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- [发明专利]雪崩光电二极管-CN201780060588.1有效
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泷本贵博;夏秋和弘;內田雅代
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夏普株式会社
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2017-06-12
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2022-07-05
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H01L31/107
- 雪崩光电二极管包括：第一导电型半导体层(2)，形成于第一导电型的半导体基板(1)内；第一第二导电型半导体层(3)，在俯视基板时以隔开间隔包围第一导电型半导体层(2)的方式形成；第二第二导电型半导体层(5)，以与第一导电型半导体层(2)的底部相接的方式形成在比第一导电型半导体层(2)深的位置；以及第三第二导电型半导体层(6)，以与第二第二导电型半导体层(5)的底部相接的方式形成在比第二第二导电型半导体层由第一导电型半导体层(2)与第二第二导电型半导体层(5)形成雪崩结。以使半导体基板(1)与第一导电型半导体层(2)电气分离的方式将第一、第三第二导电型半导体层(3、6)连接。
- 雪崩光电二极管
- [发明专利]发光元件-CN201110418590.6无效
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海野恒弘
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日立电线株式会社
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2011-12-14
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2012-07-11
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H01L27/15
- 本发明提供一种发光元件，其包括支撑衬底(20)，设置在支撑衬底(20)上的第一导电型的第一导电型层，设置在第一导电型层上的发射光的活性层(16)，设置在活性层(16)上的与第一导电型不同的第二导电型的第二导电型层，与第一导电型层的部分表面接触的第一电极，以及与第二导电型层的部分表面接触的第二电极。第一电极与第一导电型层的表面接触，该表面不同于位于活性层(16)的正上方或正下方的区域所对应的第一导电型层的表面，第二电极与第二导电型层的表面接触，该表面不同于位于活性层(16)的正上方或正下方的区域所对应的第二导电型层的表面
- 发光元件
- [发明专利]固态成像装置及其制造方法-CN201510825492.2有效
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中村纪元
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精工爱普生株式会社
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2015-11-24
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2020-08-04
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H01L27/146
- 本发明所涉及一种固态成像装置及其制造方法。所涉及的固态成像装置(100)包括：第一导电型阱(20)；第一的第二导电型扩散层(30)，其被设置于第一导电型阱(20)中，并通过被照射光而产生载流子；第二的第二导电型扩散层(34)，其被设置于第一导电型阱(20)中，在第一的第二导电型扩散层(30)中所产生的载流子向第二的第二导电型扩散层(34)被传送并被蓄积在第二的第二导电型扩散层(34)中；第一的第一导电型扩散层(40)，其被设置于第二的第二导电型扩散层(34)之下，第二的第二导电型扩散层(34)的杂质浓度高于第一的第二导电型扩散层(30)的杂质浓度，第一的第一导电型扩散层(40)的杂质浓度低于第一导电型阱(20)的杂质浓度。
- 固态成像装置及其制造方法
- [发明专利]太阳能电池与太阳能电池模块-CN201310018257.5有效
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陈亮斌
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茂迪股份有限公司
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2013-01-17
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2014-07-09
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H01L31/0224
- 本发明揭露一种太阳能电池与太阳能电池模块。太阳能电池包含第二导电型基板、多个第一与第二导电型层、钝化层、多个第一与第二开孔、第一及第二电极。第二导电型基板包含受光面及背面。第一导电型层设于背面上。第二导电型层以二维阵列且彼此独立不相连接的形式排列于背面上。各第二导电型层的周围受到第一导电型层包围。钝化层设于第一与第二导电型层上。第一与第二开孔设于钝化层中，且分别对应第一导电型层、及分别对应第二导电型层。第一与第二电极设于钝化层上，且分别经第一开孔与第一导电型层接触、及分别经第二开孔与第二导电型层接触。
- 太阳能电池模块
- [发明专利]显示器用发光元件及具有其的显示装置-CN202080020179.0在审
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张成逵;申赞燮;李剡劤;李豪埈
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首尔伟傲世有限公司
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2020-03-12
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2021-10-26
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H01L25/075
