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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于使用应力释放层防止部件破裂的方法和设备-CN202180070004.5在审
发明人： 和田优一;陈国威;C·N·李;许绍杰;王欣欣;Z·M·C·庄;钟姚颖;张囯祥 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：用于保护工艺腔室的零件免于沉积材料的热循环效应的方法和设备。在一些实施例中，保护工艺腔室的零件的方法包括以下步骤：使用弱碱或弱酸来湿法蚀刻零件；通过喷砂来清洁零件；使用应力释放层来涂覆零件的表面的至少一部分。应力释放层形成大约50微米至大约250微米厚的连续层并且被配置成从在零件上沉积的铝的热循环中保持零件的结构完整性。所述方法也包括在形成应力释放层之后使用经加热的去离子水冲洗来湿法清洁零件。
用于使用应力释放防止部件破裂方法设备

[发明专利]具有喷头的预清洁腔室上屏蔽件-CN202180029336.9在审
发明人： S·巴布;A·朱普迪;欧岳生;魏俊琪;K·T·M·莫;张康;和田优一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供用于在工艺腔室中使用的工艺套件。在一些实施例中，一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括：顶板，具有设置在所述顶板的上部表面中的中央凹槽；通道，从顶板的外部部分延伸至中央凹槽；多个孔洞，通过顶板设置，从中央凹槽的底部表面至顶板的下部表面；覆盖板，配置成耦合至顶板，并且沿着中央凹槽的周围形成密封，使得覆盖的凹槽在顶板内界定气室；以及管状主体，从顶板的下部表面向下延伸，并且环绕多个孔洞，管状主体进一步配置成环绕基板支撑件。
具有喷头清洁腔室上屏蔽

[发明专利]用于减少预清洁腔室中的缺陷的方法和设备-CN202180029566.5在审
发明人：欧岳生;和田优一;魏俊琪;张康;阿南塔克里希纳·朱普迪;萨拉·巴布;张国祥;陈国威 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：设备和方法使用独特的处理配件来保护处理腔室的处理空间。处理配件包括：具有框架的屏蔽件，框架被构造成可插入屏蔽件；以及箔衬垫，由金属材料构成，箔衬垫可在确定点处附接到框架。确定的附接点间隔开以产生基于金属材料的延展性的一定柔性量。柔性量的范围从大约2.5到大约4.5。
用于减少清洁中的缺陷方法设备

[发明专利]用于处理基板的方法和设备-CN202080082552.5在审
发明人：熊健刚;和田优一;G·T·莫瑞 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供用于处理基板的方法和设备。举例而言，方法可包括在第一基板上沉积第一金属层；在第一金属层顶上沉积第二金属层；在第二基板上沉积第三金属层；在第三金属层顶上沉积第四金属层；以及在足以通过扩散层使第一基板接合至第二基板的条件下，使第二材料层与第四材料层接触，所述扩散层由第一金属层的扩散穿过第二金属层中的部分和第三金属层的扩散穿过第四金属层中的部分形成。
用于处理方法设备

[发明专利]用于处理基板的方法和设备-CN202080077347.X在审
发明人：欧岳生;和田优一;魏俊琪;张康;K·莫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本文提供用于处理基板的方法和设备。例如，用于处理基板的方法可包括：使用工艺气体离子和从PVD腔室的靶材形成的金属离子两者，从设置在PVD腔室中的基板选择性地蚀刻暴露的第一材料层，所述暴露的第一材料层覆盖下方的第二材料层且与暴露的第三材料层相邻，工艺气体离子和金属离子的量足以在将金属层沉积至第三材料层上的同时使第二材料层暴露；以及随后将来自靶材的金属沉积至第二材料层上。
用于处理方法设备

[发明专利]贮留装置、气化器、基板处理装置以及半导体装置的制造方法-CN201680072763.4有效
发明人：北川直子;和田优一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-12-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种能实现高生产率的处理装置并且为了实现该装置而提供以下的结构。即，提供一种结构，其具备：侧壁，其构成为圆周状；盖壁，其配设在所述侧壁的上端侧；底壁，其与所述侧壁的下端侧连接且具有能够载置在重量检测器上的载置面；贮留室，其由所述侧壁、所述盖壁以及所述底壁围成；凹部，其与所述贮留室连通且设于所述底壁；联络管，其构成为一端与所述凹部中的重力方向的部位连接且另一端在所述底壁内在与重力方向不同的方向上延伸，并构成为直径比所述凹部的直径小；气体流路，其设置在与所述底壁不同的壁上；以及液体排出路，其与所述联络管的下游端连接。
装置气化处理以及半导体制造方法

[发明专利]用于工艺腔室的高导通内部屏蔽物-CN202080060675.9在审
发明人： S·巴布;A·朱普迪;欧岳生;魏俊琪;K·莫;和田优一;张康 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：此处提供在工艺腔室中使用的工艺套件的实施例。在一些实施例中，一种用于在工艺腔室中使用的工艺套件，包括管状主体，所述管状主体具有配置成围绕基板支撑件的中心开口，其中管状主体的侧壁不包括任何通孔；以及顶板，所述顶板耦合至管状主体的上端，且实质上覆盖中心开口，其中顶板具有气体入口，且具有比管状主体的外直径要大的直径，且其中管状主体从顶板直向下延伸。
用于工艺高导通内部屏蔽

