层，其中第三金属层以及第四金属层分别覆盖第一金属层以及第二金属层；提供一第一光掩膜以及一第二光掩膜；以及利用第一光掩膜与第二光掩膜，图案化第一金属层、第二金属层、第三金属层以及第四金属层。
导电结构及其制造方法

[发明专利]包含通孔互连结构的集成电路结构及其形成方法-CN201810190432.1有效
发明人：张宏光;卡尔·J·拉登斯;L·A·克莱文杰 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及包含通孔互连结构的集成电路结构及其形成方法，其揭示是有关一种集成电路结构及形成该集成电路结构的方法。该集成电路结构可包含：第一金属层，该第一金属层包含第一介电层内的第一金属线；第二金属层，该第二金属层包含第二介电层内的第二金属线，该第二金属层是在该第一金属层上方；第一通孔互连结构，延伸通过该第一金属层且通过该第二金属层，其中，该第一通孔互连结构邻接该第一金属线的第一侧端及该第二金属线的第一侧端，以及其中，该第一通孔互连结构是垂直均匀结构且包含第一金属。
包含互连结构集成电路及其形成方法

[实用新型]半导体互连结构-CN201821445690.1有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体互连结构，包括：基底；介电层，位于基底的上表面，介电层内形成有接触孔；第一金属层，形成于接触孔的底部及侧壁上，第一金属层包括成核层；第二金属层，形成于第一金属层上，以填满接触孔，第二金属层包括种子层，第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率。本实用新型通过先于接触孔内低温形成第一金属层后再形成第二金属层，可以避免在接触孔内填充的金属层内部形成孔洞，从而可以有效降低填充的整体金属层的电阻值；第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率，可以进一步降低填充的整体金属层的电阻值
第一金属层第二金属层接触孔电阻率填充本实用新型互连结构整体金属介电层电阻基底半导体孔洞低温形成成核层金属层上表面种子层侧壁填满

[发明专利]半导体结构及其形成方法、存储器-CN202010473013.6有效
发明人：郑二虎;王胜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法、存储器，形成方法包括：对第二金属层露出的绝缘材料层进行刻蚀再沉积工艺，形成绝缘结构，绝缘结构包括绝缘侧部和绝缘层；对第二金属层和绝缘结构露出的第一金属材料层进行刻蚀再沉积工艺，形成第一金属结构，所述第一金属结构包括第一金属侧部和第一金属层；去除高于第二金属层表面的绝缘侧部和第一金属侧部。本发明中绝缘层形成在第一金属层和第二金属层之间，绝缘侧部形成在第一金属侧部和第二金属侧部之间，从而绝缘结构将第一金属结构和第二金属结构电隔离，在去除高于第二金属层表面的绝缘侧部和第一金属侧部后，剩余的绝缘结构仍能够电隔离第一金属结构和第二金属结构
半导体结构及其形成方法存储器

[实用新型]天线装置-CN201621414035.0有效
发明人：袁曲;智树芳;师小东 -专利权人：无锡村田电子有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01Q7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种天线装置，包括第一金属层，该第一金属层具有第一开口部；第二金属层，该第二金属层具有第二开口部；以及天线，该天线位于所述第一金属层的第一开口部和所述第二金属层的第二开口部之间，所述第一金属层的开口部和所述第二金属层的开口部在厚度方向上至少部分重叠
天线装置

[发明专利]天线装置和可穿戴设备-CN201811120803.5有效
发明人：赵志德 -专利权人：出门问问创新科技有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本申请提供一种天线装置和一种可穿戴设备，包括：第一金属层、第二金属层和馈电激励支节；第一金属层和第二金属层层叠地设置，二者之间形成第一间隙；第一金属层和第二金属层导电连接；馈电激励支节与第一金属层、第二金属层均具有预设空隙，并且与第一金属层和第二金属层绝缘。采用本申请提供的天线装置，第一金属层、第二金属层馈电激励支节形成的辐射体在大体垂直于第一金属层和第二金属层延伸方向的辐射强度原小于其他方向的辐射强度。在应用到可穿戴设备中，并且第一金属层和第二金属层大体平行于用户的身体表面时，天线装置向用户身体方向的辐射能量较小，也就避免了用户身体对电磁波能量的损耗，提高电磁辐射的利用效率。
天线装置穿戴设备

[实用新型]电力薄膜电容器-CN201621455029.X有效
发明人：陶文涛 -专利权人：东莞市纬迪实业有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了电力薄膜电容器，包括第一金属化膜和第二金属化膜；第一金属化膜包括第一基层和第一金属层，第二金属化膜包括第二基层和第二金属层，第一金属层和第二金属层由第一基层或第二基层隔开；第一金属层包括全覆金属层和极板金属层，极板金属层包括若干间隔设置的极板单元，各极板单元间由保险丝连接，部分极板单元也通过保险丝与全覆金属层连接；全覆金属层包括第一电极切边，第二金属层包括第二电极切边，第一电极切边和第二电极切边分别位于芯子叠材的两侧全覆金属层可以保证第一基层的表面积提供足够的电容容量，提高电力薄膜电容器容积比；带保险丝的极板金属层，可以提高电力薄膜电容器的安全性及自愈性。
电力薄膜电容器

