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[发明专利]覆晶式发光二极管元件及其封装结构-CN201310199969.1在审
发明人：杨凯任;沈志秋;林裕承 -专利权人：崴发控股有限公司
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明揭露一种覆晶式发光二极管元件及其封装结构。覆晶式发光二极管元件包含一透明基板、一第一型半导体层、一第二型半导体层、一第一导电接触层、一第二导电接触层、一隔离层、一保护层、一荧光转换层以及一平衡电极图案层。隔离层形成于第一导电接触层与第二导电接触层间。保护层形成于第一型半导体层、第二型半导体层、第一导电接触层及第二导电接触层的侧边。荧光转换层覆盖透明基板的一表面。平衡电极图案层电性连接第一型半导体层及第二型半导体层，借以使电流分布均匀。保护层可保护覆晶式发光二极管元件免于外力及环境的破坏。
覆晶式发光二极管元件及其封装结构

[发明专利]一种半导体发光元件及其制作方法-CN202310088293.2在审
发明人：张东炎;刘文;李慧文;金超;汤国梁;潘冠甫;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件及其制备方法，所述半导体发光元件包含半导体外延叠层，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；侧壁，形成于所述第一导电型半导体层和所述活性层的边缘；第一台面，形成于所述第二导电型半导体层之上且不与所述活性层重叠的区域；其特征在于：所述侧壁延伸与所述第一台面相连接形成连接部，所述连接部位于所述第一台面的一侧具有粗化结构。本发明公开所述半导体发光元件及其制备方法，在所述第一导电型半导体层和第一台面的上表面具有粗化结构，可解决侧壁粗化引起的漏电问题，同时提升半导体发光元件的发光亮度。
一种半导体发光元件及其制作方法

[发明专利]一种半导体发光元件及其制作方法-CN202180001606.5有效
发明人：张东炎;刘文;李慧文;金超;汤国梁;潘冠甫;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件及其制备方法，所述半导体发光元件包含半导体外延叠层，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；侧壁，形成于所述第一导电型半导体层和所述活性层的边缘；第一台面，形成于所述第二导电型半导体层之上且不与所述活性层重叠的区域；其特征在于：所述侧壁延伸与所述第一台面相连接形成连接部，所述连接部位于所述第一台面的一侧具有粗化结构。本发明公开所述半导体发光元件及其制备方法，在所述第一导电型半导体层和第一台面的上表面具有粗化结构，可解决侧壁粗化引起的漏电问题，同时提升半导体发光元件的发光亮度。
一种半导体发光元件及其制作方法

[实用新型]一种发光二极管-CN201921896164.1有效
发明人：韩权威;戴志祥;李烨;沈媛媛;晋沙沙;陈亭玉;隗彪;孙旭;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，至少包括衬底，以及依次层叠于所述衬底之上的第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和透明导电层；第一电极，与第一导电型半导体层电性连接；第二电极，位于透明导电层表面，通过透明导电层与第二导电型半导体层电性连接；其特征在于：所述第二导电型半导体层表面具有高电流密度区和低电流密度区，由低电流密度区向高电流密度区，透明导电层的覆盖面积逐渐增大。本实用新型减小第二导电型半导体层表面低电流密度区的透明导电层的覆盖面积，从而促使电流集中，以提高电流密度区的电流密度，从而提高发光二极管的亮度。
一种发光二极管

[发明专利]高压半导体装置及其制造方法-CN201410821174.4有效
发明人：罗宗仁;刘兴潮;陈巨峰;周苇俊 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本发明提供一种高压半导体装置及其制造方法，该高压半导体装置包括：基板；外延层，设于基板上且具有第一导电型；栅极结构，设于外延层上；第一导电型第一高压井区及第二导电型高压井区，分别设于栅极结构两侧的外延层内，其中第一导电型与第二导电型相异；源极区及漏极区，分别设于栅极结构两侧的外延层内；及堆叠结构，设于栅极结构及漏极区之间，其中堆叠结构包括：阻挡层；绝缘层，设于阻挡层上；以及导电层，设于绝缘层上，且电连接源极区或栅极结构本发明通过包括导电层的堆叠结构，可降低外延层中通道的电场密度，进而降低高压半导体装置的导通电阻。
高压半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法-CN201711166197.6在审
发明人：陈文锁;廖瑞金 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基接触区和上电极层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第二导电类型体区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述栅介质层嵌入于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面区域。所述栅介质层呈现为U型结构，所述U型结构底部介质层厚度大于侧壁介质层厚度。所述栅电极层覆盖于U型栅介质层之内。所述肖特基势垒接触区覆盖于第二导电类型体区之上。所述上电极层覆盖于栅电极层和肖特基势垒接触区之上。
一种沟槽型肖特基接触超级整流器及其制作方法

[发明专利]半导体器件-CN201780034118.8有效
发明人：李尚烈;金青松;文智炯;朴鲜雨;宋俊午 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：根据一个实施例的半导体器件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二导电型半导体层；晶体管，设置在发光结构上，并包括半导体层、源电极、栅电极和漏电极；第二电极，设置在第二导电型半导体层上，并电连接到漏电极和第二导电型半导体层；第一接合焊盘，设置在发光结构上，并电连接到第一导电型半导体层；第二接合焊盘，设置在晶体管上，并电连接到源电极；以及第三接合焊盘
半导体器件

