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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种基于CMOS工艺制备的超材料-CN201110145755.7有效
发明人：刘若鹏;赵治亚;缪锡根;杨宗荣 -专利权人：深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种基于CMOS工艺制备的超材料，该超材料包括：第一电介质层；位于所述第一电介质层上面的第一金属层，该第一金属层具有第一微结构；位于所述第一金属层上面的第二电介质层，该第二电介质层具有第一通孔，该第一通孔中填充的材料与第一金属层的材料相同；位于所述第二电介质层上面，通过第一通孔与所述第一金属层连接的第二金属层，该第二金属层具有第二微结构，且与所述第一金属层具有相同的材料；以及位于所述第二金属层上面的第三电介质层
一种基于 cmos 工艺制备材料

[发明专利]一种导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置-CN202010596512.4有效
发明人：黄建龙 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种导电膜层、导电膜层制备方法及显示装置，导电膜层制备方法首先提供一基板，所述基板具有相对设置的第一面和第二面，在所述第一面形成第一金属层和第二金属层，所述第一金属层位于所述第一面，所述第二金属层位于所述第二金属层远离所述第一金属层的一面，在所述第二金属层远离所述基板的一面形成第三金属层，所述第三金属覆盖所述第二金属层边缘并与所述第一金属层接触。本申请通过第一金属层可以将中间层的第二金属层完全包裹，避免有光的折射，从而根本上解决第二金属层的侧向蚀刻引起的黑阶条纹。
一种导电制备方法显示装置

[发明专利]凸点下金属层、晶圆级芯片尺寸封装结构及形成方法-CN200810041382.7无效
发明人：丁万春;孟津 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种凸点下金属层的形成方法，包括：在芯片上形成金属垫层和用以保护芯片表面并将金属垫层暴露的钝化层；在钝化层和金属垫层上依次形成第一金属层和光刻胶层后，在光刻胶层上形成开口，所述开口曝露出金属垫层上第一金属层；在开口内，第一金属层上依次形成第二金属层，所述第二金属层包含焊料层；去除光刻胶后，刻蚀第一金属层至露出钝化层，刻蚀后的第一金属层与第二金属层构成凸点下金属层。本发明还提供一种凸点下金属层、晶圆级芯片尺寸封装结构及形成方法。本发明提高了膜层的电性能和可靠性。
凸点下金属晶圆级芯片尺寸封装结构形成方法

[发明专利]降低铜电镀工艺中边缘效应的方法及铜互连结构制造方法-CN201110126350.9有效
发明人：鲍宇;平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种降低铜电镀工艺中边缘效应的方法及其对应的铜互连结构制造方法。其中，降低铜电镀工艺中边缘效应的方法包括：在基底表面形成第一金属籽晶层；对所述第一金属籽晶层进行退火处理；在所述第一金属籽晶层表面形成第二金属籽晶层；在所述第二金属籽晶层表面形成铜金属层。本发明在阻挡层表面形成两层金属籽晶层，并对所述第一金属籽晶层进行退火处理，经过退火处理后所述第一金属籽晶层的金属晶粒会凝集成团，晶界数目变少，第一金属籽晶层的电阻减小，从而使得第一金属籽晶层和第二金属籽晶层的总电阻也减小
降低电镀工艺边缘效应方法互连结构制造

[发明专利]一种超导芯片-CN202010572838.3在审
发明人：潘健 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L39/02 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种超导芯片，其可以应用于量子计算领域。该超导芯片可以包括基底、位于基底上表面的第一结构和第二结构。第一结构包括第一超导金属层和与第一超导金属层交叠的第一覆盖层，第一覆盖层包括第二超导金属层和位于第一超导金属层和第二超导金属层之间的第一绝缘层。第二结构包括第三超导金属层和与第三超导金属层交叠的第二覆盖层，第二覆盖层包括第四超导金属层和位于第三超导金属层和第四超导金属层之间的第二绝缘层。第二结构还包括第五超导金属层，其同时覆盖第三超导金属层上表面未被覆盖区和第四超导金属层上表面的全部或部分区域。第一超导金属层与第三超导金属层相连，或者，第二超导金属层与第四超导金属层相连。
一种超导芯片

