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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电子纸显示装置及其驱动方法-CN201511027087.2有效
发明人：徐国翰;吴孟韦;李怡德;林威成;林琦崴 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明提供一种电子纸显示装置及其驱动方法，电子纸显示装置包括电子纸显示面板、显示驱动器以及数据处理器。电子纸显示面板用以显示图像页面。显示驱动器耦接至电子纸显示面板。显示驱动器用以依据图像数据来驱动电子纸显示面板显示多个图像画面，以显示图像页面。数据处理器耦接至显示驱动器。数据处理器用以将第一查找表转换为第二查找表，以及将目前画面与先前画面合并为整合画面。数据处理器依据整合画面以及第二查找表来产生图像数据，并且输出图像数据给显示驱动器。图像画面包括目前画面与先前画面。因此，可提升数据处理效能。
电子显示装置及其驱动方法

[发明专利]功率晶体管组件的制作方法-CN201210084187.9无效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;张家豪 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2012-03-22 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率晶体管组件的制作方法，其包含有下列步骤。首先，提供一半导体基底，半导体基底具有一扩散掺杂区设于其中，且扩散掺杂区与半导体基底的表面相接触，其中扩散掺杂区邻近表面的掺杂浓度大于扩散掺杂区远离表面的掺杂浓度。然后，进行一热氧化制程，于半导体基底的表面形成一氧化层，其中与表面相接触的扩散掺杂区的一部分与氧反应为氧化层的一部分。接着，移除氧化层。借此，可解决功率晶体管中超级结结构的电洞浓度与电子浓度分布不均匀的问题。
功率晶体管组件制作方法

[发明专利]具有超级结的功率晶体管组件的制作方法-CN201210090761.1无效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;张家豪 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率晶体管组件的制作方法。首先，提供具有一第一导电类型的一半导体基底，并在半导体基底中形成至少一沟槽。接着，在沟槽中填入一掺杂物来源层，并进行一第一热趋入工艺，在半导体基底中分别形成具有一第二导电类型的两个扩散掺杂区，其中各扩散掺杂区邻近沟槽的掺杂浓度不同于各扩散掺杂区远离沟槽的掺杂浓度。然后，移除掺杂物来源层，并进行一斜角度离子植入工艺与一第二热趋入工艺，以调整邻近沟槽的各扩散掺杂区的掺杂浓度。
具有超级功率晶体管组件制作方法

[发明专利]功率半导体装置的制作方法-CN201210032642.0有效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;张家豪 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体装置的制作方法，其特征在于包括提供一基底，其具有一第一导电型；在所述的基底上形成一半导体层，其具有一第二导电型；在所述的半导体层上形成一硬掩模图案，其具有至少一开口，显露出部分的所述的半导体层；进行第一次沟渠蚀刻，经由所述的开口蚀刻所述的半导体层中，而形成一第一沟渠；进行第一次离子注入工艺，垂直将第一掺质经由所述的开口注入所述的第一沟渠的底部，而形成一第一掺杂区；及进行第二次沟渠蚀刻，经由所述的开口蚀穿所述的第一掺杂区，而形成一第二沟渠。
功率半导体装置制作方法

[发明专利]具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件及其制作方法-CN201210020145.9有效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;张家豪 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2012-01-21 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超级接口的沟槽型功率晶体管组件的制作方法。首先，提供一具有一第一导电类型的基底。然后，于基底上形成一具有一第二导电类型的外延层。接着，于外延层中形成一穿孔，贯穿外延层。随后，于穿孔的两侧的外延层中分别形成两个具有第一导电类型的漏极掺杂区，且漏极掺杂区从外延层的上表面延伸至与基底相接触。
具有超级接口沟槽功率晶体管组件及其制作方法

[发明专利]具有超级接口的功率晶体管组件及其制作方法-CN201210016205.X无效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;张家豪 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超级接口的功率晶体管组件，其包括一基底、一第一外延层、一第二外延层以及一第三外延层。第一外延层设于基底上，并具有多个沟槽。第二外延层填满沟槽，且第二外延层的上表面高于第一外延层的上表面。第二外延层具有多个穿孔，贯穿第二外延层并位于第一外延层上，其中第二外延层与第一外延层具有不同导电类型。第三外延层填满穿孔，并与第一外延层相接触，其中第三外延层与第一外延层具有相同导电类型。
具有超级接口功率晶体管组件及其制作方法

[发明专利]萧基晶体管装置的制作方法-CN201110458411.1有效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;张家豪;陈家伟 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了萧基晶体管装置的制作方法，其特征在于包括提供一基底，具有一第一导电型；在基底上成长一外延层，其中外延层具有第一导电型；在外延层上形成一图案化介电层；在外延层的表面形成一金属硅化物层；在金属硅化物层上形成一掺质来源层，其中掺质来源层具有第二导电型的掺质；进行一热驱入工艺，使掺质来源层内第二导电型的掺质扩散进入外延层；及在金属硅化物层上形成一导电层。
晶体管装置制作方法

[发明专利]沟槽型功率晶体管组件及其制作方法-CN201210016219.1无效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;张家豪;陈家伟 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型功率晶体管组件包括一基底、一外延层、一扩散掺杂区、一源极掺杂区以及一栅极结构。基底、扩散掺杂区与源极掺杂区具有一第一导电类型，且基底具有一有源区以及一终端区。外延层设于基底上，且具有一第二导电类型，其中外延层具有位于有源区的一穿孔。扩散掺杂区设于穿孔一侧的外延层中，且与基底相接触。源极掺杂区设于扩散掺杂区的正上方的外延层中，且栅极结构设于扩散掺杂区与源极掺杂区之间的穿孔中。
沟槽功率晶体管组件及其制作方法