[发明专利]遮盘-CN202080062271.3在审
发明人：张康;魏俊琪;欧岳生;K·波;和田优一;A·朱普迪;S·巴布 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：描述用于物理气相沉积(PVD)的包括钛(Ti)、钡(Ba)、或铈(Ce)中的一者或多者的遮盘，所述遮盘允许粘贴以在基板的蚀刻期间最小化释气和控制缺陷。所述遮盘合并集气剂材料，所述集气剂材料对于包括O2、CO、CO2、和水的反应气体分子具有高度选择性。
遮盘

[发明专利]用于处理腔室的高传导性下部屏蔽件-CN202080060234.9在审
发明人： S·巴布;A·朱普迪;欧岳生;魏俊琪;K·莫;和田优一;张康 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文提供在处理腔室中使用的处理套件的实施例。在某些实施例中，一种在处理腔室中使用的处理套件，包括环状环，配置成围绕基板支撑件；及环状唇部，从环状环的上部表面延伸，其中环状环包括多个环狭槽，延伸通过环状环且以规则间隔沿着环状环布置，且其中环状唇部包括多个唇部狭槽，延伸通过环状唇部、以规则间隔沿着环状唇部布置。
用于处理传导性下部屏蔽

[发明专利]内嵌微波批量除气腔室-CN202080044325.3在审
发明人： R·高塔姆;A·朱普迪;高德丰;P·P·饶;V·拉马钱德兰;欧岳生;和田优一;蔡振雄;K·L·刘 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文提供用于基板处理腔室的方法和设备。在一些实施例中，基板处理腔室包括腔室主体，所述腔室主体具有侧壁，所述侧壁限定具有多边形形状的内部体积；设置在腔室主体的上部中的可选择性密封的细长开口以用于将一个或多个基板转移进入或离开腔室主体；设置在腔室主体的第一端处的漏斗，其中漏斗的尺寸沿着从腔室主体的外表面到内部体积的方向增大；以及设置在与漏斗相对的腔室主体的第二端处的泵端口。
微波批量气腔室

[外观设计]处理腔用带喷淋头的上护罩-CN202030632873.0有效
发明人：萨拉斯·巴布;阿南特克里希纳·朱普迪;欧岳生;魏俊琪;莫泰铭;张康;和田优一 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：处理腔用带喷淋头的上护罩。2.本外观设计产品的用途：用于半导体器件制造加工领域中的处理腔。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
处理腔用带喷淋护罩

[发明专利]衬底处理装置、加热器、存储介质及衬底处理方法-CN202110189926.X在审
发明人：村田等;八幡橘;和田优一;山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、加热器、存储介质及衬底处理方法。缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有：保持衬底的衬底保持件；处理室，对保持于衬底保持件的衬底进行处理；第一加热器，从处理室外加热处理室内；和第二加热器，以位于衬底保持件内的方式设置，并从衬底的背面侧加热衬底，第二加热器具有支柱部；环状部，其连接于支柱部，形成为直径比衬底的直径小的圆弧状；一对连接部，其将环状部的各个端部连接于支柱部，和设置于环状部的内部的发热体。
衬底处理装置加热器存储介质方法

[发明专利]衬底处理装置、加热器及半导体器件的制造方法-CN201580076770.7有效
发明人：村田等;八幡橘;和田优一;山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有：保持衬底的衬底保持件；处理室，对保持于衬底保持件的衬底进行处理；第一加热器，从处理室外加热处理室内；和第二加热器，以位于衬底保持件内的方式设置，并从衬底的背面侧加热衬底，第二加热器具有支柱部；环状部，其连接于支柱部，形成为直径比衬底的直径小的圆弧状；一对连接部，其将环状部的各个端部连接于支柱部，和设置于环状部的内部的发热体。
衬底处理装置加热器半导体器件制造方法

[外观设计]用于半导体加工机械设备的内屏蔽物-CN202030062400.1有效
发明人：萨拉·巴布;阿南塔克里希纳·朱普迪;欧岳生;魏俊琪;莫泰铭;和田优一;张康 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：用于半导体加工机械设备的内屏蔽物。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作在半导体加工机械设备中使用的用于基板处理腔室的内屏蔽物。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
用于半导体加工机械设备屏蔽

[发明专利]分裂半导体基板的方法和设备-CN201980032529.2在审
发明人： F·邓;欧岳生;高德丰;N·Y-C·陈;和田优一;S·R·V·克萨普拉嘎达;C·高 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：用于在半导体腔室中分裂基板的方法和设备。将半导体腔室压力调节至工艺压力，随后将基板加热至植入基板中的离子的成核温度，随后将基板的温度调节为低于离子的成核温度，以及保持温度直到发生基板的分裂。微波可用于针对工艺提供基板的加热。分裂传感器可通过在发生分裂时检测压力变化、声发射、基板内的变化和/或由植入离子释放出的残余气体来检测成功分裂。
分裂半导体方法设备

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