[发明专利]有机发光器件及其制造方法、有机发光显示装置-CN202310004095.3在审
发明人：王纯阳;刘政;汪炳伟;李然;屈财玉;陈登云;王和金 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明提供一种有机发光器件及其制造方法、有机发光显示装置，方法包括：在绝缘层上制作源/漏极，源/漏极包括形成于绝缘层上的第一金属层、形成于第一金属层上的中间金属层以及形成于中间金属层上的第二金属层，第一金属层的宽度以及第二金属层的宽度大于中间金属层的宽度，且第二金属层在预设处理下收缩；在源/漏极上制作有机发光功能层；对第二金属层进行预设处理，以使得第二金属层收缩，在有机发光功能层上制作阴极层，以使得阴极层包覆于中间金属层以及第一金属层上。第二金属层在预设处理下收缩使得宽度减小，以使得阴极层能够与中间金属层以及第一金属层连接，使得阴极层与中间金属层连接效果佳，有效降低接触电阻。
有机发光器件及其制造方法显示装置

[发明专利]一种电池、电池组以及极柱虚焊测定方法-CN202310997838.1在审
发明人：朱梦成;徐广;王永超 -专利权人：中创新航科技集团股份有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01M50/562 文献下载
摘要：本发明公开了一种电池、电池组以及极柱虚焊检测方法，电池包括极柱以及电芯，极柱具有第一端面以及第二端面，极柱由至少两层金属层形成；以靠近第一端面的金属层为第一金属层，以与第一金属层相邻的金属层为第二金属层，第一金属层与第二金属层为不同种金属；第一金属层具有第一焊接区，第二金属层具有第二焊接区，第二焊接区与第一焊接区至少部分重叠；第一焊接区以及第二焊接区用于形成含有第一金属以及第二金属的熔池。一种电池组，包括电池、导电排以及电芯。一种极柱虚焊检测方法，包括，焊接步骤；检测步骤；判定步骤。本发明可以通过检测熔池是否含有第二金属层的金属，判定焊接深度是否达标。
一种电池电池组以及极柱虚焊测定方法

[发明专利]金属-绝缘层-金属结构-CN202010321739.8在审
发明人：杨世海;黄彦杰;游佳达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开实施例关于半导体装置与其形成方法，更特别关于半导体结构中单位面积的电容增加的三维金属‑绝缘层‑金属电容器结构。金属‑绝缘层‑金属结构包括基板；氧化物层形成于基板上；以及第一金属层形成于氧化物层上。第一金属层包括多个芯形成于第一金属层的表面上。金属‑绝缘层‑金属结构亦包括介电层形成于第一金属层与芯上；第二金属层形成于介电层上；以及一或多个内连线结构，电性连接至第一金属层与第二金属层。
金属绝缘金属结构

[发明专利]阵列基板及显示面板-CN201910421497.7有效
发明人：刘兆松 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板及显示面板，该阵列基板包括：基板；第一金属层，所述第一金属层包括多条平行间隔设置的阴极线，所述阴极线沿着X轴方向延伸；第一绝缘层，其设置于所述第一金属层上；第二金属层，其设置于所述第一绝缘层上，所述第二金属层包括VSS金属块，所述VSS金属块包括一沿着Y轴方向延伸的第一VSS金属块以及多个与所述第一VSS金属块连接且间隔设置的第二VSS金属块，每一所述第二VSS金属块在所述第一金属层上的投影位于相邻两条阴极线之间的间隙内本发明通过采用将VSS金属块的第二VSS金属块与阴极线错开，从而实现减小了第一金属层和第二金属层的正对面积，可以避免由于第一金属层和第二金属层被击穿导致的短路，可以提高显示效果。
阵列显示面板

[实用新型]一种耐高压金属化聚丙烯薄膜-CN202220095958.3有效
发明人：赵尤斌;朱正强;谈智勇 -专利权人：安徽省宁国市海伟电子有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐高压金属化聚丙烯薄膜，包括基膜，所述基膜上端设有第一金属层，所述基膜下端设有第二金属层，所述第一金属层侧壁通过金属镀层带与第二金属层侧壁连接，所述第一金属层上端设有第一介质层，所述第二金属层下端设有第二介质层，所述第一介质层上端设有加厚层，所述第二介质层下端设有散热层。本实用新型通过设置第一金属层和第二金属层，同时第一金属层和第二金属层之间通过金属镀层带连接，使得金属化薄膜的耐压性较高，进而在应用在大功率电容器上时，其安全性较高，通过设置加厚层，可以防爆防腐蚀的效果，从而增加金属化薄膜的使用寿命。
一种高压金属化聚丙烯薄膜

[发明专利]制造气体电子倍增器的方法-CN200880128609.X有效
发明人：瑞·德奥利维拉;瑟知·度阿特品杜 -专利权人：欧洲原子能研究组织
申请日： 2008-04-14 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01J43/06 文献下载
摘要：该方法包括：制备板料(28)的步骤，板料(28)包括绝缘片(12)，所述绝缘片(12)在其表面上具有第一金属层和第二金属层(14，16)；第一金属层孔形成步骤，通过光刻对所述第一金属层进行构图，以形成穿过第一金属层的孔(18)；绝缘片孔形成步骤，通过仅从所述第一表面侧蚀刻，使在第一金属层(14)中形成的孔(18)延伸穿过绝缘片(12)；以及第二金属层孔形成步骤，孔(18)延伸穿过第二金属层(16)。在一个实施方式中，通过电化学蚀刻实现第二金属层孔形成步骤，从而在对第二金属层(16)的蚀刻过程中保持第一金属层(14)不受影像。在另一实施方式中，在第二金属层孔形成步骤中，从外部蚀刻第一金属层和第二金属层(14，16)，从而减小第一金属层和第二金属层(14，16)的初始厚度，同时通过第一金属层(14)和绝缘片(12)中的孔(18)蚀刻第二金属层(16)，所述蚀刻被保持直到所述孔(18)延伸穿过所述第二金属层，其中，第一金属层和第二金属层(14，16)的初始平均厚度为6.5μm～25μm，优选地为7.5μm～12μm。
制造气体电子倍增器方法