- 根据一实施例的显示器用发光元件包括：第一LED叠层；第二LED叠层，位于第一LED叠层之下；第三LED叠层，位于第二LED叠层之下；及凸块焊盘，布置于第一LED叠层上，第一LED叠层至第三LED叠层都包括：第一导电型半导体层；及第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层之下，第一LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，并具有贯通第一导电型半导体层的上通孔，第二LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，并具有贯通第一导电型半导体层的下通孔，第三LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，凸块焊盘利用上通孔和下通孔而电接通于第二LED叠层和第三LED叠层。
- 显示器用发光元件具有显示装置
- [发明专利]半导体装置-CN201911307161.4在审
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郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻
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首尔伟傲世有限公司
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2014-10-28
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2020-04-24
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H01L33/24
- 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V‑坑；活性层，置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V‑坑穿过活性层，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V‑坑的起点的V‑坑产生层，其中，低浓度掺杂层置于V‑坑产生层与活性层之间，并且掺杂有Si的高浓度势垒层置于低浓度掺杂层与活性层之间。
- 半导体装置
- [发明专利]光源及背光模组-CN201510174668.2有效
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程艳;周革革
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武汉华星光电技术有限公司
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2015-04-14
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2017-07-04
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H01L33/36
- 本发明提供一种光源及背光模组。光源包括第一电极支撑体、第一透明导电层、第二透明导电层、第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层及第二电极，第一电极支撑体加载第一极性电压，且用于支撑第一透明导电层、第二透明导电层、第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层及第二电极，第一透明导电层及第二透明导电层依次设置于第一电极支撑体的同一表面上，第一导电型半导体层、有源层第二导电型半导体层依次设置于第二透明导电层的中部，第二电极设置于第二导电型半导体层的中部，第二电极加载第二极性电压，第一透明导电层及第二透明导电层的导电率分别为第一电导率及第二电导率，第一电导率小于第二电导率。
- 光源背光模组
- [发明专利]发光元件-CN201010001074.9有效
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青柳秀和
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索尼公司
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2010-01-21
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2010-08-04
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H01L27/15
- 本发明公开了发光元件，包括：第一导电型半导体层；发光功能层，在第一导电型半导体层上形成；第二导电型半导体层，在发光功能层上形成；第一导电型电极，其与第一导电型半导体层的露出部导通；第二导电型电极，其与第二导电型半导体层导通；绝缘层，其位于在其一部分上的发光功能层、第二导电型半导体层和第二导电型电极及在其另一部分上的第一导电型电极之间；以及附加绝缘层，被附加至绝缘层以形成在与由第二导电型半导体层、发光功能层以及第一导电型半导体层所构成的二极管相反的方向上具有整流作用的虚拟二极管
- 发光元件
- [发明专利]半导体装置以及开关电源装置-CN202110124194.6在审
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井上征;柴田行裕;田口英正
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新电元工业株式会社
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2021-01-29
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2022-07-01
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H01L29/861
- 【课题】提供一种能够抑制GHz频带噪声的产生的半导体装置。【解决手段】本发明的一种形态所涉及的半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型的半导体基板11；第一导电型半导体层12，位于所述半导体基板上；第一第二导电型扩散层13，位于所述第一导电型半导体层内的表面侧；第二第二导电型扩散层14，位于所述第一导电型半导体层内，从平面看与所述第一第二导电型扩散层接触，且包围所述第一第二导电型扩散层，并且耐压比所述第一第二导电型扩散层高；绝缘层15，位于所述第二第二导电型扩散层上以及从平面看位于所述第二第二导电型扩散层外侧的所述半导体层上；以及金属板16，位于所述第一第二导电型扩散层、所述第二第二第二导电型扩散层以及所述绝缘层上。
- 半导体装置以及开关电源
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