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[实用新型]半导体装置以及开关电源装置-CN202120269936.X有效
发明人：井上征;柴田行裕;田口英正 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：【课题】提供一种能够抑制GHz频带噪声的产生的半导体装置。【解决手段】本实用新型的一种形态所涉及的半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型的半导体基板11；第一导电型半导体层12，位于所述半导体基板上；第一第二导电型扩散层13，位于所述第一导电型半导体层内的表面侧；第二第二导电型扩散层14，位于所述第一导电型半导体层内，从平面看与所述第一第二导电型扩散层接触，且包围所述第一第二导电型扩散层，并且耐压比所述第一第二导电型扩散层高；绝缘层15，位于所述第二第二导电型扩散层上以及从平面看位于所述第二第二导电型扩散层外侧的所述半导体层上；以及金属板16，位于所述第一第二导电型扩散层、所述第二第二导电型扩散层以及所述绝缘层上。
半导体装置以及开关电源

[发明专利]浪涌保护用半导体器件-CN200580029036.1有效
发明人：大西一洋 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-24 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：提供一种耐浪涌性高的浪涌保护用半导体器件。本发明的浪涌保护用半导体器件包括的半导体基板(10)包括高浓度第一导电型半导体基板(1)、低浓度第一导电型半导体层(2)、高浓度第一导电型半导体层(4)、第二导电型半导体层(3)、低浓度第二导电型半导体层(5)，上述低浓度第二导电型半导体层从低浓度第一导电型半导体层(2)的表面向低浓度第一导电型半导体层(2)的层内延伸，与高浓度第一导电型半导体层(4)共有轴线，并且具有与高浓度第一导电型半导体层(4)的界面(J4)和与第二导电型半导体层(3)的界面(J5)。并且，低浓度第二导电型半导体层(5)的杂质浓度比第二导电型半导体层(3)的杂质浓度低。
浪涌保护半导体器件

[发明专利]一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法-CN201610273774.0有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;方天足;陈亮 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种具有倒梯形圆台体的微米线发光二极管制作方法，在衬底上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一型导电层；在第一型导电层上沉积微米孔洞制作层；在微米孔洞制作层上形成上宽下窄的倒梯形微米孔洞；在孔洞内依次形成第一型导电层、有源区、电子阻挡层和第二型导电层；在微米孔洞制作层上表面形成第二型导电层，在第二型导电层上形成欧姆接触层；在欧姆接触层上蒸镀导电层；依次腐蚀部分导电层、欧姆接触层、第二型导电层、微米孔洞制作层，裸露部分第一型导电层；在第一型导电层上形成第一电极制作区，第一电极制作区形成第一电极，在导电层上形成第二电极。
一种具有梯形圆台微米发光二极管制作方法

[实用新型]显示器用发光元件及具有其的显示装置-CN202020303676.9有效
发明人：张成逵;申赞燮;李剡劤;李豪埈 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种显示器用发光元件及具有其的显示装置，包括：第一LED叠层；第二LED叠层，位于第一LED叠层之下；第三LED叠层，位于第二LED叠层之下；及凸块焊盘，布置于第一LED叠层上，第一LED叠层至第三LED叠层都包括：第一导电型半导体层；及第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层之下，第一LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，并还具有贯通第一导电型半导体层的上通孔，第二LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，并还具有贯通第一导电型半导体层的下通孔，第三LED叠层包括通过第二导电型半导体层暴露的第一导电型半导体层，凸块焊盘利用第一LED叠层的上通孔和第二LED叠层的下通孔而电接通于第二和第三LED叠层。
显示器用发光元件具有显示装置

[发明专利]半导体元件-CN201911298492.6有效
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体元件。所述半导体元件包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，贯通所述第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于所述第一导电型半导体层上且填充所述V‑坑，其中，所述第一上导电型半导体层具有比所述第一下导电型半导体层高的缺陷密度。
半导体元件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201410589701.3有效
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V‑坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V‑坑；以及活性层，插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V‑坑穿过活性层，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V‑坑的起点的V‑坑产生层
半导体装置及其制造方法

[实用新型]半导体装置-CN201420631994.2有效
发明人：郭雨澈;崔承奎;金材宪;郑廷桓;白龙贤;张三硕;洪竖延;郑渼暻 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2014-10-28 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一导电型半导体层，包括第一下导电型半导体层和第一上导电型半导体层；V-坑，穿过第一上导电型半导体层的至少一部分；第二导电型半导体层，位于第一导电型半导体层上并填充V-坑；以及活性层，插入在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间，V-坑穿过活性层，其中，第一上导电型半导体层具有比第一下导电型半导体层的缺陷密度高的缺陷密度，并且第一上导电型半导体层包括包含V-坑的起点的V-坑产生层
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201580044665.5有效
发明人：吕焕国 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：依次层叠的第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；被设置为隔着所述第一导电型半导体层彼此对应的第一导电型上电极部分和第一导电型下电极部分；被设置为隔着所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层彼此对应的第二导电型上电极部分和第二导电型下电极部分；以及将所述第二导电型上电极部分和所述第二导电型下电极部分电连接的第二导电型电极连接部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]光电转换元件-CN201480008279.6有效
发明人：木本贤治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：一种光电转换元件，包括在第一导电型的半导体上设置且含有氢化非晶硅的本征层、覆盖本征层的一部分且含有第一导电型的氢化非晶硅的第一导电型层、含有第二导电型的氢化非晶硅的第二导电型层以及绝缘层，第一电极经由第二导电型层设置在第一导电型层上，并且，第一电极的至少一部分位于第一导电型层和本征层相接的区域的上方，第二电极的至少一部分位于第二导电型层和本征层相接的区域的上方。
光电转换元件