[发明专利]电阻点焊制品及其形成方法-CN201210017266.8有效
发明人： C-C.陈;M.J.布兰德;D.C.哈钦森 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：其中一种电阻点焊制品包括第一金属层、第二金属层和第三金属层。第一金属层具有第一厚度；第二金属层具有限定出浮凸区域的接合表面，其中，第二金属层具有小于第一厚度的第二厚度，使得第一厚度对第二厚度的比大于约2∶1；第三金属层夹在第一金属层和浮凸区域之间，其中，第三金属层具有大于第二厚度的厚度，及焊接接头熔透第一金属层、第三金属层、和在浮凸区域出的接合表面每一个，以由此将第一金属层和第二金属层连结到第三金属层。还披露了一种形成电阻点焊制品的方法。
电阻点焊制品及其形成方法

[实用新型]一种镀金属膜和电池-CN202223525797.6有效
发明人：臧世伟 -专利权人：重庆金美新材料科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01M50/124 文献下载
摘要：本实用新型提供一种镀金属膜和电池，该镀金属膜包括：衬底材料层；第一金属层，设置在所述衬底材料层的一面或者两面的；所述第一金属层的表面具有一定的粗糙度；第二金属层，设置在所述第一金属层的表面。本实用新型通过对第一金属层表面进行活化处理，使得第一金属层的表面具有一定的粗糙度，既可以去除第一金属层表面的灰尘颗粒，避免镀金属膜的膜面有鼓包，且活化后可以极大地增加第一金属层表面的粘结力，使得第二金属层与第一金属层之间的粘结力增大
一种镀金电池

[发明专利]一种在线检测金属通孔断路的测试结构和测试方法-CN202110973280.4在审
发明人：孙淑苗;杨志刚;张庆 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种在线检测金属通孔断路的测试结构和测试方法，提供掺杂的基底；基底上设有接触孔层；接触孔层上设有第一金属层；第一金属层上设有第一金属通孔层；第一金属通孔层上设有第二金属层；接触孔层包含有多个接触孔，多个接触孔与第一金属层连接；第一金属通孔层包含有多个第一通孔；多个第一通孔中填充有金属，多个第一通孔与第二金属层连接。利用E‑beam技术检测第一通孔中金属的填充是否产生断路。提前发现工艺过程中的问题，及时解决，尽快止损。
一种在线检测金属断路测试结构方法

[发明专利]半导体器件的形成方法、MIM电容的形成方法-CN201310261434.2有效
发明人：黎坡 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种MIM电容的形成方法和半导体器件的形成方法。半导体器件的形成方法包括提供基底；在基底上形成包括第一金属互连层和第二金属互连层的第一层间介质层；在第一层间介质层、第一金属互连层和第二金属互连层上形成包括第一金属插塞和第二金属插塞的第二层间介质层；在第二层间介质层、第一金属插塞和第二金属插塞上形成第一导电材料层；在第一金属互连层上方的第一导电材料层上形成电容介电层；在电容介电层和第一导电材料层上形成第二导电材料层；对位于第一金属互连层和第二金属互连层之间第一层间介质层上方的第二导电材料层和第一导电材料层进行刻蚀，至暴露出第二层间介质层。
半导体器件形成方法 mim 电容

[发明专利]一种阵列基板的制备方法-CN201810045488.8有效
发明人：苏同上;王东方;成军;刘军;王庆贺;李伟;程磊磊;袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种阵列基板的制备方法，该阵列基板的制备方法中，包括：在基板上依次制备栅极层、绝缘层、有源层；在有源层上制备第一金属层；在第一金属层上沉积第二金属层，并形成第二金属层的图形，其中，第二金属层中与沟道对应的部位去除，以露出第一金属层；对第一金属层中与沟道对应的部位进行氧化处理，以形成黑色氧化绝缘层；剥离光刻胶。上述阵列基板的制备方法中，通过在有源层上形成第一金属层和第二金属层，并对第一金属层进行氧化处理，使得第一金属层氧化产生第一金属层的金属氧化物，形成黑色氧化绝缘层，对有源层起到遮光的作用，改善了光照稳定性
一种阵列制备方法