[发明专利]功率晶体管组件及其制作方法-CN201110391032.5有效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;张家豪;陈家伟 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率晶体管组件包括一衬底、一外延层、一掺质来源层、一漏极掺杂区、一第一绝缘层、一栅极结构、一第二绝缘层、一源极掺杂区以及一金属层。衬底、漏极掺杂区与源极掺杂区具有一第一导电类型，且外延层具有一第二导电类型。外延层设于衬底上，且具有至少一穿孔贯穿外延层。掺质来源层、第一绝缘层、栅极结构与第二绝缘层依序设于穿孔中的衬底上。漏极掺杂区与源极掺杂区设于穿孔一侧的外延层中。金属层设于外延层上，且延伸至穿孔中，以与源极掺杂区相接触。借此，可有效地减少使用掩模的数量，并降低功率晶体管组件的制作成本与制作复杂度。
功率晶体管组件及其制作方法

[发明专利]超级接面晶体管及其制作方法-CN201110405157.9无效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;张家豪;陈家伟 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级接面晶体管，包括一漏极基底，具有一第一导电型；一外延层，具有一第二导电型，其中外延层设置在漏极基底上；多个栅极结构单元，嵌入于外延层的表面；多个沟渠，设置于漏极基底及多个栅极结构单元间的外延层中；一缓冲层，直接接触多个沟渠的内侧表面；多个紧邻多个沟渠外侧的第一导电型基体掺杂区，其中多个第一导电型基体掺杂区与外延层间具有至少一垂直于漏极基底表面的PN接面；及一源极掺杂区，具有第一导电型，其中源极掺杂区设置于外延层中，并紧邻各栅极结构单元。
超级晶体管及其制作方法

[发明专利]横向堆叠超级接面功率半导体装置-CN201110405160.0无效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;张家豪 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向堆叠超级接面功率半导体装置，包括一半导体基底；一外延堆叠结构，设于半导体基底上，外延堆叠结构包括至少一第一外延层，具有一第二导电型，及至少一第二外延层，具有第一导电型；一漏极结构，嵌入于外延堆叠结构中，且漏极结构沿着一第一方向延伸；多个栅极结构，嵌入外延堆叠结构中，并且断续的沿着第一方向延伸；一源极结构，设于多个栅极结构间；及一离子井，具有第一导电型，包围住源极结构。
横向堆叠超级功率半导体装置

[发明专利]功率晶体管组件及其制作方法-CN201110308620.8无效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;张家豪;陈家伟 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率晶体管组件，包括一衬底、一第一外延层、一扩散掺杂区、一第二外延层、一基体掺杂区以及一源极掺杂区。衬底、第一外延层、第二外延层以及源极掺杂区具有一第一导电类型，且扩散掺杂区以及基体掺杂区具有第二导电类型。第一外延层与第二外延层依序设于衬底上，且扩散掺杂区设于第一外延层中。基体掺杂区设于第二外延层中，并与扩散掺杂区相接触，且源极掺杂区设于基体掺杂区中。第二外延层的掺杂浓度小于第一外延层的掺杂浓度。借此，在第二外延层中形成基体掺杂区的步骤中可降低掺杂于第二外延层中的离子浓度，进而可稳定控制功率晶体管组件的沟道区的浓度。
功率晶体管组件及其制作方法

[发明专利]半导体功率装置-CN201110277276.0有效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体功率装置，包括一基材，其上设有一第一半导体层、一第二半导体层、一第三半导体层。至少一凹入式外延结构，嵌入于第三半导体层中、一第一垂直掺杂区，包围凹入式外延结构、一源极导体，设于凹入式外延结构上、以及一沟渠绝缘结构，位于一接面终端区域内，其中沟渠绝缘结构包括一沟渠、一第一绝缘层，设于沟渠的内壁上、以及一导电层，填入沟渠中，其中源极导体电连接导电层。
半导体功率装置

[发明专利]低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法-CN201110238139.6有效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种低米勒电容的超级接面功率晶体管制造方法。首先提供一N型漏极基底，并在N型漏极基底形成一P型外延层。接着，在一晶胞区域内的P型外延层中形成至少一沟槽，并且在沟槽的表面形成一缓冲层。填入一N型掺质来源层到沟槽内，并且回蚀刻N型掺质来源层，以在沟槽的上部形成一凹陷结构。在凹陷结构的表面形成一栅极氧化层，同时，使N型掺质来源层内的N型掺质经由缓冲层扩散到P型外延层，而形成一N型基体掺杂区。接着，在凹陷结构内填入一栅极导体，并且在栅极导体周围的P型外延层内形成一N+型源极掺杂区。
米勒电容超级功率晶体管制造方法

[发明专利]具有超级接口的功率元件-CN201110220530.3无效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有超级接口的功率元件，包含基材、主体、源极结构与栅极结构。基材成第一导电性，主体包含载流子浓度小于基材载流子浓度且成第一导电性的原质部，及与原质部接触并成相反于第一导电性的第二导电性的改质部，改质部具有截面宽度不大于原质部的截面宽度的填充区及围覆填充区侧周面的扩散区，扩散区与原质部交界处晶格连续并为超级接口，源极结构连结改质部并成第一导电性，栅极结构包括连结原质部的介电材与导电材。本发明利用扩散区与原质部间晶格连续的超级接口，供电荷不堆积在缺陷(defect)处而维持电流在开启及关闭时皆正常动作。
具有超级接口功率元件

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