[发明专利]半导体器件-CN201110274284.X有效
发明人：北川光彦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：根据实施方式，半导体器件具备：基极层；设置在基极层上的第二导电型半导体层；第一绝缘膜，设置在从第二导电型半导体层的表面向基极层侧延伸、未到达基极层的多个第一沟槽的内壁上；和第一电极，隔着第一绝缘膜设置在第一沟槽内，并且与第二导电型半导体层的表面相接。第二导电型半导体层具有：由第一沟槽夹持的第1第二导电型区域；和第2第二导电型区域，设置在第1第二导电型区域与基极层之间以及第一沟槽的底部与基极层之间，该第2第二导电型区域的第二导电型杂质量比第1第二导电型区域少
半导体器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610134505.6有效
发明人：陈巨峰;周苇俊;邱建维 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板；外延层；第一导电型第一阱，设于基板与外延层中；第二导电型第一埋藏层与第二导电型第二埋藏层，分别设于第一导电型第一阱的两侧；第一导电型第二阱，设于外延层中且直接接触第一导电型第一阱；第二导电型第三埋藏层，设于第一导电型第一阱及/或第一导电型第二阱中；第二导电型掺杂区，设于第一导电型第二阱中；栅极结构；漏极接触插塞；及源极接触插塞。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有增强紧固性的碳化硅结势垒肖特基二极管-CN202180033315.4在审
发明人：庆信秀;南太镇;金银夏;徐廷允;姜兑咏 -专利权人：电导魔方股份有限公司
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：公开了一种碳化硅结势垒肖特基二极管，该碳化硅结势垒肖特基二极管包括：第一导电型基板；第一导电型外延层，所述第一导电型外延层通过在所述第一导电型基板上的掺杂有第一导电型杂质的碳化硅的外延生长形成；电荷注入区域，所述电荷注入区域形成在所述第一导电型外延层上并掺杂有比所述第一导电型外延层的第一导电型杂质的浓度更高浓度的所述第一导电型杂质；第二导电型结区域，所述第二导电型结区域形成在所述第一导电型外延层上以接触所述电荷注入区域；肖特基金属层，所述肖特基金属层形成在所述电荷注入区域和所述第二导电型结区域上；阳极电极，所述阳极电极形成在所述肖特基金属层上；以及阴极电极，所述阴极电极形成在所述第一导电型基板下方。
具有增强紧固碳化硅结势垒肖特基二极管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210728707.9在审
发明人：水上诚;铃木拓马;朝羽俊介 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具有：第一电极；第一导电型的第一半导体层，设置在第一电极上；第二导电型的第二导电型柱，设置在第一半导体层上；第一导电型柱，设置在第一半导体层上，具有：低浓度层，为第一导电型且杂质浓度的平均值比第二导电型柱的杂质浓度的平均值低；和高浓度层，为第一导电型且杂质浓度的平均值比第二导电型柱的杂质浓度的平均值高；第二导电型的第二半导体层，设置在第一导电型柱上；第一导电型的第三半导体层，设置在第二半导体层上；第二电极，与第二导电型柱及第三半导体层连接；第三电极；以及绝缘膜，配置在第二半导体层与第三电极之间。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体发光芯片及其制造方法-CN201310093759.4有效
发明人：李刚 -专利权人：李刚
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种半导体发光芯片及其制造方法，芯片包括衬底，衬底的第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层，其表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极台阶、n型电极凹槽和/或n型电极凹孔，半导体发光芯片被至少一绝缘层所包裹；绝缘层表面设有裸露的至少一p型电极和第一n型电极；p型电极与p型导电层导电连接；绝缘层内设有n型电极互连层，第一n型电极贯穿绝缘层与n型电极互连层导电连接，n型电极互连层通过至少一第二n型电极与n型导电层导电连接，第二n型电极与n型导电层导电连接，与发光层和p型导电层绝缘；p型电极与第一n型电极、n型电极互连层和第二n型电极绝缘。
半导体发光芯片及其制造方法

[发明专利]绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法-CN201511020961.X有效
发明人：陈冠宇;陈美玲 -专利权人：节能元件控股有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种绝缘栅双极晶体管的背面场栏的低温氧化层制作方法，先在一第一导电型基板的一正面制作正面元件及正面金属层。于第一导电型基板的背面制作多重凹槽结构，于每一凹槽外侧具有一第一导电型杂质植入层图案，于多重凹槽结构底部具有一第一导电型杂质植入层。以沉积方式于该多重凹槽结构内填入多层第一导电型多晶硅层，且这些第一导电型多晶硅层分别与这些第一导电型杂质植入层图案对齐。于第一导电型基板底部表面植入一第二导电型杂质层。以激光退火工艺对所得结构的各杂质层退火，以制作多个场截止层。
绝缘双极晶体管背面低温氧化制作方法