[发明专利]晶片接合方法-CN201910358090.4在审
发明人：周娴;晁阳;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供了一种晶片接合方法，其包括：提供第一晶片和第二晶片，所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层，所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层，所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的金属材料；对所述第一晶片和所述第二晶片中的一者或两者进行电化学处理，以使得在所述第一金属层和所述第二金属层中对应的一者或两者的表面处形成所述金属材料的纳米结构；以及将第一金属层和第二金属层以彼此面对的方式接合所述第一金属层和第二金属层，以接合所述第一晶片和第二晶片。
晶片第二金属层第一金属层接合绝缘层金属材料第一表面晶片接合电化学处理彼此面对纳米结构表面处种晶

[发明专利]晶片接合方法-CN201910358104.2有效
发明人：周娴;晁阳;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：提供了一种晶片接合方法，其包括：提供第一晶片和第二晶片，所述第一晶片在第一表面具有第一金属层和第一绝缘层，所述第二晶片在第一表面具有第二金属层和第二绝缘层，所述第一金属层和所述第二金属层包括相同的金属材料；对所述第一晶片和所述第二晶片中的一者或两者进行预处理，以使得在所述第一金属层和所述第二金属层中对应的一者或两者的表面处形成所述金属材料的晶须；以及将第一金属层和第二金属层以彼此面对的方式接合所述第一金属层和第二金属层，以接合所述第一晶片和第二晶片。
晶片接合方法

[发明专利]印刷电路板的制作方法-CN201310198949.2有效
发明人：古清政;游舜名 -专利权人：南亚电路板股份有限公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开一种印刷电路板的制作方法，包括提供一第一基板和一第二基板；于第一基板上形成一第一金属层；于第二基板上形成一第二金属层；于第一金属层上形成一第一绝缘层，于第二金属层上形成一第二绝缘层，于第一绝缘层上形成一第三金属层，于第二绝缘层上形成一第四金属层，其中第一基板与第二基板藉由第一绝缘层和第二绝缘层彼此结合；形成一第一图案化掩膜层于第三金属层和第四金属层上；进行选择性沉积工艺，于第三金属层和第四金属层未被第一图案化掩膜层覆盖的部分形成多个金属焊盘；形成一第三绝缘层于第三金属层、第四金属层和金属焊盘上。
印刷电路板制作方法

[实用新型]蓝牙天线-CN201120268613.5有效
发明人：成荣斌;周杰 -专利权人：英华达（上海）科技有限公司;英华达（上海）电子有限公司;英华达股份有限公司
申请日： 2011-07-27 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开一种蓝牙天线，其包含一基板、一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一馈入端以及一接地面；基板具有第一平面及第二平面；第一金属层设置于基板的第一平面；第二金属层设置于基板的第一平面，且垂直连接于第一金属层的下方；第三金属层设置于基板的第一平面，且垂直连接于第一金属层的下方，并平行于第二金属层；馈入端设置于第二金属层或第三金属层的一端或其附近；接地面设置于基板的第二平面。
蓝牙天线

[发明专利]太阳能电池的金属结合部和触点的单步形成-CN201480068772.7有效
发明人：金泰锡;林承笵;马蒂厄·穆尔斯 -专利权人：太阳能公司;道达尔销售服务公司
申请日： 2014-12-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造太阳能电池的方法。所述方法可包括在太阳能电池结构的表面上形成介电区域以及在所述介电区域上形成第一金属层。所述方法还可包括在所述第一金属层上形成第二金属层并且对所述第二金属层的特定区域进行局部加热，其中加热包括在所述第一金属层和所述第二金属层之间形成金属结合部以及在所述第一金属层和所述太阳能电池结构之间形成触点所述方法可包括在所述第一金属层上形成粘合剂层以及在所述粘合剂层上形成第二金属层，其中所述粘合剂层将所述第二金属层机械耦接至所述第一金属层，并且允许所述第二金属层与所述第一金属层之间的电连接。
太阳能电池金属结合部触点形成

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