[发明专利]LED芯片及其制作方法-CN201510153145.X有效
发明人：朱秀山;徐慧文;李智勇;朱广敏;余婷婷;张宇;李起鸣 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2015-04-01 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制作方法，制作方法包括：提供衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层；形成第一、第二透明导电层；形成功函数大于透明导电层的含银的金属反射层，其中位于第一透明导电层上的金属反射层为P电极，位于第二透明导电层上的金属反射层为N电极；LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层，第一、第二透明导电层；金属反射层，其中位于第一透明导电层上的金属反射层为P电极，位于第二透明导电层上的金属反射层为本发明的有益效果在于，降低P、N型半导体层与金属反射层之间的势垒高度，进而减小P、N型半导体层与金属反射层之间的欧姆接触，减小LED芯片的工作电压，增加LED芯片的发光效率。
led 芯片及其制作方法

[发明专利]晶体管结构及其制造方法-CN201910783483.X有效
发明人：邓筱璇;潘钦寒 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管结构，包括基底、外延层、井区、高压井区、源极区、漏极区、栅极结构与第一埋入层。外延层具有第一导电型，且设置在基底上。井区具有第二导电型，且位于外延层中。高压井区具有第一导电型，且位于井区的一侧的外延层中。源极区具有第一导电型，且位于井区中。漏极区具有第一导电型，且位于高压井区中。栅极结构设置在源极区与漏极区之间的外延层上。第一埋入层具有第二导电型，且位于高压井区下方的基底中。第一埋入层的至少一部分的厚度在第一埋入层远离井区的方向上逐渐缩小。以及，晶体管结构的制造方法。
晶体管结构及其制造方法

[发明专利]非挥发性存储器及其制造方法与操作方法-CN200610142554.0无效
发明人：王世辰;陈信铭;卢俊宏;何明洲;沈士杰;徐清祥 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：一种非挥发性存储器设置于第一导电型基底上，其具有栅极、第二导电型漏极区、电荷储存层以及第二导电型第一淡掺杂区。栅极设置于第一导电型基底上。第二导电型漏极区设置于栅极的第一侧的第一导电型基底中。电荷储存层设置于栅极的第一侧的第一导电型基底上，且位于第二导电型漏极区与栅极之间。第二导电型第一淡掺杂区设置于栅极的第二侧的第一导电型基底中，其中第二侧与第一侧相对。
挥发性存储器及其制造方法操作方法

[实用新型]一种耐高温的抗静电型防划离型纸-CN202320597756.3有效
发明人：刘彦彭 -专利权人：江苏盛维新材有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C09J7/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐高温的抗静电型防划离型纸，其包括：基纸层、离型剂层、第一导电导热膜层、第二导电导热膜层和导电纤维网层，所述第一导电导热膜层设置在基纸层的底面，所述离型剂层设置在第一导电导热膜层的底面，所述第二导电导热膜层设置在基纸层的上方，所述导电纤维网层设置在第二导电导热膜层的上方，所述导电纤维网层上涂布有防划胶层。本实用新型所述的耐高温的抗静电型防划离型纸，提升局部耐高温性能和抗静电效果，减少划痕或刮擦破损的问题。
一种耐高温抗静电型防划离型纸

[发明专利]具有多单元阵列的半导体发光装置及其制造方法-CN201110056959.3有效
发明人：金制远;张泰盛;禹钟均;李钟昊 -专利权人：三星LED株式会社
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光装置及其制造方法，所述半导体发光装置包括：基底；多个发光单元，布置在所述基底上，每个发光单元包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的用于发射蓝光的有源层；互连结构，将发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个电连接到其它发光单元的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层中的至少一个；光转换部分，形成在由多个发光单元限定的发光区域的至少一部分中，所述光转换部分包括具有红光转换材料的红光转换部分和具有绿光转换材料的绿光转换部分中的至少一个。
具有单元阵列半导体发光装置及其制造方法

[发明专利]雪崩光电二极管-CN201680070709.6有效
发明人：夏秋和弘;泷本贵博;內田雅代 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-06-23 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：雪崩光电二极管包括:形成于第一导电型的基板(1)的第一导电型的第一半导体层(3)；形成于第一半导体层(3)下并与第一导电型为相反的第二导电型的第二半导体层(2)；形成于基板(1)的第一半导体层(3)的浅的部分并与第一半导体层(3)的杂质浓度相比为高浓度的第一导电型的第三半导体层(7)；形成于第三半导体层(7)的正下方的第一半导体层(3)内的区域的第一导电型的第四半导体层(6)；与第一半导体层(3)电性地连接的第一接点(11)；与第二半导体层(2)电性地连接的第二接点(12)。第四半导体层(6)的杂质浓度高于第一半导体层(3)的杂质浓度,且低于第三半导体层(7)的杂质浓度。
雪崩光电二极管

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200610159385.1有效
发明人：渡边信幸;井口缘;村上哲朗 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-07-26 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：半导体发光元件具有第一导电型半导体层(3、4)、形成在上述第一导电型半导体层上的发光层(5)、形成在上述发光层上的第二导电型半导体层(8)、设置在上述第二导电型半导体层(8)上并且使来自上述发光层(5)上述透过性衬底(9)的载体浓度低于上述第二导电型半导体层(8)的载体浓度。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]紫外线发光元件-CN201911375187.2在审
发明人：张成逵;赵弘锡;李圭浩;印致贤 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外线发光元件，包括：基板；第一导电型半导体层，布置于基板；台面，布置于第一导电型半导体层，包含第二导电型半导体层及活性层；第一接触电极，与暴露于台面周围的第一导电型半导体层接触；第二接触电极，在台面上接触第二导电型半导体层；钝化层，覆盖第一接触电极、台面及第二接触电极，具有开口部；第一凸起电极及第二凸起电极，通过钝化层的开口部电连接于第一接触电极及第二接触电极，其中，台面在从上部观察时具有多个凹陷部，第一接触电极以预定间隔与台面隔开，形成为包围台面，在多个凹陷部内接触于第一导电型半导体层，第一凸起电极及第二凸起电极分别覆盖钝化层的开口部，还覆盖钝化层的一部分。
紫外线发光元件